技术总结
本发明涉及一种用于晶体硅异质结太阳电池的透明导电氧化物薄膜的制备方法，包括：以氩气、氢气和氧气为反应气体，采用磁控溅射法沉积氧化铟钛ITiO薄膜；其中，磁控溅射法沉积的工艺参数为：沉积功率密度为1.5～15kW/m，沉积速率为2.5～25nm/s。所得ITiO薄膜的载流子迁移率为20～100cm2/Vs，电阻率为2～10*10‑4Ω·cm，透射率不低于88％，产品均匀性、稳定性好，沉积速率快可满足高速率生产的需要；可用于晶体硅异质结太阳电池的大规模生产，得到转换效率大于22.5％的晶体硅异质结太阳电池。
技术研发人员：张闻斌;黄海宾;李杏兵;王月斌;王磊;徐昕;彭德香
受保护的技术使用者：中智(泰兴)电力科技有限公司
技术研发日：2017.12.29
技术公布日：2018.06.29