技术特征：
技术总结
本发明公开了一种发光元件，包含一磊晶结构，磊晶结构包含一第一型半导体层、一第二型半导体层与一发光层。第一型半导体层包含一第一子半导体层，发光层设置于第一型半导体层与第二型半导体层之间，第一子半导体层具有掺杂第一型掺杂物的一高掺杂部与一低掺杂部，高掺杂部的掺杂浓度大于1017原子数/立方厘米且小于等于1018原子数/立方厘米，低掺杂部的掺杂浓度的小于等于1017原子数/立方厘米。
技术研发人员：吴俊德;王信介;赖彦霖
受保护的技术使用者：英属开曼群岛商镎创科技股份有限公司
技术研发日：2017.06.01
技术公布日：2018.12.11