一种军事雷达用反向阻断二极管晶闸管的制作方法

本实用新型涉及半导体器件技术领域，尤其是一种军事雷达用反向阻断二极管晶闸管。

背景技术：

二极晶闸管是一种两端半导体开关，能够在很短的时间内实现开关状态转换，二极晶闸管具有与晶闸管类似的四层PNPN结构即P1阳极发射区、N1长基区、P2短基区、N2 阴极发射区四层结构，从前景看，设备会将电压阻断到他的额定断态重复峰值电压。但在达到触发电压时，它会在一个较低的阻抗状态一直到阳极电流减弱到它的持有电流，因而当将二极晶闸管用于雷达调制器和激光脉冲等领域时，存在正常工作峰值电流不够大、di/dt 不够高、重复率不够高、快速开关能力不够强和可靠性不高的不足。

技术实现要素：

本实用新型的目的在于提供一种军事雷达用反向阻断二极管晶闸管，具有快速开关能力强、可靠性高和适用性强的优点，以解决上述背景技术中提出的问题。

为实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案：一种军事雷达用反向阻断二极管晶闸管，包括上壳和下壳，所述上壳的顶部圆心处垂直连接有阴极区，阴极区外侧的上壳顶部表面开设有环槽，上壳的侧壁套有第一橡胶圈；所述阴极区上涂有金属镀层，阴极区和环槽之间设有保护胶层，保护胶层和上壳的上表面接触连接；所述下壳的顶部外侧壁和上壳的内侧壁连接，下壳的底部垂直连接有阳极钼片，下壳的侧壁套有第二橡胶圈。

作为本实用新型进一步的方案：所述阴极区和上壳的轴心均在同一条线上。

作为本实用新型进一步的方案：所述第一橡胶圈位于第二橡胶圈的正上方，第二橡胶圈的直径大于第一橡胶圈的直径。

作为本实用新型进一步的方案：所述阴极区和阳极钼片的直径相同。

与现有技术相比，本实用新型有益效果：

本军事雷达用反向阻断二极管晶闸管，在保护胶层涂附结束后，放入干燥箱进行老化，硅片经由以上加工后，用约40μm厚的铝箔将硅片和阳极钼片烧结在一起，然后在阴极面进行金属蒸镀形成阴极表面金属镀层，阴极区和阳极钼片总厚度的选取实现器件耐压的要求，又不至于通态压降较大，二极管晶闸管在脉冲工作下比较适用因为它的高通态电流上升率和快速开关能力，雷达调制器和激光脉冲是众多应用中最主要的应用，两种不同层次的载流子扩展，确保晶闸管从中心区优先导通，具有高的di/dt特性和可靠性，在承受额定电压上升率时，反向阻断二极晶闸管不响应，触发时，反向阻断二极晶闸管峰值电压一般超过额定阻断电压，且触发电压的dv/dt很高，此后，在高电压下，触发电流开始上升，电压跌落导致器件开通。

附图说明

图1为本实用新型的整体侧视图；

图2为本实用新型的整体俯视图。

图中：1-上壳；11-阴极区；111-金属镀层；12-环槽；13-第一橡胶圈；2-下壳；21-阳极钼片；22-第二橡胶圈；3-保护胶层。

具体实施方式

下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。

请参阅图1-2，本实用新型实施例中，一种军事雷达用反向阻断二极管晶闸管，包括上壳1和下壳2，上壳1的顶部圆心处垂直连接有阴极区11，阴极区11和上壳1的轴心均在同一条线上，阴极区11，阴极区11外侧的上壳1顶部表面开设有环槽12，上壳1的侧壁套有第一橡胶圈13；阴极区11上涂有金属镀层111，金属镀层111可保护阴极区11，阴极区11和环槽12之间设有保护胶层3，保护胶层3具有较高的粘附性，保护胶层3和上壳1的上表面接触连接，在保护胶层3涂附结束后，放入干燥箱进行老化；下壳2的顶部外侧壁和上壳1的内侧壁连接，下壳2的底部垂直连接有阳极钼片21，阴极区11和阳极钼片21的直径相同，硅片经由以上加工后，用约40μm厚的铝箔将硅片和阳极钼片21 烧结在一起，然后在阴极面进行金属蒸镀形成阴极表面金属镀层111，阴极区11和阳极钼片21总厚度的选取实现器件耐压的要求，又不至于通态压降较大，下壳2的侧壁套有第二橡胶圈22，第一橡胶圈13位于第二橡胶圈22的正上方，第二橡胶圈22的直径大于第一橡胶圈13的直径，第一橡胶圈13和第二橡胶圈22采用丁晴橡胶制作，具有一定的弹性，二极管晶闸管在脉冲工作下比较适用因为它的高通态电流上升率和快速开关能力，雷达调制器和激光脉冲是众多应用中最主要的应用，两种不同层次的载流子扩展，确保晶闸管从中心区优先导通，具有高的di/dt特性和可靠性，在承受额定电压上升率时，反向阻断二极晶闸管不响应，触发时，反向阻断二极晶闸管峰值电压一般超过额定阻断电压，且触发电压的dv/dt很高，此后，在高电压下，触发电流开始上升，电压跌落导致器件开通。

综上所述；本军事雷达用反向阻断二极管晶闸管，在保护胶层3涂附结束后，放入干燥箱进行老化，硅片经由以上加工后，用约40μm厚的铝箔将硅片和阳极钼片21烧结在一起，然后在阴极面进行金属蒸镀形成阴极表面金属镀层111，阴极区11和阳极钼片21总厚度的选取实现器件耐压的要求，又不至于通态压降较大，二极管晶闸管在脉冲工作下比较适用因为它的高通态电流上升率和快速开关能力，雷达调制器和激光脉冲是众多应用中最主要的应用，两种不同层次的载流子扩展，确保晶闸管从中心区优先导通，具有高的di/dt 特性和可靠性，在承受额定电压上升率时，反向阻断二极晶闸管不响应，触发时，反向阻断二极晶闸管峰值电压一般超过额定阻断电压，且触发电压的dv/dt很高，此后，在高电压下，触发电流开始上升，电压跌落导致器件开通。

对于本领域技术人员而言，显然本实用新型不限于上述示范性实施例的细节，而且在不背离本实用新型的精神或基本特征的情况下，能够以其他的具体形式实现本实用新型。因此，无论从哪一点来看，均应将实施例看作是示范性的，而且是非限制性的，本实用新型的范围由所附权利要求而不是上述说明限定，因此旨在将落在权利要求的等同要件的含义和范围内的所有变化囊括在本实用新型内。不应将权利要求中的任何附图标记视为限制所涉及的权利要求。

此外，应当理解，虽然本说明书按照实施方式加以描述，但并非每个实施方式仅包含一个独立的技术方案，说明书的这种叙述方式仅仅是为清楚起见，本领域技术人员应当将说明书作为一个整体，各实施例中的技术方案也可以经适当组合，形成本领域技术人员可以理解的其他实施方式。