技术总结
本实用新型涉及半导体制造领域，公开了一种系统GaAs HBT器件外延结构，由下至上依次包括：GaAs衬底、N‑GaAs集电区层、N‑AlxGa0.52‑xIn0.48P集电区层、空间隔离层、P‑GaAs基区层、N‑AlxGa0.52‑xIn0.48P发射区层、N‑GaAs发射区层、N+‑InZGa1‑ZAs帽层，由N‑AlxGa0.52‑xIn0.48P集电区层和P‑GaAs基区层形成的第一异质结结构中间插入有空间隔离层，由P‑GaAs基区层和N‑AlxGa0.52‑xIn0.48P发射区层形成第二异质结结构，在保证电流增益β，提高工艺可靠度的同时，减小GaAs HBT开启电压Voffset，使单个HBT器件同时满足微波放大器和高速开关的应用成为可能。
技术研发人员：陈一峰
受保护的技术使用者：成都海威华芯科技有限公司
文档号码：201720337523
技术研发日：2017.03.31
技术公布日：2017.10.31