技术特征：
技术总结
本申请公开了一种基于图形化模板的半导体器件及其制作方法，该半导体器件包括图形化的模板以及支撑于图形化模板上的外延结构，所述图形化的模板包括阵列设置的多个微柱。该半导体器件的制作方法包括步骤：s1、在衬底上生长模板材料；s2、通过刻蚀，获得具有微柱阵列的图形化模板；s3、在图形化模板上外延生长外延结构。本发明方法可以明显提高深紫外LED的外量子效率。
技术研发人员：张纪才;陈刚;李雪威;王建峰;徐科
受保护的技术使用者：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所;中国科学院大学
技术研发日：2017.04.27
技术公布日：2018.11.13