技术特征：
技术总结
半导体装置包括：在基底上的器件隔离层、由器件隔离层限定的第一有源图案以及源极区和漏极区。第一有源图案在第一方向上延伸，并且包括位于形成在第一有源图案的上部处的一对凹进之间的沟道区。源极区和漏极区填充第一有源图案中的一对凹进区。源极区和漏极区中的每个包括位于凹进中的第一半导体图案和位于第一半导体图案上的第二半导体图案。源极区和漏极区中的每个具有其宽度小于源极区和漏极区中的所述每个的下部的宽度的上部。第二半导体图案具有其宽度小于第二半导体图案的下部的宽度的上部。第二半导体图案的上部被布置成高于沟道区的顶表面。
技术研发人员：闵庚石;石城大;李正允
受保护的技术使用者：三星电子株式会社
技术研发日：2017.12.21
技术公布日：2018.07.13