本发明实施例涉及显示发光结构制备领域技术，尤其涉及一种oled发光结构的制备方法。
背景技术：
实现有机发光二极管(organiclight-emittingdiode，oled)彩色化的技术中，包含有两种主流技术，即微腔效应rgb像素独立发光技术和白色发光材料配合彩色滤光片技术。
其中，微腔效应rgb像素独立发光技术需要利用微腔效应，其原理是在红色子像素、绿色子像素和蓝色子像素上制备不同厚度透明导电电极来实现rgb光学腔长的调节，进而在相应的子像素区分别实现rgb光强的增强。当前常用的微腔制备方法是，通过磁控溅射法或脉冲激光沉积的方法，制备ito(indiumtinoxide，掺锡氧化铟)薄膜作为形成透明电极结构的薄膜。
然而磁控溅射法或脉冲激光法对掺杂比例的精确控制能力低，ito薄膜易结晶，微腔长度的控制难度大，因此所制备的ito薄膜的厚度、电阻率和折射率的连续可调性差，很难应用于大尺寸显示设备中。
技术实现要素：
本发明提供一种oled发光结构的制备方法，以避免光学调节层结晶，使得光学调节层的薄膜生长均匀，精确控制光学调节层的厚度，提高出射光的色纯度。
第一方面，本发明实施例提供了一种oled发光结构的制备方法，所述oled发光结构包括多个像素区，每个所述像素区至少包括第一子像素区、第二子像素区和第三子像素区，该方法包括：
提供衬底；
在所述衬底上形成反射电极；
采用原子层沉积法，在所述反射电极远离所述衬底一侧的所述第二子像素区形成第一透明电极，以及在所述反射电极远离所述衬底一侧的所述第三子像素区形成依次叠层的第一透明电极和第二透明电极，以使所述第一子像素区出射蓝光，所述第二子像素区出射绿光，所述第三子像素区出射红光。
进一步地，所述采用原子层沉积法，在所述反射电极远离所述衬底一侧的所述第二子像素区形成第一透明电极，以及在所述反射电极远离所述衬底一侧的所述第三子像素区形成依次叠层的第一透明电极和第二透明电极，包括：
采用原子层沉积法，在所述反射电极远离所述衬底的一侧沉积第一透明电极层；
图案化所述第一透明电极层，在所述第二子像素区和所述第三子像素区形成第一透明电极；
采用原子层沉积法，在所述反射电极以及所述第二子像素区和所述第三子像素区的第一透明电极远离所述衬底的一侧沉积第二透明电极层；
图案化所述第二透明电极层，在所述第三子像素区形成第二透明电极。
进一步地，所述采用原子层沉积法，在所述反射电极远离所述衬底的一侧沉积第一透明电极层，包括：
在沉积温度为200℃的条件下，将zno和in2o3按照10：1的循环比在原子层沉积系统中重复反应30次，在所述反射电极远离所述衬底的一侧形成izo薄膜；
在图案化所述第一透明电极层之后，还包括：
在250℃的环境温度下对所述izo薄膜进行退火处理。
进一步地，制备所述zno所采用的前驱体源为dez与h2o，制备所述zno包括：
往腔体通入dez源气体，进行化学吸附，通入时间为0.4s，腔体压强为0.432毫托；
真空抽离多余的所述dez源气体，抽离时间为8s；
往腔体通入h2o源气体，进行化学吸附，通入时间为0.4s；
利用真空抽离多余的所述h2o源气体，抽离时间为8s；
制备所述in2o3所采用的前驱体源为tmin与h2o，制备所述in2o3包括：
往腔体通入tmin源气体，进行化学吸附，通入时间为0.4s，腔体压强为0.432毫托；
真空抽离多余的所述tmin源气体，抽离时间为8s；
往腔体通入h2o源气体，进行化学吸附，通入时间为0.2s；
真空抽离多余的所述h2o源气体，抽离时间为8s。
进一步地，所述izo薄膜的厚度为60nm，电阻率为1.2×10-3ω·cm。
进一步地，所述采用原子层沉积法，在所述反射电极以及所述第二子像素区和所述第三子像素区的第一透明电极远离所述衬底的一侧沉积第二透明电极层，包括：
在沉积温度为200℃的条件下，将zno和al2o3的按照19：1的循环比在原子层沉积系统中重复反应12次，在所述反射电极以及所述第二子像素区和所述第三子像素区的第一透明电极远离所述衬底的一侧形成azo薄膜。
进一步地，制备所述zno所采用的前驱体源为dez与h2o，制备所述zno包括：
往腔体通入dez源气体，进行化学吸附，通入时间为0.25s，腔体压强为0.432毫托；
真空抽离多余的所述dez源气体，抽离时间为10s；
往腔体通入h2o源气体，进行化学吸附，通入时间为0.42s；
真空抽离多余的所述h2o源气体，抽离时间为10s；
制备所述al2o3所采用的前驱体源为tma与h2o，制备所述al2o3包括：
往腔体通入tma源气体，进行化学吸附，通入时间为0.2s，腔体压强为0.432毫托；
真空抽离多余的所述tma源气体，抽离时间为10s；
往腔体通入h2o源气体，进行化学吸附，通入时间为0.2s；
真空抽离多余的所述h2o源气体，抽离时间为10s。
进一步地，所述azo薄膜的厚度为60nm，电阻率为1.1×10-3ω·cm。
进一步地，所述采用原子层沉积法，在所述反射电极远离所述衬底一侧的所述第二子像素区形成第一透明电极，以及在所述反射电极远离所述衬底一侧的所述第三子像素区形成依次叠层的第一透明电极和第二透明电极，包括：
采用原子层沉积法，在所述反射电极远离所述衬底的一侧沉积第一透明电极层；
采用原子层沉积法，在所述第一透明电极层远离所述衬底的一侧沉积第二透明电极层；
刻蚀掉除所述第三子像素区之外的第二透明电极层，在所述第三子像素区形成第二透明电极；
刻蚀掉除所述第二子像素区和所述第三子像素区之外的第一透明电极层，在所述第二子像素区和所述第三子像素区形成第一透明电极。
进一步地，所述采用原子层沉积法，在所述反射电极远离所述衬底的一侧沉积第一透明电极层，包括：
在沉积温度为80℃的条件下，将zno和ga2o3按照5：1的循环比在原子层沉积系统中重复反应40次，在所述反射电极远离所述衬底的一侧形成gzo薄膜。
制备所述zno所采用的前驱体源为dez与o2等离子，制备所述zno包括：
往腔体通入dez源气体，进行化学吸附，通入时间为0.25s，腔体压强为0.432毫托；
真空抽离多余的所述dez源气体，抽离时间为10s；
往腔体通入o2等离子源气体，o2等离子功率为160w，进行化学吸附，通入时间为5s；
真空抽离多余的所述o2等离子源气体，抽离时间为6s；
制备所述ga2o3所采用的前驱体源为tmga与o2等离子，制备所述ga2o3包括：
往腔体通入tmga源气体，进行化学吸附，通入时间为0.3s，腔体压强为0.432毫托；
真空抽离多余的所述tmga源气体，抽离时间为10s；
往腔体通入o2等离子源气体，o2等离子功率为200w，进行化学吸附，通入时间为5s；
真空抽离多余的所述o2等离子源气体，抽离时间为7s。
进一步地，所述gzo薄膜的厚度为60nm，电阻率为1.6×10-3ω·cm。
进一步地，所述采用原子层沉积法，在所述第一透明电极层远离所述衬底的一侧沉积第二透明电极层，包括：
在沉积温度为80℃的条件下，将zno和mgo按照7：3的循环比在原子层沉积系统中重复反应35次，在所述第一透明电极层远离所述衬底的一侧形成zmo薄膜。
制备所述zno所采用的前驱体源为dez与o2等离子，制备所述zno包括：
往腔体通入dez源气体，进行化学吸附，通入时间为0.25s，腔体压强为0.432毫托；
真空抽离多余的所述dez源气体，抽离时间为10s；
往腔体通入o2等离子源气体，o2等离子功率为160w，进行化学吸附，通入时间为5s；
真空抽离多余的所述o2等离子源气体，抽离时间为6s；
制备所述mgo所采用的前驱体源为mg(mecp)2与o2等离子，制备所述mgo包括：
往腔体通入mg(mecp)2源气体，进行化学吸附，通入时间为0.5s，腔体压强为0.432毫托；
真空抽离多余的所述mg(mecp)2源气体，抽离时间为10s；
往腔体通入o2等离子源气体，o2等离子功率为180w，进行化学吸附，通入时间为5s；
真空抽离多余的所述o2等离子源气体，抽离时间为8s。
进一步地，所述zmo薄膜的厚度为60nm，电阻率为1.8×10-3ω·cm。
进一步地，所述第一透明电极与所述反射电极的刻蚀选择比大于10,所述第二透明电极与所述第一透明电极的刻蚀选择比大于10。
进一步地，所述第一透明电极和所述第二透明电极为azo、izo、imo、ito、gzo、tin、mon和wn中的至少一种材料形成的单层薄膜或多层叠层结构。
进一步地，所述第一透明电极和所述第二透明电极对可见光的折射率为1.3～3.0。
进一步地，在采用原子层沉积法，在所述反射电极远离所述衬底一侧的所述第二子像素区形成第一透明电极，以及在所述反射电极远离所述衬底一侧的所述第三子像素区形成依次叠层的第一透明电极和第二透明电极之后，还包括：
在所述第一子像素区的反射电极、所述第二子像素区的第一透明电极以及所述第三子像素区的第二透明电极远离所述衬底的一侧，形成白光发光层。
第二方面，本发明实施例还提供了一种oled发光结构，所述oled发光结构采用上述第一方面所述的oled发光结构的制备方法制备。
本发明实施例提供的oled发光结构的制备方法及oled发光结构，通过采用原子层沉积法，可以在单分子层级别控制第一透明电极和第二透明电极(光学调节层)的光学厚度，实现了对光学调节层的厚度的精确调节，形成oled发光结构的光学调节层，避免光学调节层结晶，使得光学调节层的薄膜生长均匀，可精确控制光学调节层的厚度，提高出射光的色纯度。
附图说明
图1为本发明实施例提供的oled发光结构的结构示意图；
图2为本发明实施例提供的oled发光结构的制备方法的流程示意图；
图3为本发明实施例提供的又一种oled发光结构的制备方法的流程示意图；
图4-图7为图3的oled发光结构的制备方法中各流程对应的结构示意图；
图8为本发明实施例提供的又一种oled发光结构的制备方法的流程示意图；
图9-图13为图8的oled发光结构的制备方法中各流程对应的结构示意图。
具体实施方式
下面结合附图和实施例对本发明作进一步的详细说明。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本发明，而非对本发明的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与本发明相关的部分而非全部结构。
图1为本发明实施例提供的oled发光结构的结构示意图，该oled发光结构包括多个像素区，每个像素区至少包括第一子像素区a、第二子像素区b和第三子像素区c。本发明实施例适用于阳极为发射电极，阳极为块状的顶发射oled的发光结构中，也可以适用于主动发光二极管的发光结构中。
本发明实施例提供一种oled发光结构的制备方法，图2为本发明实施例提供的oled发光结构的制备方法的流程示意图。参考图1和图2，该方法包括：
步骤11、提供衬底100。
其中，可选地，衬底100可以为玻璃或其他柔性材料。
步骤12、在衬底100上形成反射电极101。
其中，可选地，反射电极101的厚度为50～500nm，可采用物理气相沉积法或热蒸发法等方式制备，反射电极101的材料为银、铝或钼中的一种，或者以银、铝或钼其中一种为主要成分的合金。
步骤13、采用原子层沉积法，在反射电极101远离衬底100一侧的第二子像素区b形成第一透明电极102，以及在反射电极101远离衬底100一侧的第三子像素区c形成依次叠层的第一透明电极102和第二透明电极103，以使第一子像素区a出射蓝光，第二子像素区b出射绿光，第三子像素区c出射红光。
本实施例利用微腔效应以实现第一子像素区a出射蓝光，第二子像素区b出射绿光和第三子像素区c出射红光的技术效果。根据微腔效应的原理，只有微腔的腔长与可见光波长满足一定的条件，微腔效应才可以实现。一般的薄膜制备方法，例如磁控溅射法等，由于其不能精确调节所生长的薄膜的厚度，因而所形成的第一透明电极102和第二透明电极103，其厚度也不能满足精确调节微腔光学腔长的需求。而原子层沉积法是一种可以将物质以单原子膜形式一层一层地镀在衬底表面的方法，可以在单层原子的层面上实现对薄膜厚度的精确控制，制备出的透明电极材料，其厚度很容易满足实现微腔效应的需要。因此，本发明实施例采用原子层沉积法制备第一透明电极102和第二透明电极103，可以对光学调节层的厚度的进行精确调节。
需要说明的是，虽然本发明实施例的流程图将各步骤描述成顺序的处理，但是其中的许多步骤可以根据需要调整其执行的顺序。
本发明实施例提供的制备oled发光结构的方法，通过采用原子层沉积法，可以在单分子层级别控制第一透明电极和第二透明电极(光学调节层)的光学厚度，实现了对光学调节层的厚度的精确调节，形成oled发光结构的光学调节层，避免光学调节层结晶，使得光学调节层的薄膜生长均匀，可精确控制光学调节层的厚度，提高出射光的色纯度。
可选地，在采用原子层沉积法，在反射电极101远离衬底100一侧的第二子像素区b形成第一透明电极102，以及在反射电极101远离衬底100一侧的第三子像素区c形成依次叠层的第一透明电极102和第二透明电极103之后，还包括：
在第一子像素区a的反射电极101、第二子像素区b的第一透明电极102以及第三子像素区c的第二透明电极103远离衬底100的一侧，形成发光层。
示例性地，发光层可以为有机发光层或无机发光层；第一子像素区a、第二子像素区b、第三子像素区c的发光层可填充对应颜色的发光材料，以使oled发光结构中的不同子像素区直接发出对应颜色的光，再通过微腔效应，进一步滤除可能存在的杂光，进一步提高出射光的色纯度。另外，还可以在第一子像素区a的反射电极101、第二子像素区b的第一透明电极102以及第三子像素区c的第二透明电极103远离衬底100的一侧，形成白光发光层，此时，通过微腔效应，可使第一子像素区a出射蓝光，第二子像素区b出射绿光，第三子像素区c出射红光。
本实施例中，第一透明电极102和第二透明电极103可以为azo、izo、imo、ito、gzo、tin、mon和wn等材料中的至少一种材料形成的单层薄膜或多层叠层结构。其中，多层叠层结构可以包括上述同一种材料，或多层叠层结构的不同层对应不同材料。
可选的，图3为本发明实施例提供的又一种oled发光结构的制备方法的流程示意图，图4-图7为图3的oled发光结构的制备方法中各流程对应的结构示意图。基于上述技术方案，本实施例将步骤采用原子层沉积法，在反射电极101远离衬底100一侧的第二子像素区b形成第一透明电极101，以及在反射电极101远离衬底100一侧的第三子像素区c形成依次叠层的第一透明电极102和第二透明电极103优化为：
步骤21，参见图4，提供衬底100。
步骤22、参见图4，在衬底100上形成反射电极101。
步骤23、参见图5，采用原子层沉积法，在反射电极101远离衬底100的一侧沉积第一透明电极层112。
示例性地，第一透明电极层112的材料为izo。具体地，步骤23可包括：
在沉积温度为200℃的条件下，将zno和in2o3按照10：1的循环比在原子层沉积系统中重复反应30次，在反射电极101远离衬底100的一侧形成izo薄膜。
可选的，在图案化第一透明电极层112之后，还包括：在250℃的环境温度下对izo薄膜进行退火处理。
退火处理可以进一步改善izo薄膜的物理结构，提高结晶性能，从而提高了izo薄膜的抗刻蚀特性，有利于避免izo薄膜层在后期图案化处理的过程中被刻蚀。
上述方案中，制备zno所采用的前驱体源为dez与h2o，制备zno包括：往腔体通入dez源气体，进行化学吸附，通入时间为0.4s，腔体压强为0.432毫托；真空抽离多余的dez源气体，抽离时间为8s；往腔体通入h2o源气体，进行化学吸附，通入时间为0.4s；利用真空抽离多余的h2o源气体，抽离时间为8s。
制备in2o3所采用的前驱体源为tmin与h2o，制备in2o3包括：往腔体通入tmin源气体，进行化学吸附，通入时间为0.4s，腔体压强为0.432毫托；真空抽离多余的tmin源气体，抽离时间为8s；往腔体通入h2o源气体，进行化学吸附，通入时间为0.2s；真空抽离多余的h2o源气体，抽离时间为8s。
由此制备的izo薄膜的厚度为60nm，电阻率为1.2×10-3ω·cm。需要说明的是，本发明实施例中的izo薄膜的厚度并不仅限于60nm，根据工艺参数的不同，izo薄膜的厚度可以为10nm～100nm。
原子层沉积法可以精确控制zno和in2o3在制备过程中的循环次比和重复反应的次数，控制循环比可以控制第一透明电极层112中两种元素的掺杂比例和浓度，控制重复反应的次数可以精确控制第一透明电极层112的厚度，从而实现第一透明电极层112电阻率和折射率的连续可调。
步骤24、参见图6，图案化第一透明电极层112，在第二子像素区b和第三子像素区c形成第一透明电极102。
其中，可选地，在形成第一透明电极102时，可以采用光刻工艺对第一透明导电层112进行图案化处理。
步骤25、参见图7，采用原子层沉积法，在反射电极以及第二子像素区和第三子像素区的第一透明电极远离衬底的一侧沉积第二透明电极层。
示例性地，第二透明电极层113的材料为azo。具体地，步骤25可包括：
在沉积温度为200℃的条件下，将zno和al2o3的按照19：1的循环比在原子层沉积系统中重复反应12次，在反射电极101以及第二子像素区b和第三子像素区c的第一透明电极101远离衬底100的一侧形成azo薄膜。
制备zno所采用的前驱体源为dez与h2o，制备zno包括：往腔体通入dez源气体，进行化学吸附，通入时间为0.25s，腔体压强为0.432毫托；真空抽离多余的dez源气体，抽离时间为10s；往腔体通入h2o源气体，进行化学吸附，通入时间为0.42s；真空抽离多余的h2o源气体，抽离时间为10s。
制备al2o3所采用的前驱体源为tma与h2o，制备al2o3包括：往腔体通入tma源气体，进行化学吸附，通入时间为0.2s，腔体压强为0.432毫托；真空抽离多余的tma源气体，抽离时间为10s；往腔体通入h2o源气体，进行化学吸附，通入时间为0.2s；真空抽离多余的h2o源气体，抽离时间为10s。
由此制备的azo薄膜的厚度为60nm，电阻率为1.1×10-3ω·cm。可选地，azo薄膜的厚度还可以为10nm～100nm。需要说明的是，本发明实施例中的azo薄膜的厚度并不仅限于60nm，根据工艺参数的不同，azo薄膜的厚度可以为10nm～100nm。
步骤26、参见图1，图案化第二透明电极层，在第三子像素区形成第二透明电极。
其中，可选地，在形成第二透明电极103时，可以使用稀释盐酸对第二透明电极层113进行图案化处理，同时能够避免第一透明电极102和反射电极101不被损伤。
图8为本发明实施例提供的又一种oled发光结构的制备方法的流程示意图，图9-图13为图8的oled发光结构的制备方法中各流程对应的结构示意图。可选地，还可以将在反射电极101远离衬底100一侧的第二子像素区b形成第一透明电极102，以及在反射电极101远离衬底100一侧的第三子像素区c形成依次叠层的第一透明电极102和第二透明电极103优化为：
步骤31，参考图9，提供衬底100。
步骤32，参考图9，在衬底上形成反射电极层211。
其中，形成反射电极层211的过程可以采用图4中形成反射电极层的方法，也可以采用其他方法，此处不作限定。
步骤33，参考图10，采用原子层沉积法，在反射电极层211远离衬底100的一侧沉积第一透明电极层212。
示例性地，第一透明电极层212的材料为gzo。具体地，步骤33可包括：
在沉积温度为80℃的条件下，将zno和ga2o3按照5：1的循环比在原子层沉积系统中重复反应40次，在反射电极211远离衬底100的一侧形成gzo薄膜。
制备zno所采用的前驱体源为dez与o2等离子，制备zno包括：往腔体通入dez源气体，进行化学吸附，通入时间为0.25s，腔体压强为0.432毫托；真空抽离多余的dez源气体，抽离时间为10s；往腔体通入o2等离子源气体，o2等离子功率为160w，进行化学吸附，通入时间为5s；真空抽离多余的o2等离子源气体，抽离时间为6s。
制备ga2o3所采用的前驱体源为tmga与o2等离子，制备ga2o3包括：往腔体通入tmga源气体，进行化学吸附，通入时间为0.3s，腔体压强为0.432毫托；真空抽离多余的tmga源气体，抽离时间为10s；往腔体通入o2等离子源气体，o2等离子功率为200w，进行化学吸附，通入时间为5s；真空抽离多余的o2等离子源气体，抽离时间为7s。
由此制备的gzo薄膜的厚度为60nm，电阻率为1.6×10-3ω·cm。可选地，gzo薄膜的厚度还可以为10nm～100nm。需要说明的是，本发明实施例中的gzo薄膜的厚度并不仅限于60nm，根据工艺参数的不同，gzo薄膜的厚度可以为10nm～100nm。
步骤34，参考图11，采用原子层沉积法，在第一透明电极层212远离衬底100的一侧沉积第二透明电极层213。
示例性地，第二透明电极层213的材料为gzo。具体地，步骤34可包括：
在沉积温度为80℃的条件下，将zno和mgo按照7：3的循环比在原子层沉积系统中重复反应35次，在第一透明电极层212远离衬底100的一侧形成zmo薄膜。
制备zno所采用的前驱体源为dez与o2等离子，制备zno包括：往腔体通入dez源气体，进行化学吸附，通入时间为0.25s，腔体压强为0.432毫托；真空抽离多余的dez源气体，抽离时间为10s；往腔体通入o2等离子源气体，o2等离子功率为160w，进行化学吸附，通入时间为5s；真空抽离多余的o2等离子源气体，抽离时间为6s。
制备mgo所采用的前驱体源为mg(mecp)2与o2等离子，制备mgo包括：往腔体通入mg(mecp)2源气体，进行化学吸附，通入时间为0.5s，腔体压强为0.432毫托；真空抽离多余的mg(mecp)2源气体，抽离时间为10s；往腔体通入o2等离子源气体，o2等离子功率为180w，进行化学吸附，通入时间为5s。
由此制备的zmo薄膜的厚度为60nm，电阻率为1.8×10-3ω·cm。可选地，zmo薄膜的厚度还可以为10nm～100nm。需要说明的是，本发明实施例中的zmo薄膜的厚度并不仅限于60nm，根据工艺参数的不同，zmo薄膜的厚度可以为10nm～100nm。
步骤35，参考图12，刻蚀掉除第三子像素区c之外的第二透明电极层213，在第三子像素区c形成第二透明电极103。
其中，可选地，在第三子像素区c形成第二透明电极103时，可以使用稀甲酸刻蚀掉除第三子像素区c之外的第二透明电极层203，形成如图12所示的结构。
步骤36，参考图13，刻蚀掉除第二子像素区b和第三子像素区c之外的第一透明电极层212，在第二子像素区b和第三子像素区c形成第一透明电极102。
其中，可选地，在第二子像素区b和第三子像素区c形成第一透明电极102时，可以使用稀释的koh溶液刻蚀除第二子像素区b和第三子像素区c之外的第一透明电极层212，形成如图13所示的结构。
步骤37，参考图1，刻蚀掉除第一子像素区、第二子像素区b和第三子像素区c之外的反射电极层211，在第一子像素区a、第二子像素区b和第三子像素区c形成反射电极101。
其中，可选地，在刻蚀反射电极层211时，如果反射电极层211为钼，则可以使用h3po4、hno3和冰醋酸的混合酸刻蚀反射电极层211；或者，还可以选用sf6作为刻蚀气体，对反射电极层211进行干法刻蚀，形成如图13所示的反射电极101。或者，还可以通过光刻工艺得到反射电极101。
可选地，上述实施例中，第一透明电极102与反射电极101的刻蚀选择比大于10，第二透明电极103与第一透明电极102的刻蚀选择比大于10。由此，在刻蚀第一透明电极102时，可防止反射电极101过刻，在刻蚀第二透明电极103时，可防止第一透明电极102过刻。
第一透明电极102和第二透明电极103对可见光的折射率为1.3～3.0。在本发明实施例中，折射率主要受到电极的组分材料和各组分之间浓度关系的影响，电极的厚度对折射率也有一定的影响，通过调节第一透明电极22和第二透明电极23的组分，可以调节这两个透明电极在可见光范围内的折射率。
可选地，第一透明电极102的材料还可以为tin。此时，形成第一透明电极102的过程可具体包括：
在沉积温度为150～180℃的条件下，采用等离子增强的原子层沉积技术，对tin进行550次循环沉积，形成tin薄膜。
制备tin所采用的前驱体源为四二甲氨基钛(tdmati)与nh3，。制备tin包括：往腔体tdmati源气体，进行化学吸附，通入时间为0.3s，，腔体压强为0.432毫托；真空抽离多余的tdmati源气体，抽离时间为20s；往腔体nh3等离子源气体，nh3等离子体功率为100w，进行化学吸附，通入时间为8s；真空抽离多余的nh3等离子源气体，抽离时间为5s。
由此制备的tin薄膜的厚度为60nm，电阻率为8×10-4ω.cm。可选地，tin薄膜的厚度还可以为10nm～100nm。需要说明的是，本发明实施例中的tin薄膜的厚度并不仅限于60nm，根据工艺参数的不同，tin薄膜的厚度可以为10nm～100nm。
本发明实施例还提供一种oled发光结构，该oled发光结构采用本发明实施例中所提供的oled发光结构的制备方法制备，具体结构的描述可参考上述实施例以及图1，此处不再赘述。
本发明实施例提供的制备oled发光结构，通过采用原子层沉积法，可以在单分子层级别调节第一透明电极和第二透明电极(光学调节层)的光学厚度，实现了对光学调节层的厚度的精确控制，透明电极在大尺寸上实现了极佳的均匀性，能够用于生产大尺寸的全彩色显示屏。并且，原子层沉积法还可以对制备的透明电极的组分和厚度进行精确调节，使得两种透明电极的厚度和折射率等都具有连续可调性。
注意，上述仅为本发明的较佳实施例及所运用技术原理。本领域技术人员会理解，本发明不限于这里所述的特定实施例，对本领域技术人员来说能够进行各种明显的变化、重新调整和替代而不会脱离本发明的保护范围。因此，虽然通过以上实施例对本发明进行了较为详细的说明，但是本发明不仅仅限于以上实施例，在不脱离本发明构思的情况下，还可以包括更多其他等效实施例，而本发明的范围由所附的权利要求范围决定。