1.一种单向浪涌增强型的瞬态电压抑制二极管，其特征在于：包括P型材料片，所述P型材料片有正面N+区，所述P型材料片的背面有背面N+型深结区和背面P+区的深度，所述背面N+型深结区的深度大于背面P+区的深度，所述P型材料片的表面形成有第氧化层并覆盖部分正面N+区反型层，所述正面N+区的表面刻蚀有金属化电极，所述金属化电极的宽度范围延伸至氧化层，背面整个面全部金属化。
2.根据权利要求1所述的一种单向浪涌增强型的瞬态电压抑制二极管，其特征在于：所述P型材料片衬底的电阻率为0.01~0.4Ω·cm。
3.根据权利要求1所述的一种单向浪涌增强型的瞬态电压抑制二极管，其特征在于：所述正面N+区的结深在15-25um，所述背面N+型深结区的结深在20-30um，背面P+区的结深在10-15um。
4.根据权利要求1所述的一种单向浪涌增强型的瞬态电压抑制二极管，其特征在于：所述金属化电极为AL-Ti-Ni-Ag合金。