技术总结
本实用新型涉及一种高耐压光电耦合器。它包括基体，基体上设有多支引脚，基体内封装有发光二极管和光敏三极管晶片，光敏三极管晶片的发射极、集电极分别与基体上的第三引脚、第四引脚连接，发射极包括方环状电极圈和圆环状电极圈，方环状电极圈和圆环状电极圈分别设于光敏三极管晶片的上表面四周和中心，本实用新型采用专门定制的高耐压光敏三极管晶片，本实用新型的光敏三极管晶片尺寸增大了，而且也增大了光敏三极管晶片与电极的接触面积，从而提高了本实用新型的耐压性和增大了传输比，即使在高电压的工作环境，本实用新型耦合器也能稳定、正常的工作，保证使用本实用新型光电耦合器的产品能在高电压的环境下稳定、正常的工作。
技术研发人员：关守东
受保护的技术使用者：深圳市君天恒讯科技有限公司
技术研发日：2017.10.31
技术公布日：2018.07.20