一种铝电解电容的制作方法

文档序号:14725535发布日期:2018-06-19 06:33阅读:247来源:国知局

本发明涉及一种铝电解电容,属于铝电解电容器技术领域。



背景技术:

传统的铝电解电容的生产,是使用刺孔压铆的方式。如图1和图2所示,将正负极导针1的导针铝舌11分别与正负极铝箔2连接固定,然后卷绕成圆筒形状,再装配胶塞和铝壳,并经过封口成为成品。其中,经过刺孔和压铆后,会在导针铝舌11的另一面形成铆接刺孔3和铆接花瓣4。

这种制造方法能够适用于大多数的铝电解电容,但是对于宽度比较窄的情况,比如铝箔宽度在5mm及以下的情况或者正极箔比容高、耐压高的情况下,刺孔和压铆本身将会造成铝箔的裂纹、开裂、甚至严重者还会断开的不良现象,产品的良品率低下,而且存在风险和隐患。



技术实现要素:

本发明要解决的技术问题是:如何避免铝电解电容生产过程中,因刺孔和压铆造成的箔裂不良问题,减少产品的隐患,提高产品的可靠性和成品率。

为了解决上述技术问题,本发明的技术方案是提供一种铝电解电容,包括正负极导针和正负极铝箔,其特征在于:所述正负极导针的导针铝舌分别与正负极铝箔通过焊接的方式连接和固定,然后将正负极铝箔卷绕成圆筒形状,再在圆筒形状外部装配胶塞和铝壳,并经过封口、老化形成铝电解电容。

优选地,所述正负极导针的导针铝舌和正负极铝箔的连接方式包括但不限于点焊熔接、激光焊接。

优选地,所述正负极导针的导针铝舌分别与正负极铝箔焊接后,在所述正负极导针的导针铝舌的另一面形成焊接点。

更优选地,所述焊接点为一个或一个以上。

更优选地,所述焊接点的形状包括但不限于为圆形、菱形或梅花型或者其它任何不规则形状。

更优选地,所述焊接点的直径或边长为所述正负极导针的导针铝舌宽度的1/2。

相比现有技术,本发明提供的铝电解电容具有如下有益效果:

1、使用导针与铝箔焊接方式生产铝电解电容,避免了传统方式因刺孔和压铆造成的箔裂不良问题,因而提高了产品的可靠性,减少了产品的隐患,提高了产品的成品率;

2、因为通过焊接的方式进行连接和固定,因此产品的铆接阻抗有明显的降低,与传统的刺孔压铆方式相比,其连接阻抗从0.8毫欧降低到0.2毫欧以下,因此本发明可以有效降低成品阻抗。当电流通过连接处时,其发热大为减少,因而产品的寿命也得到延长;

3、因为不需要在导针铝舌背面开花以防导针脱落,因此导针与铝箔连接处的整体尺寸将减少一个开花的厚度,如此将相当于正极铝箔能够多卷绕一圈,相同的外形尺寸其产品容量能够提升约5%~10%,从而有助于实现产品的小型化。

附图说明

图1为传统的使用刺孔压铆方式的铝电解电容后视图;

图2为传统的使用刺孔压铆方式的铝电解电容侧视图;

图3为本实施例提供的铝电解电容后视图;

图4为本实施例提供的铝电解电容侧视图。

具体实施方式

下面结合具体实施例,进一步阐述本发明。

图3图4分别实施例提供的铝电解电容后视图和侧视图,所述的铝电解电容是使用焊接的方式将正负极导针1的导针铝舌11分别与正负极铝箔2连接和固定,然后卷绕成圆筒形状,再装配胶塞和铝壳,并经过封口、老化成为成品。其中,经过焊接后,仅在导针铝舌11的另一面形成焊接点5。

本实施例中,导针铝舌11和正负极铝箔2的焊接方式包括但不限于点焊熔接、激光焊接等方式。

焊接点5可以为一个或一个以上。焊接点的排列方式和位置可以在导针铝舌11的任意位置。

焊接点5的形状可以为圆形,也可以为菱形、梅花型等其它形状或者其它不规则形状。

焊接点5的直径或边长可以是导针铝舌ll宽度的1/2,也可以是其它尺寸。

使用上述方式生产的铝电解电容,避免了传统方式因刺孔和压铆造成的箔裂不良问题,因而提高了产品的可靠性,减少了产品的隐患,提高了产品的成品率。

另外,因为通过焊接的方式进行连接和固定,因此产品的铆接阻抗有明显的降低,与传统的刺孔压铆方式相比,其连接阻抗从0.8毫欧降低到0.2毫欧以下,因此导针和铝箔焊接的方式可以有效降低成品阻抗,当电流通过连接处时,其发热大为减少,因而产品的寿命也有受益。

最后,因为不需要在导针铝舌背面开花以防导针脱落,因此铆接处的整体尺寸将减少一个开花的厚度,如此将相当于正极铝箔能够多卷绕一圈,相同的外形尺寸其产品容量能够提升约5%~10%(产品直径不同而不同),从而对于产品的小型化也是很有帮助的。

以上所述,仅为本发明的较佳实施例,并非对本发明任何形式上和实质上的限制,应当指出,对于本技术领域的普通技术人员,在不脱离本发明方法的前提下,还将可以做出若干改进和补充,这些改进和补充也应视为本发明的保护范围。凡熟悉本专业的技术人员,在不脱离本发明的精神和范围的情况下,当可利用以上所揭示的技术内容而做出的些许更动、修饰与演变的等同变化,均为本发明的等效实施例;同时,凡依据本发明的实质技术对上述实施例所作的任何等同变化的更动、修饰与演变,均仍属于本发明的技术方案的范围内。

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