技术特征：
技术总结
本公开涉及一种用于形成图像传感器的方法，包括：形成第一光电二极管；在所述第一光电二极管之上形成第二光电二极管；以及在所述第二光电二极管之上形成第三光电二极管，其中，通过在一个导电类型的半导体材料层上形成另一导电类型的半导体材料层来形成所述第一、第二和第三光电二极管中的一个或多个。本公开还涉及一种图像传感器。本公开能够避免离子注入对半导体材料的损伤。
技术研发人员：吴明;吴孝哲;林宗贤;吴龙江;薛超;朱晓彤
受保护的技术使用者：德淮半导体有限公司
技术研发日：2017.12.11
技术公布日：2018.05.18