技术特征：
技术总结
本发明提供了一种基片表面处理工艺方法及芯片电容、薄膜电阻制作工艺方法，涉及电子元件制造领域。该基片表面处理工艺方法通过在预设定第一温度下，采用单片烧结的方式对陶瓷生胚进行烧结形成陶瓷基片；对烧结后的陶瓷基片进行喷砂处理，采用单片烧结的方式，在烧结的过程中，无需加入隔粘粉，从而减少了陶瓷基片的表面粗糙度、以及提升了陶瓷基片的表面平整度，有效地去除了陶瓷基片表面的凸脊、瓷疱、毛刺、针孔以及斑点，并且通过对烧结后的陶瓷基片进行喷砂处理，更进一步地去除了陶瓷基片表面的凸脊、瓷疱、毛刺、针孔、斑点和划痕，由于外观质量合格率的提升，在生产大量的陶瓷基片时，大大减少了陶瓷基片、芯片电容以及薄膜电阻的生产成本。
技术研发人员：何创创;韩玉成;郭海明;应建;居奎;班秀峰
受保护的技术使用者：中国振华集团云科电子有限公司
技术研发日：2017.12.04
技术公布日：2018.03.23