中介板及其制法
【技术领域】
[0001]本发明有关一种中介板，尤指一种提高制作良率的中介板及其制法。
【背景技术】
[0002]随着电子产业的蓬勃发展，电子产品也逐渐迈向多功能、高性能的趋势。目前应用于芯片封装领域的技术，例如芯片尺寸封装(Chip Scale Package, CSP)、直接芯片贴附封装(Direct Chip Attached, DCA)或多芯片组件封装(Multi — Chip Module, MCM)等覆晶型态的封装模组、或将芯片立体堆迭化整合为三维积体电路(3D 1C)芯片堆迭技术等。
[0003]图1为现有3D芯片堆迭的半导体封装件的制法的剖面示意图。如图1所示，提供一石圭中介板(Through Silicon interposer, TSI) 1,该娃中介板1具有具有相对的置晶侧10b与转接侧10a、及连通该置晶侧10b与转接侧10a的多个导电娃穿孔(Through-siliconvia, TSV) 15’，且该置晶侧10b上具有一线路重布结构(Redistribut1n layer, RDL) 11。将间距较小的半导体芯片6的电极垫60藉由多个焊锡凸块61电性结合至该线路重布结构11上，再以底胶62包覆该些焊锡凸块61，且于该导电硅穿孔15’上藉由多个如凸块的导电元件18电性结合间距较大的封装基板7的焊垫70，之后形成封装胶体8于该封装基板7上，以包覆该半导体芯片6。
[0004]图1A至图1F为现有硅中介板1的转接侧10a的制法的示意图。
[0005]如图1A所不,一板体10置放于一承载件9上,且于该板体10的置晶侧10a上已具有一线路重布结构11。
[0006]如图1B所示，形成多个穿孔100于该板体10的转接侧10a上，以外露该线路重布结构11的部分表面。
[0007]如图1C所示，形成一绝缘层12于该板体10的转接侧10a上与各该穿孔100中，再形成一导电层13于该绝缘层12上与各该穿孔100中。
[0008]如图1D所示，进行图案化制程，形成导电柱15于各该穿孔100中以作为如图1所示的导电硅穿孔15’，且移除该板体10上的导电层13，使该导电柱15电性连接该线路重布结构11。
[0009]如图1E所示，进行另一次图案化制程，先形成另一导电层13’于该板体10与各该导电柱15上，再形成一阻层14于该导电层13’上，且该阻层14具有对应各该导电柱15的开口区140 ;接着，形成电性接触垫16于各该开口区140中，使该导电柱15电性连接该电性接触垫16。
[0010]如图1F所示，移除该阻层14及其下的导电层13’。
[0011]如图1G所示，形成一保护层19于该板体10与该电性接触垫16上，且外露出该电性接触垫16的部分表面，以形成凸块底下金属层(Under Bump Metallurgy,简称UBM) 17于该电性接触垫16的外露表面与该保护层19上。
[0012]如图1H所示，移除多余的凸块底下金属层17，以形成导电元件18于保留的凸块底下金属层17’上。
[0013]之后，移除该承载件9，以形成如图1所示的硅中介板1。
[0014]惟，前述现有硅中介板1的制法中，该导电柱15与该电性接触垫16分开制作，所以需进行两次图案化制程(如需进行两次制作该导电层13，13’的步骤)，导致制程复杂冗长，且进行图案化制程的步骤繁多，因而提高制作成本，且降低产量(throughput)，致使难以降低产品成本。
[0015]此外，由于该电性接触垫16与该导电柱15于不同制程制作，所以该电性接触垫16与该导电柱15之间会产生界面，因而于两者之间会发生脱落(Peeling)或破裂(crack)等问题。
[0016]又，形成该凸块底下金属层17’时，需再进行一次图案化制程，即先全面溅镀该凸块底下金属层17，之后再形成光阻(图略)以图案化该凸块底下金属层17，所以不仅制程复杂冗长，且使整体制法进行的曝光、显影等图案化制程过多，因而提高制作成本，以致于产量不高，且产品良率下降。
[0017]因此，如何克服上述现有技术的种种问题，实已成目前亟欲解决的课题。
【发明内容】
[0018]鉴于上述现有技术的种种缺失，本发明的目的为提供一种中介板及其制法，该电性接触垫与该导电柱之间不会产生界面，因而于两者之间能避免脱落或破裂等问题。
[0019]本发明的中介板，包括:板体，其具有相对的第一侧与第二侧、及连通该第一侧的多个穿孔；导电柱，其设于该些穿孔中；以及电性接触垫，其设于该导电柱与该板体的第一侧上，且电性连接该导电柱，又该电性接触垫与该导电柱为一体成形者。
[0020]本发明还提供一种中介板的制法，其包括:提供一具有相对的第一侧与第二侧的板体；形成多个穿孔于该板体的第一侧上；形成阻层于该板体的第一侧上，且该阻层具有对应各该穿孔的开口区，使各该开口区连通各该穿孔；形成导电材于各该穿孔中与该开口区中，使各该穿孔中的导电材作为导电柱，且各该开口区中的导电材作为电性连接该导电柱的电性接触垫，使该电性接触垫与该导电柱为一体成形者；以及移除该阻层。
[0021 ] 前述的制法中，该导电材为以电镀方式形成者。
[0022]前述的中介板及其制法中，该板体为半导体板体或绝缘板体。
[0023]前述的中介板及其制法中，该板体的第一侧具有至少一钝化层。
[0024]前述的中介板及其制法中，该穿孔具有连通该第一侧的扩充部，使该导电柱具有延伸部，且该延伸部的孔径大于该导电柱本体的孔径。
[0025]前述的中介板及其制法中，该板体为绝缘板体，且该板体中埋设至少一电子元件。
[0026]前述的中介板及其制法中，该板体的第二侧上具有线路结构，且于形成该阻层前，该穿孔外露该线路结构的部分表面，使该导电柱电性连接该线路结构。
[0027]前述的中介板及其制法中，还包括于形成该阻层前，形成一绝缘层于该板体的第一侧上与各该穿孔中，使该阻层形成于该板体的第一侧上的绝缘层上。因此，于移除该阻层后，该绝缘层设于该板体的第一侧上，且延伸至该板体的第一侧与该电性接触垫之间、及该穿孔与该导电柱之间。
[0028]前述的中介板及其制法中，该导电材的制程包括:形成导电层于该板体的第一侧上与各该穿孔中；形成该阻层于该板体的第一侧上的导电层上；形成该导电材于各该穿孔中与各该开口区中；以及移除该阻层及其下的导电层。因此，该导电层设于该板体的第一侧与该电性接触垫之间、及该穿孔与该导电柱之间。
[0029]前述的中介板及其制法中，还包括形成导电元件于各该电性接触垫上。例如，于移除该阻层前，形成导电元件于各该电性接触垫上。
[0030]另外，前述的中介板及其制法中，还包括于移除该阻层后，结合一电子装置于该些电性接触垫上。
[0031]由上可知，本发明的中介板及其制法，藉由仅需进行一次图案化制程即可形成该导电柱与该电性接触垫，不仅能节省图案化制程的成本，且能简化制程，因而可提高良率，以降低产品成本。
[0032]此外，由于该电性接触垫与该导电柱为一体成形者，所以该电性接触垫与该导电柱之间不会产生界面，因而于两者之间能避免脱落或破裂等问题。
【附图说明】
[0033]图1为现有中介板的剖面示意图；
[0034]图1A至图1H为现有中介板的制法的剖面示意图；
[0035]图2A至图2G为本发明的中介板的制法的第一实施例的剖面示意图；
[0036]图2H为图2G的后续制程的剖面示意图；
[0037]图3A至图3F为本发明的中介板的制法的第二实施例的剖面示意图；以及
[0038]图4为本发明的中介板的制法的第三实施例的剖面示意图。
[0039]符号说明
[0040]1硅中介板
[0041]10,20,40板体
[0042]10a转接侧
[0043]10b置晶侧
[0044]100, 200, 300 穿