一种高耐压光电耦合器的制作方法

文档序号:14989625发布日期:2018-07-20 21:57阅读:来源:国知局

技术特征:

1.一种高耐压光电耦合器,包括基体,所述基体上设有第一引脚、第二引脚、第三引脚以及第四引脚,所述基体内封装有发光二极管和光敏三极管晶片,所述发光二极管的正极、负极分别与基体上的第一引脚、第二引脚连接,所述光敏三极管晶片的发射极、集电极分别与基体上的第三引脚、第四引脚连接,所述光敏三极管晶片呈长方形状,所述发射极包括方环状电极圈和圆环状电极圈,所述方环状电极圈和圆环状电极圈分别设于光敏三极管晶片的上表面四周和中心,方环状电极圈与圆环状电极圈相连,所述方环状电极圈与圆环状电极圈之间的区域为光敏三极管晶片的感光区,所述光敏三极管晶片的集电极设于其上表面上,所述方环状电极圈和圆环状电极圈同中心设置,所述发射极通过金线与基体上的第三引脚连接,集电极通过金线与基体上的第四引脚连接,所述光敏三极管晶片的长为1100-1200um,宽为1100-1200um,所述第一引脚、第二引脚、第三引脚、以及第四引脚每个单独地引出到所述基体的外面作为接线引脚,所述第一、第二引脚位于基体的一侧,第三引脚和第四引脚位于基体的另一侧。

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