一种磁性隧道结的平坦化方法与流程

技术总结
本发明提供了一种磁性隧道结的平坦化方法，其中，所述磁性隧道结包括非晶态的铁钴硼层，其特征在于，包括以下步骤：采用离子或等离子束轰击所述非晶态铁钴硼层。采用低功率离子或等离子束轰击，使表面原子获得一定动能但不至于逃离，从而将材料由粗糙凸起移至低谷，最终得到原子级平滑度的MTJ多层膜沉积。

技术研发人员：陈峻;麻榆阳;张云森;郭一民;肖荣福
受保护的技术使用者：上海磁宇信息科技有限公司
技术研发日：2017.04.07
技术公布日：2018.10.23