技术特征：
技术总结
本发明公开了一种基于r面Al2O3衬底的a面Ⅲ族氮化物的发光二极管，主要解决现有LED生长步骤多，工艺周期长的问题。其包括：r面Al2O3衬底层、AlN成核层、发光层和电极，其中AlN成核层和发光层之间设有SiN掩膜层，该SiN掩膜层表面设有数根条纹，AlN成核层包括一层温度为750‑900℃的低温AlN成核层和950‑1100℃的高温AlN成核层，发光层为一层a面Ⅲ族氮化物层，该Ⅲ族氮化物采用GaN或AlN或AlGaN，分别发紫外光、极紫外光和深紫外光。本发明利用a面Ⅲ族氮化物内的反型畴代替传统LED的量子阱发光，简化了器件结构和制作流程，缩短了工艺周期，可用于照明，显示屏和背光源。
技术研发人员：许晟瑞;彭若诗;赵颖;李培咸;刘大为;张进成;孟锡俊;林志宇;牛牧童;陶鸿昌;郝跃
受保护的技术使用者：西安电子科技大学
技术研发日：2017.03.31
技术公布日：2017.09.08