一种二极管引线及二极管的制作方法

本实用新型涉及二极管技术领域，尤其涉及一种二极管引线及二极管。

背景技术：

二极管是一种具有两个电极，但只允许电流由单一方向流过的电子元件，二极管正向电压导通，反向电压不导通。当二极管两端的反向电压增大到某一数值，反向电流会急剧增大，二极管将失去单方向导电特性，这种状态称为二极管的击穿。

目前，二极管的承受浪涌电流耐量的水平略有参差，在封装后也大多无法达标。二极管引线是较为被忽略的一个组件，图1为现有二极管去掉封装外壳后的爆炸图，如图1所示，二极管包括依次相连的二极管引线、芯片4＇和底座5＇，二极管引线、芯片4＇和底座5＇之间通过焊片6＇焊接，二极管引线包括互相连接的引线座1＇和引线3＇。由于在焊接工艺过程中二极管引线需要对芯片起同心定位作用，所以引线座的尺寸为芯片的外接圆直径。通常情况下，二极管在反向浪涌电流流过时通常是通过引线座和引线来瞬间散热，散耗掉这部分能量。为了提高二极管的瞬间散热能力，增加二极管的反向浪涌电流承受耐量，可以通过增加引线座的直径来提高瞬间散热的能力，但由于引线座的直径变大，造成引线座无法对芯片进行定位的现象。

技术实现要素：

本实用新型的目的在于提出一种二极管引线，解决了引线座直径变大，芯片和引线座无法定位的问题。

为达此目的，本实用新型采用以下技术方案：

一种二极管引线，包括引线座、凸台和引线，所述凸台设置在所述引线座上，所述凸台远离所述引线座一端的端面为多边形结构，所述引线座的最大直径大于所述多边形结构的外接圆的直径，所述引线连接在所述引线座的未设置有所述凸台的一端。

引线座的最大直径大于凸台的多边形结构的外接圆的直径，提高了引线座瞬间散热的能力，增大了二极管的反向功率，有效避免二极管的热击穿。凸台的设置实现对芯片进行定位和连接；同时，凸台的设置增加了芯片和引线座之间的缝隙，使得二极管引线和芯片焊接完成后，在清洗过程中芯片的侧边更容易与清洗液接触，清洗效果更好，较大提高二极管的可靠性。

作为上述二极管引线的一种优选方案，所述引线座和所述凸台同轴设置。将凸台同轴设置在引线座上，即凸台位于引线座的中间位置，凸台中心到引线座边缘的距离都相等，使得引线座的散热更均匀。

作为上述二极管引线的一种优选方案，所述引线座互相连接的包括圆柱结构段和凸台结构段，所述圆柱结构段和凸台结构段连接处的端面直径相等，所述圆柱结构段的直径大于所述多边形结构的外接圆，所述凸台结构段的侧面为斜面，所述凸台结构段靠近所述凸台一端的端面与凸台端面的结构相同且大小相等。

作为上述二极管引线的一种优选方案，所述凸台远离所述引线座一端的端面为六边形结构，凸台远离所述引线座一端的端面的形状和芯片的端面形状相同，能够使得在焊接过程中实现芯片和引线座的定位。

作为上述二极管引线的一种优选方案，所述凸台的厚度大于等于0.1mm。

作为上述二极管引线的一种优选方案，所述引线座、凸台和所述引线为一体成型结构。结构简单，制作方便。

一种二极管，包括上述的二极管引线。

作为上述二极管的一种优选方案，所述二极管引线、芯片和底座依次排列设置；

还包括封装外壳，所述封装外壳将所述二极管引线和芯片封装在所述封装外壳的内部，且位于所述底座的一侧。

当反向浪涌电流通过二极管时，引线座提高了瞬间散热的能力，增大了二极管的反向浪涌功率，有效避免二极管的热击穿。

作为上述二极管的一种优选方案，所述芯片端面和多边形结构的边数和边长均相等，使得引线在焊接芯片过程中，由于液态焊片的表面张力的作用，使芯片和多边形结构的凸台的端面完全贴合，能够实现芯片的自动定位。

作为上述二极管的一种优选方案，所述二极管引线、芯片和所述底座之间通过焊片焊接相连。在焊接过程中焊片融化成液态，利用液态焊片的表面张力作用实现引线座和芯片的定位，实现芯片和引线座凸台的完全贴合。

本实用新型的有益效果：

本实用新型提出的二极管引线及二极管，引线座的最大直径大于所述多边形结构的外接圆的直径，提高了引线座瞬间散热的能力，增大了二极管的反向浪涌功率，有效避免二极管的热击穿。凸台的设置实现对芯片进行定位和连接，同时，凸台的设置增加了芯片和引线座之间的缝隙，使得二极管引线和芯片焊接完成后，在清洗过程中芯片的侧边更容易与清洗液接触，清洗效果更好，较大提高二极管的可靠性。

附图说明

图1是现有技术中的二极管的爆炸图；

图2是本实用新型具体实施方式提供的二极管引线的结构示意图；

图3是本实用新型具体实施方式提供的二极管引线的另一角度的结构示意图；

图4是本实用新型具体实施方式提供的二极管的爆炸图；

图5是本实用新型具体实施方式提供的二极管的另一角度的爆炸图。

其中：

1＇、引线座；3＇、引线；4＇、芯片；5＇、底座；6＇、焊片；

1、引线座；2、凸台；3、引线；4、芯片；5、底座；6、焊片；11、圆柱结构段；12、凸台结构段。

具体实施方式

下面结合附图并通过具体实施方式来进一步说明本实用新型的技术方案。

本实施方式保护一种二极管引线，如图2和图3所示，该二极管引线包括引线座1、凸台2和引线3；如图2和图3所示，凸台2设置在引线座1上，凸台2远离引线座1一端的端面为多边形结构，引线座1的最大直径大于多边形结构的外接圆的直径；引线3连接在引线座1的未设置有凸台2的一端。优选的，引线座1包括相互连接的圆柱结构段11和凸台结构段12，圆柱结构段11和凸台结构段12的连接处的端面相等，圆柱结构段11的直径大于多边形结构的外接圆直径；凸台结构段12的侧面为斜面，凸台结构段12靠近凸台2一端的端面与凸台2端面的结构相同且相等。引线座1还可以为圆柱体结构，本实施例中，引线座1的结构优选为上述第一种结构。圆柱结构段11和凸台结构段12的设置增加了芯片4和引线座1之间的缝隙，在清洗过程中清洗效果更好，较大提高二极管的可靠性。引线座1、凸台2和引线3为一体成型结构，该结构简单，制作方便。

具体的，引线座1和凸台2同轴设置，将凸台2同轴设置在引线座1上，即凸台2位于引线座1的中间位置，凸台2中心到引线座1边缘的距离都相等，使得引线座1的散热更均匀。凸台2远离引线座1一端的端面为六边形结构，凸台2可以为截面均相等的六棱柱结构，还可以为向靠近引线座方向截面逐渐增大的六棱柱。本实施例中，凸台2为截面均相等的六棱柱结构。凸台2的厚度大于等于0.1mm，优选的，凸台2的厚度范围为0.1到0.5mm。凸台2远离引线座1一端的端面的形状和芯片4的端面形状相同，能够使得在焊接过程中实现引线座1对芯片4的定位。

引线座1的最大直径大于凸台2的多边形结构的外接圆的直径，提高了引线座1瞬间散热的能力，增大了二极管的反向浪涌功率，有效避免二极管的热击穿。通过凸台2的设置，可以将引线座1由现有技术的Φ6.6mm变更为Φ8.5mm，承受反向浪涌电流的耐量可增加10％左右。

本实施方式还保护一种二极管，包括上述的二极管引线，如图4和图5所示，二极管包括依次排列设置的上述的二极管引线，芯片4和底座5；

还包括封装外壳，封装外壳将二极管引线和芯片4封装在封装外壳的内部，且位于底座5的一侧。

具体的，二极管引线、芯片4和底座5之间通过焊片6焊接相连。在焊接过程中焊片6融化成液态，利用液态焊片6的表面张力作用实现引线座1和芯片4的定位，实现芯片4和引线座1凸台2的完全贴合。

凸台2远离引线座1一端的端面为多边形结构，芯片4端面和多边形结构的边数和边长均相等，使得引线3在焊接芯片4过程中，由于液态焊片6的表面张力的作用，使芯片4和多边形结构的凸台2的端面完全贴合，能够实现芯片4的自动定位。

凸台2的设置实现对芯片4进行定位和连接；同时，凸台2的设置增加了芯片4和引线座1之间的缝隙，使得二极管引线和芯片4焊接完成后，在清洗过程中芯片4的侧边更容易与清洗液接触，清洗效果更好，较大提高二极管的可靠性。

本实用新型提出的二极管，当反向浪涌电流通过二极管时，引线座1提高了瞬间散热的能力，增大了二极管的反向浪涌功率，有效避免二极管的热击穿。

注意，上述仅为本实用新型的较佳实施例。本领域技术人员会理解，本实用新型不限于这里所述的特定实施例，对本领域技术人员来说能够进行各种明显的变化、重新调整和替代而不会脱离本实用新型的保护范围。因此，虽然通过以上实施例对本实用新型进行了较为详细的说明，但是本实用新型不仅仅限于以上实施例，在不脱离本实用新型构思的情况下，还可以包括更多其他等效实施例，而本实用新型的范围由所附的权利要求范围决定。