技术特征：
技术总结
本发明提供一种超结DMOS器件，通过在超结结构的第二导电类型掺杂柱区侧面做介质层结构来固定超结DMOS器件的雪崩击穿点，同时降低超结结构第二导电类型掺杂柱区顶部的掺杂浓度，使第二导电类型半导体体区附近的电场降低。最终使得雪崩击穿电流路径避开寄生BJT的基区电阻，在超结DMOS器件发生雪崩击穿时，有效避免寄生三极管的开启，从而提高超结DMOS器件在非箝位电感负载应用中的可靠性(即抗UIS失效能力)。
技术研发人员：任敏;罗蕾;李佳驹;谢驰;林育赐;李泽宏;张波
受保护的技术使用者：电子科技大学
技术研发日：2017.06.08
技术公布日：2017.10.13