技术特征：
技术总结
本申请提供一种阵列基板及其制作方法、平板探测器及影像设备，涉及光电技术领域，能够减小光电转换器的制作工艺对TFT性能的影响。该阵列基板包括衬底基板、设置于衬底基板上呈矩阵形式排列的多个低温多晶硅TFT，以及与TFT的源极或漏极相连接的光电转换器。其中，TFT的源极和漏极包括靠近光电转换器一侧的第一导电层，且构成第一导电层的材料在光电转换器的构图工艺中耐刻蚀。该阵列基板用于制备平板探测器。
技术研发人员：蒋会刚;高建剑;郭海波;朱孝会
受保护的技术使用者：京东方科技集团股份有限公司;北京京东方光电科技有限公司
技术研发日：2017.05.19
技术公布日：2017.08.29