一种基于砷化镓的集成晶体管及具有该晶体管的汽车的制作方法

本实用新型涉及晶体管技术领域，尤其涉及一种基于砷化镓的集成晶体管及具有该晶体管的汽车。

背景技术：

随着科技的不断进步，汽车上的电子功能越越来越多，这就需要更多的电子芯片和传感器等。现有的芯片每个都有独立的封装，在电路上需要设计多个封装，而且电路板上占用的面积也较大，成本较高。

技术实现要素：

为此，需要提供一种基于砷化镓的集成晶体管及具有该晶体管的汽车，解决现有多芯片造成的设计麻烦、成本高的问题。

为实现上述目的，发明人提供了一种基于砷化镓的集成晶体管，包括砷化镓基板，砷化镓基板上设置有第一DBR层，第一DBR层上设置有N型砷化镓渐变层，N型砷化镓渐变层上设置有N型磷化铝镓铟层或者砷化镓铟层，N型磷化铝镓铟层或者砷化镓铟层上设置有第二DBR层，第二DBR层上的一侧设置有P型磷化镓层，第二DBR层上的另一侧设置有VCSEL结构金属触点，P型磷化镓层上的一侧设置有LED结构金属触点，P型磷化镓层上的另一侧设置有N型砷化镓集电极衬底层，N型砷化镓集电极衬底层上设置有N型砷化镓集电极层，N型砷化镓集电极层上设置有P型砷化镓基极层，P型砷化镓基极层上设置有N型磷化镓铟发射极层，N型磷化镓铟发射极层上设置有N型砷化镓铟接触层，HBT结构金属触点分别设置在N型砷化镓集电极衬底层、P型砷化镓基极层、N型砷化镓铟接触层上，砷化镓基板底面正对着LED结构金属触点和VCSEL结构金属触点处分别设置有金属触点，P型磷化镓层与VCSEL结构金属触点之间、N型砷化镓集电极衬底层与LED结构金属触点之间分别设置有底部在砷化镓基板的凹槽。

进一步地，所述LED结构金属触点设置在VCSEL结构金属触点与HBT结构金属触点之间。

本实用新型提供一种汽车，包括有控制电路板，所述控制电路板上设置有晶体管，所述晶体管为上述的基于砷化镓的集成晶体管。

进一步地，所述汽车为无人驾驶汽车。

区别于现有技术，上述技术方案可以在一个晶体管芯片上实现多个功能，在电路设计时候只需要针对一个芯片进行设计，而且电路板占用面积可以大大减少。

附图说明

图1为具体实施方式的晶体管的生产过程初级产品结构示意图；

图2为具体实施方式的具体管的结构示意图。

具体实施方式

为详细说明技术方案的技术内容、构造特征、所实现目的及效果，以下结合具体实施例并配合附图详予说明。

为了详细说明本申请，下面先对本申请中出现的英文名称给出对应的中文解释：

HBT(heterojunction bipolar transistor)：一种由砷化镓(GaAs)层和铝镓砷(AlGaAs)层构成的双极晶体管；LED(Light-Emitting Diode)：发光二极管；VCSEL(Vertical Cavity Surface Emitting Laser)：垂直腔面发射激光器；p-：P型；n-：N型；Contact：接触；emitter：发射极；LnGaAs：砷化镓铟；LnGaP：磷化镓铟；GaAs：砷化镓；Base：基极；collector：集电极；sub(Substrate)：衬底；GaP：磷化镓；AlGaLnP：磷化铝镓铟；Metal：金属触点；MOCVD：金属有机化合物化学气相淀积(Metal-organic Chemical Vapor DePosition)；MBE：分子束外延；DBR(distributed Bragg reflection)：分布式布拉格反射镜。

请参阅图1到图2，本实施例提供一种基于砷化镓的集成晶体管及具有该晶体管的汽车。首先利用MOCVD或MBE设备,生成图1的磊晶结构。而后减少各层的面积使得各个层露出以设置金属触点。最后形成了图2的晶体管结构。该晶体管结构具体为：包括砷化镓基板，砷化镓基板上设置有第一DBR层，第一DBR层上设置有N型砷化镓渐变层，N型砷化镓渐变层上设置有N型磷化铝镓铟层或者砷化镓铟层，N型磷化铝镓铟层或者砷化镓铟层上设置有第二DBR层，第二DBR层上的一侧设置有P型磷化镓层，第二DBR层上的另一侧设置有VCSEL结构金属触点，P型磷化镓层上的一侧设置有LED结构金属触点，P型磷化镓层上的另一侧设置有N型砷化镓集电极衬底层，N型砷化镓集电极衬底层上设置有N型砷化镓集电极层，N型砷化镓集电极层上设置有P型砷化镓基极层，P型砷化镓基极层上设置有N型磷化镓铟发射极层，N型磷化镓铟发射极层上设置有N型砷化镓铟接触层，HBT结构金属触点分别设置在N型砷化镓集电极衬底层、P型砷化镓基极层、N型砷化镓铟接触层上，砷化镓基板底面正对着LED结构金属触点和VCSEL结构金属触点处分别设置有金属触点，P型磷化镓层与VCSEL结构金属触点之间、N型砷化镓集电极衬底层与LED结构金属触点之间分别设置有底部在砷化镓基板的凹槽。

本实用新型在使用的时候，可以将图2的晶体管结构应用到汽车上，集成晶体管中的VCSEL组件可用于将来汽车的车距侦测,组件中的LED可用于汽车中的灯号指示,组件中的HBT可用于汽车通讯中的射频功放。这样可以在一个晶体管上实现多种功能，体积较小，便于成本降低。

为了方便生产加工，所述LED结构金属触点设置在VCSEL结构金属触点与HBT结构金属触点之间。这样由左往右的层数依次减少，加工的时候可以由层数多的一侧依次往层数少的一侧加工，效率更高。

本实用新型提供一种汽车，包括有控制电路板，控制电路板一般用于实现汽车控制功能。所述控制电路板上设置有晶体管，所述晶体管为上述的基于砷化镓的集成晶体管。这样汽车的电路板可以实现多种功能，体积又可以大大减少。进一步地，所述汽车为无人驾驶汽车，无人驾驶汽车一般具有自动驾驶软件和硬件，通过自动驾驶软件和硬件配合无人驾驶汽车可以实现自动化驾驶。

需要说明的是，尽管在本文中已经对上述各实施例进行了描述，但并非因此限制本实用新型的专利保护范围。因此，基于本实用新型的创新理念，对本文所述实施例进行的变更和修改，或利用本实用新型说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换，直接或间接地将以上技术方案运用在其他相关的技术领域，均包括在本实用新型专利的保护范围之内。