基于r面Al2O3衬底的a面Ⅲ族氮化物的发光二极管的制作方法

本发明属于微电子器件领域，特别涉及一种基于r面al2o3衬底的a面ⅲ族氮化物的发光二极管，可用于照明，显示屏和背光源的各种光学应用。

技术背景

发光二极管led由于其效率高，寿命长，节能环保等优点，使得led照明飞速发展。有人说白炽灯照亮了20世纪，led则会照亮21世纪。氮化物作为直接带隙半导体，同时具有较大的禁带宽度，通过调节材料中各组分的比例禁带宽度可以在0.7ev到6.2ev之间变化，覆盖了从红外到极紫外的波段范围，在led应用中获得了广泛使用。其中，ⅲ族氮化物半导体材料是最常用的制备led的材料，如aln基、gan基、inn基等半导体材料。纤锌矿结构的ⅲ族氮化物半导体材料通常有一个平行于晶胞的c轴(0001)方向的极性轴，由于沿着极性轴方向不存在中心反转对称性，因此由极性方向的不同可分为n面ⅲ族氮化物材料和金属面ⅲ族氮化物材料。n面ⅲ族氮化物和金属面ⅲ族氮化物的交界处，称为反型畴idb。

p.j.schuck等人在2001年研究了gan内反型畴的光学特性，即反型畴的发光强度超过体gan面区域一个数量级，据此，该研究认为反型畴可以看做是一个高效辐射复合中心，理论上可以将反型畴看做量子阱，且具有一定密度的反型畴的gan薄膜，可以用于制作led而不需要生长量子阱结构，这样大大减少了工艺步骤。基于上述结论，具有一定密度的反型畴的ⅲ族氮化物薄膜，可以制作发光颜色不同的led。

金属有机化合物化学气相沉淀mocvd技术是目前使用最多的ⅲ族氮化物半导体外延技术。通过mocvd工艺在r面al2o3衬底上可以外延生长非极性a面ⅲ族氮化物薄膜。在生长a面ⅲ族氮化物时，通常采用横向外延过生长elog技术，即在衬底上预先淀积一层掩膜层，然后生长ⅲ族氮化物，ⅲ族氮化物最开始从窗口区向上生长，在窗口区长满后接着横向生长，最后在掩膜区合并。使用sin做掩膜层生长a面ⅲ族氮化物时，相邻窗口区之间的掩膜区上面合并的ⅲ族氮化物，由于其左右两面极性不同，因而在左右两面合并处会产生反型畴。利用上述理论，可以用mocvd技术生长得到包含反型畴的a面ⅲ族氮化物薄膜，用于制作新型的无量子阱结构的led。

目前传统led器件的发光依靠阱层/垒层量子阱结构内的载流子辐射复合，其结构自下而上包括衬底层、成核层、n型ⅲ族氮化物层、量子阱层和p型ⅲ族氮化物层，其中量子阱层包括多层ⅲ族氮化物阱层和ⅲ族氮化物垒层，其结构十分复杂，且制作过程需要在衬底上先生长n型ⅲ族氮化物，再生长量子阱结构，再生长p型ⅲ族氮化物，使得传统led制作流程繁琐，工艺周期长。

技术实现要素：

本发明的目的在于针对上述现有技术的不足，提出一种基于r面al2o3衬底的a面ⅲ族氮化物的发光二极管，以简化器件结构和制作流程，缩短工艺周期。

本发明的技术思路是：生长a面ⅲ族氮化物时，在衬底上预先淀积一层掩膜层，然后生长ⅲ族氮化物，可以得到包含反型畴的a面ⅲ族氮化物薄膜，将sin掩膜层的窗口区设计为条纹形状，改变条纹的宽度和间距，从而得到不同密度的反型畴的ⅲ族氮化物薄膜，利用反型畴具有良好发光特性的特点，来替代量子阱发光，利用具有反型畴的a面ⅲ族氮化物制作不包含量子阱结构的led，其实现方案如下：

1.一种基于r面al2o3衬底的a面ⅲ族氮化物的发光二极管，自下而上包括：r面al2o3衬底层、aln成核层、发光层和电极，其特征在于：在aln成核层与发光层之间设有sin掩膜层，该sin掩膜层的表面设有通过光刻工艺形成的数根条纹；aln成核层包括一层温度为750-900℃的低温aln成核层和温度为950-1100℃的高温aln成核层；发光层为一层a面ⅲ族氮化物层。

上述薄膜，其特征在于：所述的sin掩膜层的厚度为20-50nm，sin掩膜层表面的每一根条纹宽度均为5-50nm，条纹间距为5-50nm。

上述薄膜，其特征在于：所述的高温aln成核层位于低温aln成核层之上，每一层的厚度均为20-50nm。

上述薄膜，其特征在于：所述的a面ⅲ族氮化物薄膜的厚度为700-2000nm。

上述薄膜，其特征在于：a面ⅲ族氮化物层，采用gan或aln或algan。

2.一种基于r面al2o3衬底的a面ⅲ族氮化物的发光二极管的制备方法，包括如下步骤：

1)将r面al2o3衬底置于金属有机化学气相淀积mocvd反应室中，将反应室的真空度降低到小于2×10^-2torr；再向反应室通入氢气，在mocvd反应室压力达到为20-760torr条件下，将衬底加热到温度为900-1200℃，并保持5-10min，完成对衬底基片的热处理；

2)将热处理后的衬底基片置于温度为1000-1100℃的反应室，通入流量为3000-4000sccm的氨气，持续3-5min进行氮化；

3)在氮化后的衬底上采用mocvd工艺在反应室温度降为750-900℃的条件下，同时通入流量为3000-4000sccm的氨气和流量为20-40sccm的铝源，生长厚度为20-50nm的低温aln成核层；再将温度升到950-1100℃，在低温aln成核层上生长厚度为20-50nm的高温aln成核层；

4)在高温aln成核层上采用mocvd工艺生长厚度为20-50nm的sin掩膜层，再采用光刻工艺按照5-50nm的间距刻蚀掉部分sin掩膜层至高温aln成核层，形成数根宽度为5-50nm的sin条纹图形；

5)在sin条纹图形和高温aln成核层上采用mocvd工艺生长厚度为700-2000nm的n型a面ⅲ族氮化物层，再采用光刻工艺刻蚀掉部分n型ⅲ族氮化物层至高温aln成核层；

6)在n型ⅲ族氮化物层被刻蚀掉的地方采用mocvd工艺生长厚度为700-2000nm的p型a面ⅲ族氮化物层，之后将反应室温度维持为850℃，在h2气氛下退火；

7)采用溅射金属的方法分别在n型ⅲ族氮化物层上沉积n型欧姆接触电极，在p型ⅲ族氮化物层沉积p型欧姆接触电极，完成发光二极管器件的制作。

本发明具有如下优点：

1.器件结构简单

传统led的发光层为量子阱结构，量子阱层包括多层ⅲ族氮化物阱层和ⅲ族氮化物垒层，其结构十分复杂，本发明的led发光层为一层a面ⅲ族氮化物层，简化了器件结构。

2.工艺流程少

传统led的量子阱需要生长多层ⅲ族氮化物层，本发明利用a面ⅲ族氮化物薄膜内的反型畴发光，发光层只需要生长一层a面ⅲ族氮化物层，减少了工艺流程。

3.制作周期短

本发明由于结构简单，因而减少了工艺流程，缩短了制作周期。

附图说明

图1是本发明的led器件结构示意图；

图2是本发明制作led器件的流程示意图。

具体实施方式

以下结合附图对本发明做进一步说明。

参照图1，本发明的器件结构自下而上包括：r面al2o3衬底层、aln成核层、sin掩膜层、a面ⅲ族氮化物层和电极。该aln成核层位于r面al2o3衬底层之上，其包括一层温度为750-900℃的低温aln成核层和温度为950-1100℃的高温aln成核层，高温aln成核层位于低温aln成核层之上，每一层的厚度均为20-50nm；该sin掩膜层位于高温aln成核层之上，表面设有通过光刻工艺形成的数根条纹，每一根条纹宽度均为5-50nm，条纹间距为5-50nm，该sin掩膜层的厚度为40-60nm；该a面ⅲ族氮化物层位于sin掩膜层之上，其厚度为700-2000nm；该a面ⅲ族氮化物层包括n型a面ⅲ族氮化物层和p型a面ⅲ族氮化物层，其中，p型a面ⅲ族氮化物层位于n型a面ⅲ族氮化物层的右边；电极包括n型电极和p型电极，分别位于n型ⅲ族氮化物层和p型ⅲ族氮化物层之上。

该a面ⅲ族氮化物层，采用gan或aln或algan材料，用于作为发光层，发不同颜色的光，当采用gan时，led发紫外光，采用aln时，led发极紫外光，采用algan时，led发深紫外光。

参照图2，本发明给出制备基于r面al2o3衬底的a面ⅲ族氮化物的发光二极管的三种实施例。

实施例1，制备一种基于r面al2o3衬底的a面gan的紫外发光二极管。

步骤1，热处理。

将r面al2o3衬底置于金属有机化学气相淀积mocvd反应室中，将反应室的真空度降低到小于2×10^-2torr；再向反应室通入氢气，使mocvd反应室压力为20torr，将衬底加热到温度为900℃，对衬底基片进行5min的热处理。

步骤2，高温氮化。

将热处理后的衬底置于温度为1000℃的反应室，通入流量为3000sccm的氨气，持续3min进行氮化。

步骤3，生长aln成核层，如图2(a)。

在氮化后的衬底上采用mocvd工艺在反应室温度为750℃的条件下，同时通入流量为3000sccm的氨气和流量为20sccm的铝源，在保持压力为20torr的条件下生长厚度为20nm的低温aln成核层，再将温度升到950℃，在低温aln成核层生长厚度为20nm的高温aln成核层。

步骤4，生长sin掩膜层。

4a)在高温aln成核层上采用mocvd工艺在反应室温度为950℃的条件下，同时通入流量为3000sccm的氨气和流量为10sccm的硅源，在保持压力为20torr的条件下生长厚度为20nm的sin掩膜层，如图2(b)；

4b)在sin掩膜层上采用光刻工艺按照5nm的间距刻蚀掉部分sin掩膜层至高温aln成核层，形成数根宽度为5nm的sin条纹图形，如图2(c)。

步骤5，生长n型a面gan层。

5a)在sin条纹图形和高温aln成核层上采用mocvd工艺在反应室温度为950℃的条件下，同时通入流量为2500sccm的氨气，流量为150sccm的镓源和流量为10sccm的硅源，在保持压力为20torr的条件下生长厚度为700nm的n型a面gan层，如图2(d)；

5b)在n型a面gan层上采用光刻工艺刻蚀掉部分n型gan层至高温aln成核层，如图2(e)。

步骤6，生长p型a面gan层，如图2(f)。

在n型gan层被刻蚀掉的地方采用mocvd工艺在反应室温度为950℃的条件下，同时通入流量为2500sccm的氨气，流量为150sccm的镓源和流量为100sccm的镁源，在保持压力为20torr的条件下生长厚度为700nm的p型a面gan层，之后将反应室温度维持为850℃，再在h2气氛下退火10min。

步骤7，沉积电极，如图2(g)。

采用溅射金属的方法在分别在n型gan层上沉积n型欧姆接触电极，在p型gan层沉积p型欧姆接触电极，完成对紫外led器件的制作。

实施例2，制备发光波长为200nm的基于r面al2o3衬底的a面aln的极紫外发光二极管led。

步骤一，热处理。

将r面al2o3衬底置于金属有机化学气相淀积mocvd反应室中，将反应室的真空度降低到小于2×10^-2torr；再向反应室通入氢气，使mocvd反应室压力为200torr，将衬底加热到温度为1000℃，对衬底基片进行7min的热处理。

步骤二，高温氮化。

将热处理后的衬底置于温度为1050℃的反应室，通入流量为3500sccm的氨气，持续4min进行氮化。

步骤三，生长aln成核层，如图2(a)。

在氮化后的衬底上采用mocvd工艺在反应室温度为800℃的条件下，同时通入流量为3500sccm的氨气和流量为30sccm的铝源，在保持压力为200torr的条件下生长厚度为30nm的低温aln成核层，再将温度升到1000℃，在低温aln成核层生长厚度为30nm的高温aln成核层。

步骤四，生长sin掩膜层。

4.1)在高温aln成核层上采用mocvd工艺在反应室温度为1000℃的条件下，同时通入流量为3500sccm的氨气和流量为15sccm的硅源，在保持压力为200torr的条件下生长厚度为30nm的sin掩膜层，如图2(b)；

4.2)在sin掩膜层上采用光刻工艺按照20nm的间距刻蚀掉部分sin掩膜层至高温aln成核层，形成数根宽度为20nm的sin条纹图形，如图2(c)。

步骤五，生长n型a面aln层。

5.1)在sin条纹图形和高温aln成核层上采用mocvd工艺在反应室温度为1050℃的条件下，同时通入氨气、铝源和硅源，在保持压力为200torr的条件下生长厚度为1200nm的n型a面aln层，其中氨气的流量为3000sccm，铝源的流量为200sccm，硅源的流量为15sccm，如图2(d)；

5.2)在n型a面aln层上采用光刻工艺刻蚀掉部分n型aln层至高温aln成核层，如图2(e)。

步骤六，生长p型a面aln层，如图2(f)。

6.1)在n型aln层被刻蚀掉的地方采用mocvd工艺，控制反应室温度为1050℃，同时通入氨气、铝源和镁源，控制反应室压力为200torr，生长厚度为1200nm的p型a面aln层，其中氨气的流量为3000sccm，铝源的流量为200sccm，镁源的流量为150sccm；

6.2)将反应室的温度维持为850℃，压力维持为200torr，在h2气氛下退火15min。

步骤七，沉积电极，如图2(g)。

采用溅射金属的方法分别在n型aln层上沉积n型欧姆接触电极，在p型aln层上沉积p型欧姆接触电极，完成极紫外led器件的制作。

实施例3，制备发光波长为280nm的基于r面al2o3衬底的a面al0.43ga0.57n的深紫外发光二极管。

步骤a，热处理。

将r面al2o3衬底置于金属有机化学气相淀积mocvd反应室中，将反应室的真空度降低到小于2×10^-2torr；再向反应室通入氢气，控制mocvd反应室压力为760torr，将衬底加热到温度为1200℃，对衬底基片进行10min的热处理。

步骤b，高温氮化。

将热处理后的衬底置于温度为1100℃的反应室，通入流量为4000sccm的氨气，持续5min进行氮化，完成高温氮化。

步骤c，生长aln成核层，如图2(a)。

c1)在氮化后的衬底上采用mocvd工艺在反应室温度降为900℃的条件下，同时通入氨气和铝源，其中氨气的流量为4000sccm，铝源的流量为40sccm，在保持压力为760torr的条件下生长厚度为50nm的低温aln成核层；

c2)在低温aln成核层上采用mocvd工艺在反应室温度升为1100℃的条件下，同时通入流量为4000sccm氨气和流量为40sccm的铝源，生长厚度为50nm的高温aln成核层。

步骤d，生长sin掩膜层。

d1)在高温aln成核层上采用mocvd工艺在反应室温度为1100℃的条件下，同时通入流量为4000sccm的氨气和流量为20sccm的硅源，控制反应室压力为760torr，生长厚度为50nm的sin掩膜层，如图2(b)；

d2)在sin掩膜层上采用光刻工艺按照50nm的间距刻蚀掉部分sin掩膜层至高温aln成核层，形成数根宽度为50nm的sin条纹图形，如图2(c)。

步骤e，生长n型a面algan层。

e1)在sin条纹图形和高温aln成核层上采用mocvd工艺，在反应室温度为1100℃，压力为760torr的条件下，同时通入流量为3500sccm的氨气，流量为250sccm的铝源，流量为250sccm的镓源和流量为20sccm的硅源，生长厚度为2000nm的n型a面al0.43ga0.57n层，如图2(d)；

e2)在n型a面algan层上采用光刻工艺刻蚀掉部分n型algan层至高温aln成核层，如图2(e)。

步骤f，生长p型a面algan层，如图2(f)。

在n型algan层被刻蚀掉的地方采用mocvd工艺在反应室温度为1100℃的条件下，同时通入氨气、铝源、镓源和镁源，在反应室压力为760torr的条件下生长厚度为2000nm的p型a面al0.43ga0.57n层，其中，氨气流量为3500sccm，铝源流量为250sccm，镓源流量为250sccm，镁源流量为180sccm，之后将反应室温度维持为850℃，再在h2气氛下退火15min。

步骤g，沉积电极，如图2(g)。

采用溅射金属的方法分别在n型algan层上沉积n型欧姆接触电极，在p型algan层沉积p型欧姆接触电极，完成深紫外led器件的制作。

以上描述仅是本发明的三个具体实例，不构成对本发明的任何限制，显然对于本领域的专业人员来说，在了解本发明内容和原理后，都可能在不背离本发明的原理、结构的情况下，进行形式和细节上的各种修正和改变，但是这些基于本发明思想的修正和改变仍在本发明的权利要求保护范围之内。