本发明涉及一种转置头及转置装置，且特别涉及一种用于转置微型发光二极管的转置头及转置装置。
背景技术：
转置微型发光二极管技术已使用在新兴电子装置的工艺中。以发光装置的工艺为例，发光装置的工艺包括下列步骤：提供具有多个转置凸块的弹性转置头；提供一个发光阵列，所述发光阵列包括多个目标发光元件；使弹性转置头的转置凸块与目标发光元件接触，进而提取所欲的多个目标发光元件；利用弹性转置头将目标发光元件转置到接收基板上；在载有多个发光元件的接收基板上制作其他结构，进而完成发光装置。然而，当扩大转置工艺的规模时，目前使用具有多个转置凸块的弹性转置头进行转置的方法将面临工艺良率不高、精度不高且量产不易的问题。
技术实现要素：
本发明提供一种转置头及转置装置，其应用于巨量转置工艺时可达成良好工艺良率及操作精度。
本发明的转置头包括基板、第一电极、第二电极、驱动电路及弹性体。基板具有一顶表面。第一电极配置于基板上。第二电极配置于基板上且与第一电极结构上分离。驱动电路配置于基板上且电性连接于第一电极及第二电极。弹性体配置于基板上且覆盖第一电极及第二电极，其中第一电极与第二电极中的至少一者具有一最顶点，最顶点与基板的顶表面之间的距离为A，弹性体具有一转置面，转置面与基板的顶表面之间的距离为B，且A/B≥0.1。
本发明的转置装置包括如上所述的转置头以及承载器。承载器用以承载转置头并与转置头电性连接。
基于上述，在本发明所提出的转置头及转置装置中，通过具有转置面的弹性体覆盖第一电极及第二电极，其中第二电极与第一电极结构上分离，第一电极与第二电极中的至少一者所具有的最顶点与基板的顶表面之间的距离A和转置面与基板的顶表面之间的距离B满足以下关系式：1＞A/B≥0.1，使得本发明的转置头及转置装置可在转置面无设置任何图案化结构的情况下，以低的操作电压来驱动而于第一电极及第二电极间产生均匀分布的横向电场。如此一来，通过所述横向电场的作用使转置面发生形变，不但使得本发明的转置头及转置装置能有效达成转置功能，还提升本发明的转置头及转置装置的应用性、便利性与产品竞争性，并且与具有多个转置凸块的现有转置装置相比，本发明的转置头及转置装置可在应用于巨量转置工艺时达成良好工艺良率及操作精度。
以下结合附图和具体实施例对本发明进行详细描述，但不作为对本发明的限定。
附图说明
图1是依照本发明的一实施方式的转置头的剖视示意图；
图2是图1的转置头的俯视示意图；
图3A、图3B、图3C及图3D分别是电极的变化实施方式的俯视示意图；
图4A、图4B及图4C分别是电极结构的变化实施方式的剖视示意图；
图5A及图5B分别是电极结构的变化实施方式的剖视示意图；
图6A及图6B分别是驱动电路的变化实施方式的俯视示意图；
图7是图1的转置头的操作电压对电极结构的电极结构顶表面的面积与电极结构底表面的面积的比值的模拟关系图；
图8是图1的转置头的操作电压对距离A与距离B的比值的模拟关系图；
图9是图1的转置头的穿透率对距离A与距离B的比值的模拟关系图；
图10A至图10C是利用图1的转置头转置微型发光二极管的方法的剖视示意图；
图11是依照本发明的一实施方式的转置装置的剖视示意图；
图12是依照本发明的另一实施方式的转置头的俯视示意图；
图13是依照本发明的另一实施方式的转置头的剖视示意图；
图14是图13的转置头的俯视示意图；
图15是利用图13的转置头转置微型发光二极管的方法的一阶段的剖视示意图。
其中，附图标记
10、30、40：转置头
100：基板
110：第一电极
120：第二电极
130、410：驱动电路
140：弹性体
140a：转置面
200：转置装置
210：承载器
A、B：距离
C1、C2：接点
CL：共通线
DL：数据线
E1：第一电极结构
E2：第二电极结构
E1a、E2a：电极结构顶表面
E1b、E2b：电极结构底表面
M1、M2：微型发光二极管
P1：第一凸块
P2：第二凸块
S1：承载基板
S2：接收基板
SL：扫描线
T：晶体管
V1：第一电压
V2：第二电压
X：横向电场
具体实施方式
下面结合附图对本发明的结构原理和工作原理作具体的描述：
图1是依照本发明的一实施方式的转置头的剖视示意图。图2是图1的转置头的俯视示意图。图1的剖视位置可对应于图2的剖视线I-I’的位置。
请同时参照图1及图2，本实施方式的转置头10包括基板100、第一电极 110、第二电极120、驱动电路130及弹性体140。另外，在本实施方式中，转置头10可更包括第一凸块P1及第二凸块P2。在本实施方式中，转置头10可用以转置微型发光二极管以制造显示装置。值得注意的是，为了清楚绘示第一电极110、第二电极120与驱动电路130之间的配置关系，图2省略绘示了弹性体140。
基板100用以承载第一电极110、第二电极120、驱动电路130及弹性体 140。在本实施方式中，基板100的材质例如可为玻璃、石英或有机聚合物。
第一电极110及第二电极120配置于基板100上。在本实施方式中，第一电极110及第二电极120结构上彼此分离。在本实施方式中，第一电极110 用以配置第一电压V1，第二电极120用以配置第二电压V2，且第一电压V1 与第二电压V2之间具有电压差。也就是说，第一电极110与第二电极120电性连接于不相同的电压源。在一实施方式中，第一电压V1大于第二电压V2。进一步而言，由于第一电压V1与第二电压V2之间具有电压差，当第一电极 110被施加第一电压V1而第二电极120被施加第二电压V2时，第一电极110 与第二电极120之间会形成横向电场。
另外，如图2所示，第一电极110及第二电极120的形状为直条状，但本发明并不限于此。在其他实施方式中，为了符合显示装置的影像品质的需求，第一电极110及第二电极120的形状也可以是斜条状(如图3A所示)、锯齿状(如图3B所示)、梯状(如图3C所示)或波浪条状(如图3D所示)。
在本实施方式中，第一凸块P1及第二凸块P2配置于基板100上，且第一凸块P1与第二凸块P2彼此分离。详细而言，在本实施方式中，第一凸块P1 及第二凸块P2分别与第一电极110及第二电极120对应设置。更详细而言，在本实施方式中，第一电极110覆盖第一凸块P1的顶表面及侧表面，且第二电极120覆盖第二凸块P2的顶表面及侧表面。
从另一观点而言，在本实施方式中，第一电极110与第一凸块P1构成第一电极结构E1，第二电极120与第二凸块P2构成第二电极结构E2，其中第一电极结构E1具有彼此相对的电极结构顶表面E1a及电极结构底表面E1b，第二电极结构E2具有彼此相对的电极结构顶表面E2a及电极结构底表面E2b。
在本实施方式中，第一凸块P1及第二凸块P2的材质例如是绝缘材料，所述绝缘材料例如包括无机材料、有机材料、上述的组合或其堆叠层，其中无机材料例如是(但不限于)：氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、上述的组合或其他合适的材料，有机材料例如是(但不限于)：聚酯类(PET)、聚烯类、聚丙酰类、聚碳酸酯类、聚环氧烷类、聚苯烯类、聚醚类、聚酮类、聚醇类、聚醛类、上述的组合或其他合适的材料。
另外，虽然图1绘示第一电极110覆盖第一凸块P1的顶表面及侧表面，且第二电极120覆盖第二凸块P2的顶表面及侧表面，但本发明并不限于此。在一实施方式中，第一电极110及第二电极120分别也可以仅覆盖第一凸块 P1的顶表面及第二凸块P2的顶表面。在另一实施方式中，第一电极110也可以覆盖第一凸块P1的顶表面及部分的侧表面，且第二电极120也可以覆盖第二凸块P2的顶表面及部分的侧表面。
另外，虽然图1绘示第一凸块P1及第二凸块P2的剖视轮廓外型为矩形，但本发明并不限于此。在其他实施方式中，第一凸块P1及第二凸块P2的剖视轮廓外型也可以是梯形(如图4A所示)、倒梯形(如图4B所示)、或双向梯形(如图4C所示)。
值得一提的是，在本实施方式中，第一电极结构E1的电极结构顶表面E1a 的面积与电极结构底表面E1b的面积的比值较佳大于0.6，且第二电极结构E2 的电极结构顶表面E2a的面积与电极结构底表面E2b的面积的比值较佳大于 0.6，藉此当利用转置头10来转置微型发光二极管时，转置头10能够以较低的操作电压来驱动。从另一观点而言，在本实施方式中，第一凸块P1及第二凸块P2的轮廓外型较佳呈平台状结构，例如矩形(如图1所示)、梯形(如图4A所示)、倒梯形(如图4B所示)或双向梯形(如图4C所示)。然而，本发明并不以此为限。在其他实施方式中，第一凸块P1及第二凸块P2的轮廓外型可以是不呈平台状结构，亦即第一电极结构E1及第二电极结构E2可不具电极结构顶表面E1a及电极结构顶表面E2a。举例而言，在一实施方式中，第一凸块P1及第二凸块P2的剖视轮廓外型可以是三角形(如图5A所示)或圆弧形(如图5B所示)。
以下，藉由图7来说明，调整电极结构顶表面E1a的面积与电极结构底表面E1b的面积的比值以及电极结构顶表面E2a的面积与电极结构底表面E2b 的面积的比值可降低转置头10的操作电压。
图7是图1的转置头的操作电压对电极结构的电极结构顶表面的面积与电极结构底表面的面积的比值的模拟关系图。值得一提的是，在对转置头10进行操作电压的模拟测量中，必须额外于弹性体140中设置液晶分子以通过液晶分子因受横向电场影响所产生的表现来量化横向电场的方向及大小，才能够获得模拟测试结果。
由图7可知，随着电极结构顶表面E1a的面积与电极结构底表面E1b的面积的比值以及电极结构顶表面E2a的面积与电极结构底表面E2b的面积的比值自0.2调整至1，转置头10的操作电压逐渐降低。当在电极结构顶表面 E1a的面积与电极结构底表面E1b的面积的比值以及电极结构顶表面E2a的面积与电极结构底表面E2b的面积的比值为0.6时，转置头10的操作电压降低至约17V，且当在电极结构顶表面E1a的面积与电极结构底表面E1b的面积的比值以及电极结构顶表面E2a的面积与电极结构底表面E2b的面积的比值为1时，转置头10的操作电压更是降低到约12.5V。此结果证实，本发明的转置头10确实可藉由调整电极结构顶表面E1a的面积与电极结构底表面E1b 的面积的比值或电极结构顶表面E2a的面积与电极结构底表面E2b的面积的比值来降低转置头10的操作电压，藉以提升转置头10的应用性、便利性与产品竞争性。
驱动电路130配置于基板100上，且驱动电路130电性连接于第一电极 110及第二电极120，以将外部信号(例如第一电压V1、第二电压V2)电性连接于第一电极110及第二电极120。在本实施方式中，驱动电路130例如是被动元件阵列层，其可以是任何所属领域中具有通常知识者所周知的用于显示装置中的任一种被动元件阵列层。举例而言，在一实施方式中，驱动电路130 可包括与第一电极110连接的信号线、与第二电极120连接的信号线、以及连接前述信号线及外部电路的接点。也就是说，在本实施方式中，驱动电路130 为被动式驱动电路。
另外，为了符合显示装置的影像品质的需求，驱动电路130的布局并不以图2中所绘者为限。在其他实施方式中，驱动电路130的布局也可以如图6A 或图6B所示。
值得一提的是，在本实施方式中，由于驱动电路130可以是任何所属领域中具有通常知识者所周知的用于显示装置中的任一种被动元件阵列层，且第一电极110及第二电极120实质上设置于同一平面上，故转置头10具有类似于共平面转换(In-Plane Switching，IPS)的设计，藉此使得转置头10的制作能与现有显示装置的工艺相容。
再请同时参照图1，弹性体140配置于基板100上且覆盖第一电极110及第二电极120。在本实施方式中，弹性体140具有转置面140a。详细而言，当转置头10未进行转置操作时，整个转置面140a实质上为单一且连续的平面。也就是说，在本实施方式中，转置面140a不具有任何图案化结构。
在本实施方式中，弹性体140的材质例如是(但不限于)：聚二甲基硅氧烷(poly dimethyl siloxane，PDMS)、橡胶(rubber)、或环氧树脂((epoxy Resin)。值得一提的是，在本实施方式中，弹性体140能够用于黏接微型发光二极管，以于转置微型发光二极管的操作过程中提取微型发光二极管。
另外，在本实施方式中，第一电极110及第二电极120具有最顶点T。详细而言，由于第一凸块P1及第二凸块P2的轮廓外型呈平台状结构，故覆盖第一凸块P1的顶表面的第一电极110的表面中的任一点皆为最顶点T，且覆盖第二凸块P2的顶表面的第二电极120的表面中的任一点皆为最顶点T。在本实施方式中，所述最顶点T与基板100的顶表面S之间的距离A和转置面140a 与基板100的顶表面S之间的距离B满足以下关系式：1＞A/B≥0.1，藉此当利用转置头10来转置微型发光二极管时，通过施加第一电压V1及第二电压 V2于第一电极110及第二电极120而在两者间产生的横向电场能够均匀分布在弹性体140中，使得弹性体140受到所述横向电场的作用而造成对应的转置面140a呈现凹凸不平状。如此一来，黏接于转置面140a上的微型发光二极管会因转置面140a发生形变而自弹性体140脱离，因而达成转置功能。
以下，藉由图8及图9来说明，当采用转置头10来进行转置工艺时，转置头10能够以低的操作电压驱动并获得均匀分布于弹性体140中的横向电场，因而有效达成转置功能。
图8是图1的转置头的操作电压对距离A与距离B的比值的模拟关系图。值得一提的是，在对转置头10进行操作电压的模拟测量中，必须额外于弹性体140中设置液晶分子以通过液晶分子因受横向电场影响所产生的表现来量化横向电场的方向及大小，才能够获得模拟测试结果。
由图8可知，当距离A与距离B的比值为0.1时，转置头10的操作电压降低至约40V，且当距离A与距离B的比值为0.2至0.7时，转置头10的操作电压更是降低到约10V至20V。此结果证实，本发明的转置头10确实可藉由调整距离A与距离B的比值满足以下关系式：1＞A/B≥0.1来降低转置头 10的操作电压。
图9是图1的转置头的穿透率对距离A与距离B的比值的模拟关系图。同样地，在对转置头10进行穿透率的模拟测量中，必须额外于弹性体140中设置液晶分子以通过液晶分子因受横向电场影响所产生的表现来量化横向电场的方向及大小，才能够获得模拟测试结果。
由图9可知，当距离A与距离B的比值为0.1时，转置头10的穿透率可达约85％，且当距离A与距离B的比值为0.2至0.7时，转置头10的穿透率更是提高到约94％至98％。此结果证实，通过距离A与距离B的比值满足以下关系式：1＞A/B≥0.1，转置头10能够以低的操作电压驱动并获得良好的穿透率。也就是说，以低的操作电压来驱动转置头10即能于第一电极110及第二电极120间产生均匀分布的横向电场，藉此不但能有效达成转置功能，还提升转置头10的应用性、便利性与产品竞争性。
有鉴于此，在本实施方式中，转置面140a无须设置任何图案化结构即可达成转置功能。如此一来，与具有多个转置凸块的现有转置装置相比，本实施方式的转置头10可在应用于巨量转置工艺时达成良好工艺良率及操作精度。进一步，在本实施方式中，通过调整距离A与距离B的比值，转置头10能够在低的操作电压驱动下即获得均匀分布于弹性体140中的横向电场，因而提升转置头10的应用性、便利性与产品竞争性。
另外，虽然图1绘示第一电极110及第二电极120皆具有最顶点，但本发明并不限于此。在其他实施方式中，第一电极110及第二电极120中也可以只有一者具有最顶点。
基于前述可知，通过施加第一电压V1及第二电压V2于第一电极110及第二电极120且距离A与距离B的比值满足以下关系式：1＞A/B≥0.1，转置头10可有效达成转置微型发光二极管的功能。以下，将参照图10A至图10C 详细说明利用转置头10来转置微型发光二极管的一种实施型态。
图10A至图10C是利用图1的转置头转置微型发光二极管的方法的剖视示意图。
请参照图10A，使转置头10的弹性体140的转置面140a与配置于承载基板S1上的微型发光二极管M1、M2接触后，向上移动转置头10以使转置头 10提取(pick-up)微型发光二极管M1、M2。在此步骤中，微型发光二极管 M1及微型发光二极管M2的位置分别皆与相邻的第一电极110及第二电极120 相对应。承载基板S1例如是(但不限于)：蓝宝石基板(Sapphire base)或硅基板(Silicon base)。微型发光二极管M1、M2例如是覆晶式微型发光二极管、垂直式微型发光二极管或有机微型发光二极管。
接着，请参照图10B，使转置头10将微型发光二极管M1、M2置于接收基板S2上的后，施加第一电压V1及第二电压V2分别至第一电极110及第二电极120，以使第一电极110与第二电极120之间产生横向电场X。此时，对应于第一电极110及第二电极120的转置面140a因弹性体140受到横向电场 X的作用而呈现凹凸不平状，藉此使得微型发光二极管M1、M2自然地自弹性体140脱离。
接着，请参照图10C，使转置头10向上移动并停止对第一电极110及第二电极120施加电压，以完成转置微型发光二极管M1、M2。
在图10A至图10C的实施方式中，微型发光二极管M1及微型发光二极管M2分别皆与相邻的两个电极(即一个第一电极110与一个第二电极120) 相对应，但本发明并不限于此。在其他实施方式中，依据所欲转置的微型发光二极管的尺寸，一个微型发光二极管也可以与彼此相邻的多个第一电极110 与多个第二电极120相对应。
另外一提的是，虽然图9中未绘示，但任何所属技术领域中具有通常知识者应理解，在利用转置头10进行转置微型发光二极管时，转置头10会组装至转置装置的承载器上。以下，将参照图11针对转置装置进行说明。
图11是依照本发明的一实施方式的转置装置的剖视示意图。值得注意的是，为了清楚说明转置头10在转置装置200中的配置方式，图11中省略绘示了为弹性体140所覆盖的构件，例如第一电极110、第二电极120、驱动电路 130，而转置头10的详细结构及其相关描述请参照图1及图2的实施方式。
请参照图11，转置装置200包括用以承载转置头10且与转置头10电性连接的承载器210。详细而言，在转置头10中，基板100的边缘可突出于弹性体140的边缘，藉此在将转置头10与承载器210组装时，可避免承载器210 破坏弹性体140；或者在转置工艺中避免承载器210影响转置头10的转置效果。
在本实施方式中，转置头10包括接点C1，承载器210包括接点C2，且转置头10与承载器210是通过接点C1与接点C2接触而电性连接。也就是说，在实施方式中，驱动电路130包括接点C1。
另外，虽然图11绘示转置头10包括一个接点C1且承载器210包括一个接点C2，但本发明并不限于此。在其他实施方式中，转置装置200所设置的接点的数量及位置可根据实际上转置工艺的需要和条件等来调整。举例而言，在一实施方式中，转置头10的驱动电路130可包括两个以上的接点C1，而承载器210相应地也可以包括两个以上的接点C2。
在图1及图2的实施方式中，转置头10包括分别用以配置第一电压V1 及第二电压V2的第一电极110及第二电极120，但本发明并不限于此。在其他实施方式中，依据实际上转置工艺的需要和条件，转置头10也可以包括用以配置不同于第一电压V1及第二电压V2的第三电压的第三电极。
以下，将参照图12针对其他的实施型态进行说明。在此必须说明的是，下述实施方式沿用了前述实施方式的元件符号与部分内容，其中采用相同或相似的符号来表示相同或相似的元件，并且省略了相同技术内容的说明。关于省略部分的说明可参考前述实施方式，下述实施方式不再重复赘述。
图12是依照本发明的另一实施方式的转置头的俯视示意图。请同时参照图12及图2，图12的转置头30与图2的转置头10相似，因此以下将仅针对彼此之间的主要差异进行说明。
请参照图12，转置头30除了包括用以配置第一电压V1的第一电极110 及用以配置第二电压V2的第二电极120外，更包括第三电极310。在本实施方式中，第三电极310用以配置第三电压V3，其中第三电压V3与第二电压V2之间具有电压差，且第三电压V3不同于第一电压V1及第二电压V2。也就是说，第一电极110、第二电极120及第三电极310电性连接于不相同的电压源。在一实施方式中，第三电压V3大于第二电压V2，第一电压V1大于第二电压V2，且第三电压V3大于第一电压V1。进一步而言，由于第一电压 V1与第二电压V2之间具有电压差且第三电压V3与第二电压V2之间具有电压差，当第一电极110被施加第一电压V1、第二电极120被施加第二电压V2 且第三电极310被施加第三电压V3时，第一电极110与第二电极120之间会形成横向电场且第二电极120与第三电极310之间会形成横向电场。
另外，在本实施方式中，驱动电路130除了电性连接于第一电极110及第二电极120外，更电性连接于第三电极310，以将第三电压V3施加于第三电极310。
在前述转置头10、30中，驱动电路130为被动式驱动电路，但本发明并不限于此。在其他实施方式中，转置头中的驱动电路也可以是主动式驱动电路。
以下，将参照图13及图14针对其他的实施型态进行说明。在此必须说明的是，下述实施方式沿用了前述实施方式的元件符号与部分内容，其中采用相同或相似的符号来表示相同或相似的元件，并且省略了相同技术内容的说明。关于省略部分的说明可参考前述实施方式，下述实施方式不再重复赘述。
图13是依照本发明的另一实施方式的转置头的剖视示意图。图14是图 13的转置头的俯视示意图。图13的剖视位置可对应于图14的剖视线I-I’的位置。图13及图14的转置头40与上述图1及图2的转置头10相似，因此以下将仅针对彼此之间的主要差异进行说明。
请同时参照图13及图14，转置头40所包括的驱动电路410配置于基板 100上，且电性连接于第一电极110及第二电极120，以将外部信号(例如第一电压V1、第二电压V2)电性连接于第一电极110及第二电极120。
如图14所示，在本实施方式中，驱动电路410可包括扫描线SL、数据线 DL、共通线CL及晶体管T，其中晶体管T电性连接于扫描线SL、数据线DL 及第一电极110以作为开关元件，以及共通线CL电性连接于第二电极120以提供第二电压V2。也就是说，在本实施方式中，驱动电路410例如是主动元件阵列层，其可以是任何所属领域中具有通常知识者所周知的用于显示装置中的任一种主动元件阵列层。详细而言，在本实施方式中，晶体管T例如是顶部或底部栅极型薄膜晶体管，其可包括栅极、通道层、源极与漏极。另外，在本实施方式中，扫描线SL的延伸方向与数据线DL的延伸方向不相同，且扫描线SL与数据线DL可位于不相同的膜层。当然，驱动电路410并不以图12 中所绘者为限，任何所属领域中具有通常知识者应可理解，驱动电路410还可更包括电容器、连接垫、信号线及绝缘层等构件。从另一观点而言，在本实施方式中，驱动电路410是主动式驱动电路。
另外，由于驱动电路410可以是任何所属领域中具有通常知识者所周知的用于显示装置中的任一种主动元件阵列层，且第一电极110及第二电极120 实质上设置于同一平面上，故转置头40具有类似于共平面转换(In-Plane Switching，IPS)的设计，藉此使得转置头40的制作能与现有显示装置的工艺相容。
值得说明的是，基于图1及图2的实施方式可知，由于转置面140a无须设置任何图案化结构，因此与具有多个转置凸块的现有转置装置相比，本实施方式的转置头40可在应用于巨量转置工艺时达成良好工艺良率及操作精度。
进一步，基于图1及图2的实施方式可知，通过第一电极110及第二电极 120的最顶点T与基板100的顶表面S之间的距离A和转置面140a与基板100 的顶表面S之间的距离B满足以下关系式：1＞A/B≥0.1，当利用转置头40 来转置微型发光二极管时，转置头40能够在低的操作电压驱动下即在第一电极110及第二电极120间获得均匀分布于弹性体140中的横向电场。如此一来，弹性体140会因所述横向电场的作用而造成对应的转置面140a呈现凹凸不平状，使得黏接于转置面140a上的微型发光二极管会自弹性体140脱离，藉此不但能有效达成转置功能，还提升转置头40的应用性、便利性与产品竞争性。
另外，由于驱动电路410是主动式驱动电路，其具有作为开关元件的晶体管T，因此基于图10A至图10C的内容可知，通过晶体管T的控制，转置头 40能够选择性地转置微型发光二极管M1及微型发光二极管M2中的一者，如图15所示。也就是说，当利用包括主动式驱动电路410的转置头40来转置微型发光二极管时，选择性地转置特定的微型发光二极管。
当然，本发明还可有其它多种实施例，在不背离本发明精神及其实质的情况下，熟悉本领域的技术人员当可根据本发明作出各种相应的改变和变形，但这些相应的改变和变形都应属于本发明所附的权利要求的保护范围。