1.一种砷化镓晶圆的光刻工艺，其特征在于包括以下步骤：
1)于砷化镓晶圆表面沉积氮化硅层，氮化硅层的厚度为30～80nm；
2)于氮化硅层上涂布正光阻，并通过曝光、显影形成蚀刻窗口；
3)对蚀刻窗口之内的氮化硅进行干法蚀刻至裸露砷化镓表面，所述干法蚀刻的蚀刻气体为SF6；
4)对蚀刻窗口之内的砷化镓进行湿法蚀刻，所述湿法蚀刻的蚀刻液为H3PO4+H2O2；
5)剥离光阻；
6)通过干法蚀刻去除余下的氮化硅，所述干法蚀刻的蚀刻气体为SF6。
2.根据权利要求1所述的光刻工艺，其特征在于：所述氮化硅层的厚度为40～60nm。
3.根据权利要求1所述的光刻工艺，其特征在于：所述氮化硅层的沉积方式为等离子体增强化学气相沉积。
4.根据权利要求1所述的光刻工艺，其特征在于：步骤4)中，所述蚀刻液浓度为H3PO4+H2O2的质量分数为8～15％，湿法蚀刻的时间为30～50s。
5.根据权利要求1所述的光刻工艺，其特征在于：步骤5)中，通过N-甲基吡咯烷酮剥离光阻。
6.根据权利要求1所述的光刻工艺，其特征在于：步骤6)中，还包括对去除氮化硅后的砷化镓晶圆表面进行清洗的步骤，所述清洗溶液为盐酸。