技术特征：
技术总结
本发明涉及一种巨介电常数电容器，所述巨介电常数电容器包括上层、中层与下层，所述上层与下层均为绝缘体，所述中层为半导体。本发明的巨介电常数电容器通过将巨介电常数电容器外部即上层与下层设置成绝缘体，中层设置为半导体，由于半导体具有较多载流子和空间电荷，这些正负电荷在外加电场的作用下发生分离，分别在上、下表面绝缘体靠近半导体的一侧聚积形成极化，以达到形成较大的介电常数的效果；又因为这些聚积的电荷并被限制在绝缘体下而不是参与到外电路中形成电流，达到漏电损耗小的效果。
技术研发人员：郑分刚;刘凯;孙亚龙
受保护的技术使用者：苏州大学
技术研发日：2017.11.14
技术公布日：2018.04.20