技术特征：
技术总结
本发明公开了一种高K/AlN/低In组分InGaAs的MOS电容制备方法，主要解决现有同类器件界面态密度高的问题，其自下而上包括：欧姆接触金属、衬底、GaAs缓冲层、InGaAs沟道层、AlN钝化层、高K氧化层和金属栅电极。其中InGaAs沟道层掺杂浓度为1×1017/cm3，厚度为15‑30nm，用于提供有效载流子；AlN钝化层厚度为1‑5nm，用于改善高K/InGaAs界面缺陷；高K氧化层使用Al2O3或TiO2氧化物，其厚度为5‑10nm，用于提高击穿场强，减小栅极漏电。本发明降低了器件的界面态密度，提高了器件的电学特性，可用于硅基互补金属氧化物半导体器件的制作。
技术研发人员：刘琛;吕红亮;杨彤;张玉明;张义门
受保护的技术使用者：西安电子科技大学
技术研发日：2017.06.15
技术公布日：2017.10.13