一种垂直结构粗化方法与流程

技术总结
本发明公开了一种垂直结构粗化方法，包括：在露出的GaN层表面施加等离子体处理工艺，并在GaN层表面形成一氧化层；对GaN层进行粗化处理。等离子体处理工艺包括：通过等离子体增强化学气相沉积法向GaN层表面通一定量的O2。本发明利用PECVD在GaN表面处理用来抑制KOH腐蚀使晶胞受损较小，解决过粗化及粗化不均等问题，提高芯片性能。

技术研发人员：单志远;陈党盛;王亚洲
受保护的技术使用者：映瑞光电科技（上海）有限公司
技术研发日：2017.12.29
技术公布日：2018.08.03