技术总结
一种单向浪涌增强型的瞬态电压抑制二极管，包括P型材料片，P型材料片有正面N+区，P型材料片的背面有背面N+型深结区和背面P+区的深度，背面N+型深结区的深度大于背面P+区的深度，第氧化层形成于P型材料片的表面并覆盖部分正面N+区反型层，正面N+区的表面刻蚀有金属化电极，金属化电极的宽度范围延伸至氧化层，背面整个面全部金属化。本实用新型采用N+PN+P+四层构成的单向单向瞬态电压抑制二极管的结构，正面N+加高电位后，由于背面存在N+的电导调制效应，与常规单向瞬态电压抑制二极管在浪涌特性上存在优势，单向瞬态电压抑制二极管呈现出浪涌增强的特性，在外界浪涌电流加在器件上能承受更高的电流能力。
技术研发人员：张鹏
受保护的技术使用者：启东吉莱电子有限公司
技术研发日：2017.10.25
技术公布日：2018.07.17