技术特征：
技术总结
本发明公开了一种在后栅工艺中，优化金属栅极填充的方法。先形成一伪栅层，再形成伪栅层侧墙；再沉积双层接触刻蚀停止层。沉积层间介质层氧化层后进行化学机械研磨露出伪栅极，然后对SiN部分进行回刻，形成台阶结构。去掉伪栅极得到凹槽，在凹槽内一次填充高介电层和金属栅极，多余的金属栅极部分通过化学机械研磨去除，形成金属栅极结构。此方法通过扩大凹槽开口降低深宽比来改善金属栅填充，金属栅的栅极宽度增大部分由后续的CMP去除，不影响金属栅最终的尺寸。
技术研发人员：鲍宇
受保护的技术使用者：上海华力微电子有限公司
技术研发日：2017.11.22
技术公布日：2018.04.24