技术特征：
技术总结
一种多开态MOS辅助触发SCR的高压ESD保护方案，可用于片上高压IC的ESD防护。以一种三开态PMOS和NMOS辅助触发SCR的高压ESD保护器件为实施例：主要由P衬底、第一N阱、第一P阱、第一N+注入区、第一P+注入区、第二N+注入区、第二P+注入区、第三N+注入区、第四N+注入区、第三P+注入区、第四P+注入区、第五N+注入区、第六N+注入区、第五P+注入区、第六P+注入区、第七N+注入区、第八N+注入区、第七P+注入区、第八P+注入区、多个嵌入的N阱、P阱和多晶硅栅构成。因嵌入SCR结构中的开态PMOS和NMOS管数目可调，一方面可形成多开态MOS辅助触发SCR的ESD电流泄放路径，另一方面还可实现高压ESD保护器件的触发电压可调性，强电压钳制能力和ESD鲁棒性。
技术研发人员：梁海莲;彭宏伟;顾晓峰
受保护的技术使用者：江南大学
技术研发日：2017.12.15
技术公布日：2018.05.18