技术特征：
技术总结
本发明涉及半导体外延晶片和其制造方法以及固体摄像元件的制造方法。本发明的目的在于提供具有更优越的吸杂能力并且能够抑制外延缺陷的产生的半导体外延晶片的制造方法。本发明的半导体外延晶片的制造方法的特征在于，具有：第一工序，向半导体晶片的表面照射作为结构元素而包含碳、氢和氧的蔟离子，在该半导体晶片的表面部形成所述蔟离子的结构元素固溶后的改性层；以及第二工序，在该第一工序之后，在所述半导体晶片的所述改性层上形成外延层。
技术研发人员：广濑谅
受保护的技术使用者：胜高股份有限公司
技术研发日：2017.02.28
技术公布日：2017.09.05