1.一种边发射高速半导体激光器芯片，其特征在于，激光器芯片结构包括：下覆盖层(2)、下波导层(3)、有源区(4)、上波导层(5)、上覆盖层(15)和接触层(16)，
所述下波导层(3)、有源区(4)和上波导层(5)区域注入有第一离子，相应注入有第一离子区域为无源波导区；
所述接触层(16)和覆盖层(15)的第二边缘区域注入有第二离子；其中，所述第二边缘区域位于所述第一离子区域之上。
2.根据权利要求1所述的边发射高速半导体激光器芯片，其特征在于，所述第一离子为磷离子，所述第二离子为氢离子。
3.根据权利要求1或2所述的边发射高速半导体激光器芯片，其特征在于，所述有源区(4)的长度为50-150μm。
4.根据权利要求1或2所述的边发射高速半导体激光器芯片，其特征在于，所述无源波导区的长度为50-150μm。
5.根据权利要求1或2所述的边发射高速半导体激光器芯片，其特征在于，所述第二离子注入深度为100-1000nm。
6.根据权利要求1或2所述的边发射高速半导体激光器芯片，其特征在于，所述下波导层(3)由P型铟镓砷磷构成；所述有源区(4)由应变多量子阱构成；所述上波导层(5)由N型铟镓砷磷构成；所述覆盖层(15)由磷化铟构成；所述接触层(16)由N型铟镓砷材料构成。
7.根据权利要求6所述的边发射高速半导体激光器芯片，其特征在于，所述下覆盖层(2)的厚度为500nm；下波导层(3)的厚度为100nm；有源区(4)的厚度为145nm；上波导层(5)的厚度为100nm；覆盖层(15)的厚度为1500nm；接触层(16)的厚度为200nm。
8.根据权利要求7所述的边发射高速半导体激光器芯片，其特征在于，所述第二离子注入的深度为300m。
9.根据权利要求1或2所述的边发射高速半导体激光器芯片，其特征在于，所述上波导层(5)和覆盖层(15)之间存在一层P型铟镓砷磷腐蚀停止层(14)。