技术特征：
技术总结
本发明所述的全背电极太阳电池背面离子注入掩模版及背面图形实现方法，包括相互配合的emitter掩模版和BSF掩模版,所述emitter掩模版上设有emitter开口,所述BSF掩模版设有与emitter开口配合的BSF开口；通过离子注入法，采用该掩模版分别在电池背面定域形成固定图形。本发明的有益效果为：电池的P区和N区可以通过一组相互配合的掩膜版实现分别注入，简便地形成带gap区域，有效解决P、N接触区漏电的问题，太阳能电池背面图形化工艺更加简便可靠，有利于大规模生产。
技术研发人员：李华;鲁伟明;李中兰
受保护的技术使用者：泰州乐叶光伏科技有限公司
技术研发日：2017.03.08
技术公布日：2017.07.04