一种高温氧化石英舟的制作方法

本实用新型涉及一种高温热处理装置，尤其是一种高温氧化石英舟。

背景技术：

半导体晶片的生产工艺需要在GPP生产前进行热处理，对配清洗好的晶片需要进行装舟、进炉、出炉、冷却供生产线使用，因其容易出氧化不均匀现象，其舟体的装舟数量与氧化的均匀性成为生产能否量产的影响因素，其缺点如下：现有的石英舟为排列式其晶片间松紧度不易控制，影响气体流进晶片均匀性；舟体两端占用空间较大，影响生产效率。这是现有技术的不足之处。

技术实现要素：

为了解决现有技术的不足，本实用新型提出了一种高温氧化石英舟。其结构简单、能够满足改善气体流量均匀性保证氧化均匀，同时改善内应力释放增加装舟数量提高生产效率。

本实用新型采用如下技术方案：

一种高温氧化石英舟，其内装舟有晶片并放置于炉管的恒温区内，包括由上边框、下边框组成的上宽下窄的镂空舟体，所述舟体的底部设有舟底接触棒，所述上边框与下边框之间设有舟体连接棒，所述上边框和下边框横向设有舟体固定棒，舟体下边框侧部设有舟体推拉把手。

所述晶片与舟体的倾斜面留有5mm的余量。

所述舟体的高度为晶片高度的1/2。

所述舟底接触棒直径≥14mm。

所述舟体连接棒、舟体固定棒直径≥10mm。

所述舟体的长度大小为炉管恒温区长度的1/2减5cm。

所述舟体的底部至炉管底端高度与装舟后晶片至炉管顶端高度相同。

采用如上技术方案取得的有益技术效果为：

所述晶片与舟体的倾斜面留有5mm的余量，便于装舟与取料，提高生产效率。

所述舟体的高度为晶片高度的1/2，定位晶片在舟内自由度防止滑落。

所述舟底接触棒直径≥14mm。直接接触炉体满足高温不变形要求。

所述舟体连接棒、舟体固定棒直径≥10mm，满足在高温下不变形的要求。

所述舟体的长度大小为炉管恒温区长度的1/2减5cm。防止人为操作使硅片超出恒温区，如恒温区为90cm,舟长大小≤40cm，每炉两舟。

所述舟体的底部至炉管底端高度与装舟后晶片至炉管顶端高度相同。装舟晶片与炉管痛心，使晶片位于炉内正中间位置保证氧化均匀性。

高温氧化石英舟为镂空状态前后无挡板防止对气流量影响，本装置能够为生产线提供均匀的氧化膜，增加生产效率，满足了生产需求，提高了产量。利用本装置进行热处理生产其效果完全满足工艺要求。

附图说明

图1为高温氧化石英舟结构示意图。

图2为图1的侧视图。

图3为图1的主视图。

图中，1、舟底接触棒，2、舟体连接棒，3、舟体固定棒，4、舟体推拉把手。

具体实施方式

结合附图1至3对本实用新型的具体实施方式做进一步说明：

一种高温氧化石英舟，其内装舟有晶片并放置于炉管的恒温区内，包括由上边框、下边框组成的上宽下窄的镂空舟体。所述舟体的底部设有舟底接触棒，所述上边框与下边框之间设有舟体连接棒，所述上边框和下边框横向设有舟体固定棒，舟体下边框侧部设有舟体推拉把手。推拉把手直径大小满足舟内满载时高温下拉力要求，减少炉内占用空间不损坏舟体。如所需拉力大小≥50N，推拉把手直径需≥14mm。

所述晶片与舟体的倾斜面留有5mm的余量，便于装舟与取料提高生产效率。

所述舟体的高度为晶片高度的1/2，定位晶片在舟内自由度防止滑落。

所述舟底接触棒直径≥14mm。直接接触炉体满足高温不变形要求。

所述舟体连接棒、舟体固定棒直径≥10mm，满足在高温下不变形的要求。

所述舟体的长度大小为炉管恒温区长度的1/2减5cm。防止人为操作使硅片超出恒温区，如恒温区为90cm,舟长大小≤40cm，每炉两舟。

所述舟体的底部至炉管底端高度与装舟后晶片至炉管顶端高度相同。装舟晶片与炉管痛心，使晶片位于炉内正中间位置保证氧化均匀性。

所述的舟体均为石英材质防止其他材质的污染。

高温氧化石英舟中含有舟底接触棒1、舟体连接棒2、舟体固定棒3、舟体推拉把手4连接在一起，双手托住舟底接触棒1，清洗后晶片排放入舟体中，在舟体固定棒3两端隔开与舟体连接棒2接触。推拉杆固定舟体推拉把手4送入炉中，待炉内程序结束后推拉杆固定舟体推拉把手4拉出炉内以托盘接住放置冷却区。

高温氧化石英舟为镂空状态前后无挡板防止对气流量影响，本装置能够为生产线提供均匀的氧化膜，增加生产效率，满足了生产需求，提高了产量。利用本装置进行热处理生产其效果完全满足工艺要求。

当然，以上说明仅仅为本实用新型的较佳实施例，本实用新型并不限于列举上述实施例，应当说明的是，任何熟悉本领域的技术人员在本说明书的指导下，所做出的所有等同替代、明显变形形式，均落在本说明书的实质范围之内，理应受到本实用新型的保护。