薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板与流程

本发明属于半导体器件制作技术领域，具体地讲，涉及一种薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板。

背景技术：

随着光电与半导体技术的演进，也带动了平板显示器(FlatPanel Display)的蓬勃发展，而在诸多平板显示器中，薄膜晶体管液晶显示器(Thin Film Transistor-Liquid Crystal Display，简称TFT-LCD)因具有高空间利用效率、低消耗功率、无辐射以及低电磁干扰等诸多优越特性，已成为市场的主流。

金属氧化物(诸如铟镓锌氧化物(Indium Gallium Zinc Oxide，简称IGZO)等)半导体材料由于具有高的迁移率和开态电流，被广泛应用到显示行业的薄膜晶体管器件中。然而在目前的金属氧化物薄膜晶体管器件的制作中，金属氧化物有源层通常采用湿法刻蚀形成，而源漏极也是采用湿法刻蚀形成，因此在制作源漏极时会对金属氧化物有源层造成损伤，从而影响器件性能。

技术实现要素：

为了解决上述现有技术存在的问题，本发明的目的在于提供一种在制作源漏极时能够避免损伤金属氧化物有源层的薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板。

根据本发明的一方面，提供了一种薄膜晶体管的制作方法，其包括：在基板上形成间隔的第一电极和第二电极；在所述第一电极和所述第二电极上形成第一绝缘层，且在所述第一绝缘层中形成分别暴露所述第一电极和所述第二电极的过孔；在所述第一绝缘层上形成填充所述过孔的有源层；在所述有源层上形成第二绝缘层；在所述第二绝缘层上形成栅极；在所述第二绝缘层上形成覆盖所述栅极的栅极绝缘层。

进一步地，在所述第一绝缘层上形成填充所述过孔的有源层之后，所述薄膜晶体管的制作方法还包括：对填充到所述过孔中的有源层进行退伙处理，以将填充到所述过孔中的有源层导体化。

进一步地，利用金属氧化物材料在所述第一绝缘层上形成填充所述过孔的有源层。

进一步地，在基板上形成第一电极、像素电极以及位于所述像素电极上的第二电极之前，所述薄膜晶体管的制作方法还包括：利用二氧化硅材料在所述基板上形成缓冲层。

进一步地，在所述第二绝缘层上形成栅极的方法包括：在所述第二绝缘层上形成叠层的第二金属层和光阻层；对所述光阻层进行图案化处理，以将第二金属层的除将要形成栅极的部分之外的其他部分上的光阻层去除；将暴露的第二金属层以及剩余的光阻层去除。

进一步地，在所述第二绝缘层上形成覆盖所述栅极的栅极绝缘层的方法包括：在所述第二绝缘层和所述栅极上形成叠层的绝缘膜层和光阻层；对所述光阻层进行图案化处理，以将所述光阻层的除位于所述栅极上方的部分之外的其他部分去除；将暴露的绝缘膜层和剩余的光阻层去除。

进一步地，所述栅极位于剩余的光阻层在所述第二绝缘层上的投影以内。

根据本发明的另一方面，还提供了一种由上述的制作方法制作而成的薄膜晶体管。

根据本发明的又一方面，又提供了一种阵列基板的制作方法，其包括：在基板上形成第一电极、像素电极以及位于所述像素电极上的第二电极；在所述第一电极和所述第二电极上形成第一绝缘层，且在所述第一绝缘层中形成分别暴露所述第一电极和所述第二电极的过孔；在所述第一绝缘层上形成填充所述过孔的有源层；在所述有源层上形成第二绝缘层；在所述第二绝缘层上形成栅极；在所述第二绝缘层上形成覆盖所述栅极的栅极绝缘层；在所述第二绝缘层上形成位于所述栅极一侧的公共电极。

进一步地，在基板上形成第一电极、像素电极以及位于所述像素电极上的第二电极的方法包括：在基板上依序形成叠层的透明导电层、第一金属层和光阻层；对所述光阻层进行图案化处理，以形成第一光阻余层、第二光阻余层和第三光阻余层，所述第一光阻余层和所述第二光阻余层间隔，所述第三光阻余层位于所述第二光阻余层的背向所述第一光阻余层的一侧且与所述第二光阻余层连接，所述第一光阻余层和所述第二光阻余层的厚度与所述光阻层的厚度相同，所述第三光阻余层的厚度小于所述光阻层的厚度；将暴露出的第一金属层和其下方的透明导电层去除，且将所述第三光阻余层下方的第一金属层去除；将所述第一光阻余层、所述第二光阻余层和所述第三光阻余层去除。

本发明的有益效果：本发明通过先制作第一电极和第二电极，后制作有源层，从而避免现有的制作第一电极和第二电极时对有源层出现损伤的现象，进而提高器件的性能。

附图说明

通过结合附图进行的以下描述，本发明的实施例的上述和其它方面、特点和优点将变得更加清楚，附图中：

图1是根据本发明的实施例的阵列基板的制作方法的流程图；

图2A至图2G是根据本发明的实施例的阵列基板的制程图；

图3A至图3C是根据本发明的实施例的第一电极、像素电极和第二电极的制程图；

图4A至图4C是根据本发明的实施例的栅极的制程图；

图5A至图5C是根据本发明的实施例的栅极绝缘层的制程图。

具体实施方式

以下，将参照附图来详细描述本发明的实施例。然而，可以以许多不同的形式来实施本发明，并且本发明不应该被解释为限制于这里阐述的具体实施例。相反，提供这些实施例是为了解释本发明的原理及其实际应用，从而使本领域的其他技术人员能够理解本发明的各种实施例和适合于特定预期应用的各种修改。

在附图中，为了清楚起见，夸大了层和区域的厚度。相同的标号在说明书和附图中始终表示相同的元件。

将理解的是，当诸如层、膜、区域或基底等的元件被称作“在”另一元件“上”时，该元件可以直接在所述另一元件上，或者也可以存在中间元件。可选择地，当元件被称作“直接在”另一元件“上”时，不存在中间元件。

图1是根据本发明的实施例的阵列基板的制作方法的流程图。图2A至图2F是根据本发明的实施例的阵列基板的制程图。

首先，参照图1和图2A，在步骤S110中，在基板100上形成缓冲层200、第一电极310、像素电极400以及位于像素电极400上的第二电极320。

这里，缓冲层200是为了使第一电极310、像素电极40和第二电极320的制作以及特性表现更为优良，因此作为本发明的另一实施方式，缓冲层200可以不存在，相应的步骤可以被省略。

第一电极310可以是漏极或源极，而第二电极320是与第一电极310不同的电极。例如，当第一电极310是漏极时，第二电极320是源极。

图3A至图3C是根据本发明的实施例的第一电极、像素电极和第二电极的制程图。

参照图3A，首先在基板100上依序形成叠层的缓冲层200、透明导电层400A、第一金属层300A和光阻层PR。

参照图3B，对光阻层PR进行图案化处理，以形成第一光阻余层PR1、第二光阻余层PR2和第三光阻余层PR3，第一光阻余层PR1和第二光阻余层PR2间隔，第三光阻余层PR3位于第二光阻余层PR2的背向第一光阻余层PR1的一侧且与第二光阻余层PR2连接，第一光阻余层PR1和第二光阻余层PR2的厚度与光阻层PR的厚度相同，第三光阻余层PR3的厚度小于光阻层PR的厚度；

参照图3C，将暴露出的第一金属层300A和其下方的透明导电层400A去除，且将第一光阻余层PR1、第二光阻余层PR2以及第三光阻余层PR3及第三光阻余层PR3下方的第一金属层300A去除。

接下来，参照图1和图2B，在步骤S120中，在第一电极310、第二电极320和缓冲层200上形成第一绝缘层500，且在第一绝缘层500中形成分别暴露第一电极310和第二电极320的过孔510。这里，第一电极310被一个过孔510暴露，而第二电极320被另一个过孔510暴露。

接下来，参照图1和图2C，在步骤S130中，在第一绝缘层500上形成填充过孔510的有源层600。这里，有源层600可以有IGZO形成，但本发明并不限制于此。

此外，在制作完有源层600之后，可以对填充到过孔510中的有源层600进行退伙处理，以将填充到过孔510中的有源层600导体化。这样可以减小被导体化的有源层600与第一电极310和第二电极320的接触电阻，并且还可以提高被导体化的有源层600与第一电极310和第二电极320的结合力。

接下来，参照图1和图2D，在步骤S140中，在有源层600和第一绝缘层500上形成第二绝缘层700。

接下来，参照图1和图2E，在步骤S150中，在第二绝缘层700上形成栅极800。在本实施例中，栅极800和有源层600至少部分重叠。

图4A至图4C是根据本发明的实施例的栅极的制程图。

参照图4A，在第二绝缘层700上形成叠层的第二金属层800A和光阻层PR。

参照图4B，对光阻层PR进行图案化处理，以将第二金属层800A的除将要形成栅极800的部分之外的其他部分上的光阻层PR去除。进一步地，栅极800位于剩余的光阻层PR在第二绝缘层700上的投影以内。

参照图4C，将暴露的第二金属层800A以及剩余的光阻层PR去除。

接下来，参照图1和图2F，在步骤S160中，在第二绝缘层700上形成覆盖栅极800的栅极绝缘层900。

图5A至图5C是根据本发明的实施例的栅极绝缘层的制程图。

参照图5A，在第二绝缘层700和栅极800上形成叠层的绝缘膜层900A和光阻层PR。

参照图5B，对光阻层PR进行图案化处理，以将光阻层PR的除位于栅极800上方的部分之外的其他部分去除。

参照图5C，将暴露的绝缘膜层900A和剩余的光阻层PR去除。

最后，参照图1和图2G，在步骤S170中，在第二绝缘层700上形成位于栅极800一侧的公共电极1000。

需要说明的是，当在仅制作薄膜晶体管时，由于薄膜晶体管中不包括像素电极400，因此在步骤S110中将像素电极400的描述部分去除，并且制程图中的像素电极400也去除。此外，还由于薄膜晶体管中也不包括公共电极1000，因此将步骤S170删除，并且将制程图中的图2F也可以删除。

本发明的实施例还提供了一种由上述的薄膜晶体管的制作方法制作而成的薄膜晶体管。

综上所述，根据本发明的实施例，通过先制作第一电极和第二电极，后制作有源层，从而避免现有的制作第一电极和第二电极时对有源层出现损伤的现象，进而提高器件的性能。

虽然已经参照特定实施例示出并描述了本发明，但是本领域的技术人员将理解：在不脱离由权利要求及其等同物限定的本发明的精神和范围的情况下，可在此进行形式和细节上的各种变化。