技术特征：
技术总结
本发明提供一种压电薄膜换能器用WSiAlN薄膜及其制备方法，该压电薄膜换能器用WSiAlN薄膜包括底电极以及位于底电极上的压电薄膜，底电极采用WSi材料制成，压电薄膜采用AlN材料制成。本发明通过采用WSi材料制成底电极，设置于AlN压电薄膜下，可以提高压电薄膜的c轴取向，降低应力，满足压电薄膜换能器用复合薄膜材料的要求，由此本发明提供的复合薄膜材料结构单元(即WSiAlN薄膜)可以作为压电薄膜换能器中新型的薄膜材料结构单元使用。
技术研发人员：欧黎;徐阳;江洪敏;司美菊;姜华男;张永川;马晋毅;龙飞;杜波;蒋欣;金成飞;田本朗
受保护的技术使用者：中国电子科技集团公司第二十六研究所
技术研发日：2017.05.15
技术公布日：2017.08.25