1.一种垂直结构粗化方法，其特征在于，包括：
在露出的GaN层表面施加等离子体处理工艺，并在GaN层表面形成一氧化层；
对所述的GaN层进行粗化处理。
2.如权利要求1所述的垂直结构粗化方法，其特征在于，所述的等离子体处理工艺包括：
通过等离子体增强化学气相沉积法向GaN层表面通一定量的O2。
3.如权利要求1所述的垂直结构粗化方法，其特征在于，所述的氧化层为钝化态，用于改变GaN层表面的势垒。
4.如权利要求1所述的垂直结构粗化方法，其特征在于，对所述的GaN层进行粗化处理包括：
通过一定浓度和温度的KOH对GaN层进行处理。
5.如权利要求1所述的垂直结构粗化方法，其特征在于，所述的O2对GaN层氧化反应条件：
温度为150-260℃，功率为200-500W，反应时间为：3-10min。