具有电容连接垫的半导体结构与电容连接垫的制作方法与流程

文档序号:16849442发布日期:2019-02-12 22:36阅读:来源:国知局

技术特征:

技术总结
本发明公开一种具有电容连接垫的半导体结构与电容连接垫的制作方法。该具有电容连接垫的半导体结构包含一基底,其中具有多个接触结构、一第一介电层位于该基底与该些接触结构上、以及多个电容连接垫,每一该电容连接垫位于一该第一介电层中并与一该接触结构电连接,其中该些电容连接垫呈现上宽下窄且顶面下凹的形状。

技术研发人员:张峰溢;李甫哲;陈界得;张翊菁
受保护的技术使用者:联华电子股份有限公司;福建省晋华集成电路有限公司
技术研发日:2017.08.01
技术公布日:2019.02.12
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