膜状粘接剂、半导体加工用片及半导体装置的制造方法与流程
本发明涉及膜状粘接剂、半导体加工用片及半导体装置的制造方法。
本申请基于2016年3月30日在日本提出申请的日本特愿2016-069604号要求优先权，并将其内容援引于此。
背景技术
在通过切割将半导体晶片单片化为半导体芯片时使用切割片。切割片例如在基材上具备粘合剂层而构成，通过上述粘合剂层粘贴于半导体晶片上而被使用。切割后，例如照射紫外线等能量线而固化，使上述粘合剂层的粘合力低下，由此使半导体芯片从固化后的粘合剂层上分离，从而容易地被拾取。
另一方面，拾取后的半导体芯片例如通过膜状粘接剂而被芯片接合于基板的电路面上，根据需要在该半导体芯片上进一步层叠1个以上其它的半导体芯片，进行引线键合后，利用树脂对其全体进行封装。
使用这样得到的半导体封装件，最终制造目标的半导体装置。因此，有时按照在作为其芯片接合的对象的面上具备膜状粘接剂的状态下进行拾取的方式构成半导体芯片。
这样地使用膜状粘接剂的情况下，有时使用在上述切割片的粘合剂层上设置有未切断的膜状粘接剂的切割芯片接合片。另一方面，有时在膜状粘接剂上设置预先进行了单片化的多个半导体芯片，该情况下，也使用与切割芯片接合片具有同样构成的半导体加工用片。使用这样的半导体加工用片的情况下，例如，有时在其膜状粘接剂上设置预先进行了单片化的多个半导体芯片，在低温下对半导体加工用片进行扩展，由此根据半导体芯片的外形将膜状粘接剂切断，从而制造在目标的面上具备切断后的膜状粘接剂的半导体芯片。
作为这样的具备膜状粘接剂的半导体加工用片，公开了以下实例：膜状粘接剂(即，芯片接合薄膜)在25℃下的、对半导体晶片粘接时的剪切粘接力、以及对切割片(即，切割膜)粘接时的剪切粘接力分别被设定为特定范围内的半导体加工用片(参照专利文献1)；热固化前的膜状粘接剂(即，芯片接合薄膜)在25℃下的断裂伸长率、以及在0℃下的拉伸储能模量与在25℃下的拉伸储能模量之比分别被设定为特定范围内的半导体加工用片(参照专利文献2)；将半导体晶片的厚度设为a(μm)、将膜状粘接剂(即，芯片接合薄膜)的厚度设为b(μm)、将基材的厚度设为c(μm)时，c/a、c/b及a/b分别被设定为特定范围内的半导体加工用片(参照专利文献3)；b阶状态的膜状粘接剂(即，粘接片)在25℃下的断裂伸长率及弹性模量、以及将切割片(即，切割胶带)的厚度设为a、将膜状粘接剂的厚度设为b时的a/b分别被设定为特定范围内的半导体加工用片(参照专利文献4)。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2011-171588号公报
专利文献2：日本特开2011-228399号公报
专利文献3：日本特开2012-222002号公报
专利文献4：日本特开2009-283925号公报
技术实现要素：
发明要解决的问题
对于具备膜状粘接剂的半导体加工用片而言，特别是从提高利用膜状粘接剂的扩片的切断特性的观点考虑，期望性能的进一步提高。
因此，本发明的目的在于，提供一种具备膜状粘接剂的新型半导体加工用片，其具有基于扩片的良好的切断特性。
解决问题的方法
为了解决上述课题，本发明提供一种膜状粘接剂，其是固化性的膜状粘接剂，厚度为60μm的固化前的单层的上述膜状粘接剂、或者将固化前的2层以上的上述膜状粘接剂按照总厚度为60μm的方式层叠而得到的层叠体在0℃下的断裂伸长率为60％以下，固化前的上述膜状粘接剂对半导体晶片的粘接力为300mn/25mm以上。
另外，本发明提供一种在支撑片上设置有上述膜状粘接剂的半导体加工用片。
作为本发明的半导体加工用片，优选上述支撑片是在基材上设置粘合剂层而得到的，且上述膜状粘接剂直接接触地设置于上述粘合剂层上。
另外，本发明提供一种半导体装置的制造方法，其是使用了上述膜状粘接剂的半导体装置的制造方法，该方法包括：形成层叠结构体的层叠结构体形成工序，所述层叠结构体是在支撑片上设置上述膜状粘接剂，在上述膜状粘接剂的与设置有上述支撑片的一侧相反侧的表面设置分割好的多个半导体芯片而成的；切断工序，一边将上述层叠结构体的膜状粘接剂冷却，一边在沿着上述膜状粘接剂的表面的方向进行扩片，将膜状粘接剂切断；以及分离工序，将具备切断后的上述膜状粘接剂的上述半导体芯片从上述支撑片上分离。
在本发明的半导体装置的制造方法中，可以在上述层叠结构体形成工序之前进一步具有：改性层形成工序，聚焦于设定在半导体晶片内部的焦点来照射红外区域的激光，从而在上述半导体晶片的内部形成改性层；分割工序，在形成了上述改性层的上述半导体晶片中，对用于设置上述膜状粘接剂的面进行磨削，同时对上述半导体晶片施加磨削时的力，在上述改性层的部位将上述半导体晶片分割，从而得到多个半导体芯片，其中，在上述层叠结构体形成工序中使用在上述分割工序中得到的多个半导体芯片。
发明的效果
根据本发明，可提供具备膜状粘接剂的新型半导体加工用片，其具有基于扩片的良好的切断特性。
附图说明
图1是示意性地示出本发明的半导体加工用片的一个实施方式的剖面图。
图2是用于示意性地说明使用了本发明的膜状粘接剂或半导体加工用片的情况下的半导体装置的制造方法的一个实施方式的剖面图。
图3是用于示意性地说明在半导体晶片上形成槽而得到半导体芯片的方法的一个实施方式的剖面图。
图4是用于示意性地说明在半导体晶片上形成改性层而得到半导体芯片的方法的一个实施方式的剖面图。
符号说明
1…半导体加工用片
10…支撑片
11…基材
12…粘合剂层
12a…粘合剂层的表面
13…膜状粘接剂
13’…切断后的膜状粘接剂
101…层叠结构体
8…半导体芯片
8’…半导体晶片
81’…半导体晶片的改性层
8b’…半导体晶片的背面
具体实施方式
＜膜状粘接剂＞
本发明的膜状粘接剂是固化性的膜状粘接剂，厚度为60μm的固化前的单层的上述膜状粘接剂、或者将固化前的2层以上的上述膜状粘接剂按照总厚度为60μm的方式层叠而得到的层叠体在0℃下的断裂伸长率为60％以下，固化前的上述膜状粘接剂对于半导体晶片的粘接力为300mn/25mm以上。
本发明的膜状粘接剂通过使上述断裂伸长率为60％以下，在如后文所述那样构成半导体加工用片的情况下，在低温下进行沿着该片(即，膜状粘接剂)的表面的方向使其扩展的所谓扩片时，可容易地在目标部位进行切断。
另外，本发明的膜状粘接剂通过使上述粘接力为300mn/25mm以上，如上述那样在低温下进行扩片时，可在目标部位进行切断，且不会伴有膜状粘接剂的缺损等异常。推测这是由于，通过使膜状粘接剂对于半导体晶片具有足够的粘接力，在膜状粘接剂扩片时，扩片时的力容易集中于膜状粘接剂中半导体芯片的端部附近的区域。另一方面，上述粘接力低于300mn/25mm的情况下，膜状粘接剂在低温下变脆，因此，在扩片后的膜状粘接剂中，在半导体芯片的端部附近以外的区域产生了缺损等，此外，由此而导致在膜状粘接剂中扩片时的力发生分散，膜状粘接剂在目标部位的切断变得不充分。需要说明的是，固化前的膜状粘接剂对于半导体晶片和半导体芯片显示同等的粘接力。
上述膜状粘接剂具有固化性。上述膜状粘接剂优选具有热固化性，并优选具有压敏粘接性。同时具有热固化性及压敏粘接性的膜状粘接剂在未固化状态下可以通过轻轻地按压于各种被粘附物而粘贴。另外，膜状粘接剂也可以是能够通过加热使其软化而粘贴于各种被粘附物上的膜状粘接剂。膜状粘接剂通过固化而最终成为抗冲击性高的固化物，该固化物在严酷的高温/高湿度条件下也能够保持足够的粘接特性。
膜状粘接剂可以由1层(即，单层)构成，也可以由2层以上的多层构成。膜状粘接剂由多层构成的情况下，其多层相互间可以相同也可以不同，这些多层的组合只要不损害本发明的效果，就没有特别限定。
需要说明的是，在本说明书中，“多层相互间可以相同也可以不同”是指“可以是所有层均相同，也可以是所有层均不同，还可以是仅部分层相同”，此外，“多层互不相同”是指“各层的构成材料及厚度中的至少一者互不相同”，这些并不限定于膜状粘接剂的情况。
上述膜状粘接剂的厚度没有特别限定，优选为1μm～50μm、更优选为3μm～40μm。通过使膜状粘接剂的厚度为上述下限值以上，可获得对被粘附物(即半导体芯片)的更高的粘接力。另外，通过使膜状粘接剂的厚度为上述上限值以下，可以通过后文叙述的扩片更容易地将膜状粘接剂切断。
这里，“膜状粘接剂的厚度”是指膜状粘接剂整体的厚度，例如，由多层构成的膜状粘接剂的厚度是指构成膜状粘接剂的所有层的总厚度。需要说明的是，作为膜状粘接剂的厚度的测定方法，例如可以举出使用接触式测厚仪在任意5个部位测定厚度，并计算出测定值的平均的方法等。
用于求出上述断裂伸长率的对象的上述层叠体为：将厚度低于60μm的固化前的膜状粘接剂按照总厚度为60μm地层叠2层以上而得到的层叠体。
上述膜状粘接剂或层叠体在0℃下的断裂伸长率(％)可以通过以下方法来测定。
即，将宽度为6mm、长度为5mm、厚度为60μm的上述膜状粘接剂或层叠体作为试验片，将对该试验片施加的载荷从1n至18n以1n/分的比例变化并进行拉伸，测定断裂时试验片的伸长率，由此求出断裂伸长率。
需要说明的是，在本说明书中，“断裂伸长率为x％(式中，x为正数)”是指，在上述的测定方法中，对试验片(即，膜状粘接剂或层叠体)进行拉伸，试验片在其拉伸方向仅伸长了原长(即，未拉伸时的长度)的x％的长度时，也就是试验片在拉伸方向的整体的长度达到了拉伸前的长度的[1+x/100]倍时，试验片断裂。
上述膜状粘接剂或层叠体的断裂伸长率(％)为60％以下、优选为57％以下、更优选为54％以下。通过使上述断裂伸长率为上述上限值以下，上述膜状粘接剂可更良好地通过扩片而被切断。
另外，上述膜状粘接剂或层叠体的断裂伸长率(％)的下限值没有特别限定，例如优选为5％。通过使上述断裂伸长率为上述下限值以上，膜状粘接剂的操作性提高，并且，抑制扩片时的膜状粘接剂的飞散的效果提高。
上述断裂伸长率(％)例如可以通过调节膜状粘接剂的含有成分的种类及量等来进行适宜调节。
例如，可以通过调节后文叙述的聚合物成分(a)的分子量及含量、构成环氧类热固性树脂(b)的成分的结构、软化点及含量、以及填充剂(c)的含量等而容易地调节上述断裂伸长率。
但是，上述调节方法只不过是一个例子。
固化前的上述膜状粘接剂对于半导体晶片的粘接力(n/25mm)可以通过以下的方法来测定。
即，制作宽度为25mm、长度任意的膜状粘接剂及胶粘带的层叠片。该层叠片是在胶粘带的粘合面上层叠膜状粘接剂而成的。接着，利用加热至40～70℃的膜状粘接剂将该层叠片粘贴于半导体晶片，制作胶粘带、膜状粘接剂及半导体晶片依次层叠而成的层叠物。将制作后的该层叠物立即在15～27℃的环境下静置30分钟，然后按照膜状粘接剂及半导体晶片相互接触的面彼此间成180°的角度的方式进行将膜状粘接剂及胶粘带的层叠片从半导体晶片上分离的所谓的180°剥离。测定此时的剥离力，将该测定值作为固化前的膜状粘接剂对于半导体晶片的粘接力(n/25mm)。供于测定的上述层叠片的长度只要为能够稳定地测定剥离力的范围即可，没有特别限定，优选为100mm～300mm。
固化前的上述膜状粘接剂对于半导体晶片的粘接力为300mn/25mm以上，可以设为例如310mn/25mm以上、340mn/25mm以上、380mn/25mm以上等任意的范围，但并不限定于此。
另外，上述粘接力的上限值没有特别限定，可以从例如10n/25mm、800mn/25mm、700mn/25mm、600mn/25mm、500mn/25mm等中选择，但这些只是一个例子。
固化前的上述膜状粘接剂对于半导体晶片的粘接力例如可以通过调节膜状粘接剂的含有成分的种类及量等来适宜调节。
例如，可以通过调节后文叙述的聚合物成分(a)的分子量、构成聚合物成分(a)的各单体成分的比率、构成环氧类热固性树脂(b)的成分的软化点、及膜状粘接剂的各含有成分的含量等而容易地调节膜状粘接剂的上述粘接力。
但是，上述调节方法只不过是一个例子。
本发明的膜状粘接剂即使在比较慢的扩片速度下也显示良好的切断特性。例如，本发明的膜状粘接剂特别适合于在后文所述那样使扩片速度为0.5～100mm/秒等减慢扩片速度而使用的情况。这样地扩片速度慢的情况下，在膜状粘接剂切断时，半导体芯片更加不易受到损伤，可更显著地获得本发明的效果。
作为优选的膜状粘接剂，可以举出例如含有聚合物成分(a)及环氧类热固性树脂(b)的膜状粘接剂。
[粘接剂组合物]
膜状粘接剂可以由含有其构成材料的粘接剂组合物而形成。例如，可以通过在膜状粘接剂的形成对象面上涂敷粘接剂组合物、并根据需要使其干燥而在目标部位形成膜状粘接剂。膜状粘接剂的更具体的形成方法与其它层的形成方法一起在后面详细进行说明。粘接剂组合物中的在常温下不发生气化的成分彼此的含量比率通常与膜状粘接剂的上述成分彼此的含量比率相同。需要说明的是，在本说明书中，“常温”是指不特别进行冷却、也不进行加热的温度，也就是平常的温度，例如可以举出15～25℃的温度等。
粘接剂组合物的涂敷可以按照公知的方法来进行，可以举出例如使用气刀涂布机、刮板涂布机、棒涂机、凹版涂布机、缺角轮涂布机(commacoater)、辊涂机、辊刀涂布机、帘流涂布机、模涂机、刮刀涂布机、丝网涂布机、迈耶棒涂机、吻合式涂布机等各种涂布机的方法。
粘接剂组合物的干燥条件没有特别限定，粘接剂组合物含有后文叙述的溶剂的情况下，优选使其加热干燥，该情况下，例如优选在70～130℃、10秒钟～5分钟的条件进行干燥。
作为优选的粘接剂组合物，可以举出例如含有聚合物成分(a)及环氧类热固性树脂(b)的粘接剂组合物。以下，对各成分进行说明。
(聚合物成分(a))
聚合物成分(a)是聚合性化合物发生聚合反应而形成的成分，是用于对膜状粘接剂赋予成膜性、挠性等，同时使半导体芯片等对于粘接对象的粘接性(即，粘贴性)提高的聚合物化合物。另外，聚合物成分(a)还是不属于后文叙述的环氧树脂(b1)及热固化剂(b2)的成分。
粘接剂组合物及膜状粘接剂所含的聚合物成分(a)可以仅为一种，也可以为两种以上，为两种以上的情况下，它们的组合及比率可以任意选择。
作为聚合物成分(a)，可以举出例如：丙烯酸类树脂、聚酯、氨基甲酸酯类树脂、丙烯酸氨基甲酸酯类树脂、有机硅类树脂、橡胶类树脂、苯氧基树脂、热固性聚酰亚胺等，优选丙烯酸类树脂。
作为聚合物成分(a)中的上述丙烯酸类树脂，可以举出公知的丙烯酸类聚合物。
丙烯酸类树脂的重均分子量(mw)优选为10000～2000000、更优选为100000～1500000。通过使丙烯酸类树脂的重均分子量为这样的范围内，可容易地将膜状粘接剂或层叠体的上述断裂伸长率及膜状粘接剂的上述粘接力调节为上述的范围。
另一方面，通过使丙烯酸类树脂的重均分子量为上述下限值以上，膜状粘接剂的形状稳定性(保管时的经时稳定性)提高。另外，通过使丙烯酸类树脂的重均分子量为上述上限值以下，膜状粘接剂容易追随被粘附物的凹凸面，可以进一步抑制在被粘附物与膜状粘接剂之间产生空隙等。
需要说明的是，在本说明书中，只要没有特别说明，“数均分子量”及“重均分子量”是通过凝胶渗透色谱(gpc)法测定的聚苯乙烯换算值。
丙烯酸类树脂的玻璃化转变温度(tg)优选为-60～70℃、更优选为
-30～50℃。通过使丙烯酸类树脂的tg为上述下限值以上，可抑制膜状粘接剂和后文叙述的支撑片间的粘接力，在拾取时，具备膜状粘接剂的半导体芯片从支撑片上的分离变得更容易。另外，通过使丙烯酸类树脂的tg为上述上限值以下，膜状粘接剂和半导体芯片间的粘接力提高。需要说明的是，在本说明书中，“玻璃化转变温度”是使用差示扫描量热仪测定试料的dsc曲线，以所得到的dsc曲线的拐点的温度表示。
作为丙烯酸类树脂，可以举出例如具有由(甲基)丙烯酸酯单体衍生的结构单元的(甲基)丙烯酸酯共聚物。在此，作为构成丙烯酸类树脂的上述(甲基)丙烯酸酯，可以举出例如：(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸正丙酯、(甲基)丙烯酸异丙酯、(甲基)丙烯酸正丁酯、(甲基)丙烯酸异丁酯、(甲基)丙烯酸仲丁酯、(甲基)丙烯酸叔丁酯、(甲基)丙烯酸戊酯、(甲基)丙烯酸己酯、(甲基)丙烯酸庚酯、(甲基)丙烯酸2-乙基己酯、(甲基)丙烯酸异辛酯、(甲基)丙烯酸正辛酯、(甲基)丙烯酸正壬酯、(甲基)丙烯酸异壬酯、(甲基)丙烯酸癸酯、(甲基)丙烯酸十一烷基酯、(甲基)丙烯酸十二烷基酯(也称为(甲基)丙烯酸月桂酯)、(甲基)丙烯酸十三烷基酯、(甲基)丙烯酸十四烷基酯(也称为(甲基)丙烯酸肉豆蔻酯)、(甲基)丙烯酸十五烷基酯、(甲基)丙烯酸十六烷基酯(也称为(甲基)丙烯酸棕榈酯)、(甲基)丙烯酸十七烷基酯、(甲基)丙烯酸十八烷基酯(也称为(甲基)丙烯酸硬脂酯)等构成烷基酯的烷基的碳原子数为1～18的链状结构的(甲基)丙烯酸烷基酯；
(甲基)丙烯酸异冰片酯、(甲基)丙烯酸二环戊酯等(甲基)丙烯酸环烷基酯；
(甲基)丙烯酸苄酯等(甲基)丙烯酸芳烷基酯；
(甲基)丙烯酸二环戊烯酯等(甲基)丙烯酸环烯基酯；
(甲基)丙烯酸二环戊烯氧基乙酯等(甲基)丙烯酸环烯氧基烷基酯；
(甲基)丙烯酰亚胺；
(甲基)丙烯酸缩水甘油酯等含缩水甘油基的(甲基)丙烯酸酯；
(甲基)丙烯酸羟基甲酯、(甲基)丙烯酸2-羟基乙酯、(甲基)丙烯酸2-羟基丙酯、(甲基)丙烯酸3-羟基丙酯、(甲基)丙烯酸2-羟基丁酯、(甲基)丙烯酸3-羟基丁酯、(甲基)丙烯酸4-羟基丁酯等含羟基的(甲基)丙烯酸酯；
(甲基)丙烯酸n-甲基氨基乙酯等含有取代氨基的(甲基)丙烯酸酯等。其中，“取代氨基”是指，氨基的1个或2个氢原子被氢原子以外的基团取代而成的基团。
需要说明的是，在本说明书中，所述“(甲基)丙烯酸”的概念包括“丙烯酸”及“甲基丙烯酸”这两者。与(甲基)丙烯酸类似的用语也同样，例如，“(甲基)丙烯酸酯”的概念包括“丙烯酸酯”及“甲基丙烯酸酯”这两者，“(甲基)丙烯酰基”的概念包括“丙烯酰基”及“甲基丙烯酰基”这两者。
丙烯酸类树脂例如也可以是除了上述(甲基)丙烯酸酯以外、还共聚有选自(甲基)丙烯酸、衣康酸、乙酸乙烯酯、丙烯腈、苯乙烯及n-羟甲基丙烯酰胺等中的一种或两种以上单体而成的。
构成丙烯酸类树脂的单体可以仅为一种，也可以为两种以上，为两种以上的情况下，它们的组合及比率可以任意选择。
丙烯酸类树脂除了上述羟基以外，还可以具有乙烯基、(甲基)丙烯酰基、氨基、羧基、异氰酸酯基等能够与其它化合物键合的官能团。丙烯酸类树脂的以羟基为代表的上述官能团可以通过后文叙述的交联剂(f)与其它化合物键合，也可以不借助交联剂(f)而直接与其它化合物键合。丙烯酸类树脂通过上述官能团而与其它化合物键合时，使用膜状粘接剂而得到的封装件的可靠性有提高的倾向。
在本发明中，作为聚合物成分(a)，可以不使用丙烯酸类树脂而单独使用丙烯酸类树脂以外的热塑性树脂(以下，有时简称为“热塑性树脂”)，也可以将丙烯酸类树脂以外的热塑性树脂与丙烯酸类树脂组合使用。通过含有上述热塑性树脂，在拾取时，具备膜状粘接剂的半导体芯片从支撑片上的分离变得更容易，膜状粘接剂容易追随被粘附物的凹凸面，可以进一步抑制在被粘附物与膜状粘接剂之间产生空隙等。
上述热塑性树脂的重均分子量优选为1000～100000、更优选为3000～80000。
上述热塑性树脂的玻璃化转变温度(tg)优选为-30～150℃、更优选为-20～120℃。
作为上述热塑性树脂，可以举出例如：聚酯、聚氨酯、苯氧基树脂、聚丁烯、聚丁二烯、聚苯乙烯等。
粘接剂组合物及膜状粘接剂所含的上述热塑性树脂可以仅为一种，也可以为两种以上，为两种以上的情况下，它们的组合及比率可以任意选择。
在粘接剂组合物中，不依赖于聚合物成分(a)的种类，相对于溶剂以外的全部成分的总含量，聚合物成分(a)的含量比例(即，膜状粘接剂中聚合物成分(a)的含量)优选为20～75质量％、更优选为30～65质量％。
(环氧类热固性树脂(b))
环氧类热固性树脂(b)包含环氧树脂(b1)及热固化剂(b2)。
粘接剂组合物及膜状粘接剂所含的环氧类热固性树脂(b)可以仅为一种，也可以为两种以上，为两种以上的情况下，它们的组合及比率可以任意选择。
·环氧树脂(b1)
作为环氧树脂(b1)，可以举出公知的环氧树脂，可以举出例如：多官能类环氧树脂、联苯化合物、双酚a缩水甘油醚及其氢化物、邻甲酚酚醛清漆环氧树脂、二环戊二烯型环氧树脂、联苯型环氧树脂、双酚a型环氧树脂、双酚f型环氧树脂、亚苯基骨架型环氧树脂等2官能以上的环氧化合物。
作为环氧树脂(b1)，可以使用具有不饱和烃基的环氧树脂。与不具有不饱和烃基的环氧树脂相比，具有不饱和烃基的环氧树脂与丙烯酸类树脂的相容性高。因此，通过含有具有不饱和烃基的环氧树脂，使用膜状粘接剂而得到的封装件的可靠性提高。
作为具有不饱和烃基的环氧树脂，可以举出例如多官能类环氧树脂的部分环氧基团被转换为具有不饱和烃基的基团而成的化合物。这样的化合物例如可以通过使(甲基)丙烯酸或其衍生物与环氧基团进行加成反应而获得。需要说明的是，在本说明书中，只要没有特别说明，“衍生物”是指，原化合物的1个以上基团被其以外的基团(即，取代基)取代而成的化合物。这里，“基团”不仅包括多个原子键合而成的原子团，也包括1个原子的基团。
另外，作为具有不饱和烃基的环氧树脂，可以举出例如具有不饱和烃基的基团直接键合于构成环氧树脂的芳香环等而成的化合物等。
不饱和烃基是具有聚合性的不饱和基团，作为其具体例子，可以举出乙烯基(即vinylgroup)、2-丙烯基(即，烯丙基)、(甲基)丙烯酰基、(甲基)丙烯酰胺基等，优选丙烯酰基。
环氧树脂(b1)的数均分子量没有特别限定，从膜状粘接剂的固化性、以及固化后的膜状粘接剂的强度及耐热性方面出发，优选为300～30000、更优选为400～10000、特别优选为500～3000。
环氧树脂(b1)的环氧当量优选为100～1000g/eq、更优选为150～800g/eq。
粘接剂组合物及膜状粘接剂所含的环氧树脂(b1)可以仅为一种，也可以为两种以上，为两种以上的情况下，它们的组合及比率可以任意选择。
·热固化剂(b2)
热固化剂(b2)作为环氧树脂(b1)的固化剂发挥功能。
作为热固化剂(b2)，可列举例如：在1分子中具有2个以上能够与环氧基团反应的官能团的化合物。作为上述官能团，可列举例如：酚羟基、醇羟基、氨基、羧基、酸基经酸酐化而成的基团等，优选为酚羟基、氨基、或酸基经酸酐化而成的基团，更优选为酚羟基或氨基。
作为热固化剂(b2)中的具有酚羟基的酚类固化剂，可列举例如：多官能酚醛树脂、联苯酚、酚醛清漆型酚醛树脂、双环戊二烯类酚醛树脂、芳烷基酚醛树脂等。
作为热固化剂(b2)中的具有氨基的胺类固化剂，可列举例如：双氰胺(dicy)等。
热固化剂(b2)也可以是具有不饱和烃基的热固化剂。
作为具有不饱和烃基的热固化剂(b2)，可列举例如：酚醛树脂的羟基的一部分被具有不饱和烃基的基团取代而成的化合物、具有不饱和烃基的基团直接键合于酚醛树脂的芳环而成的化合物等。
热固化剂(b2)中的上述不饱和烃基是与上述具有不饱和烃基的环氧树脂中的不饱和烃基相同的基团。
使用酚类固化剂作为热固化剂(b2)的情况下，从容易将膜状粘接剂的上述粘接力调节为上述范围的观点出发，热固化剂(b2)优选软化点或玻璃化转变温度高的热固化剂。
热固化剂(b2)中，例如多官能酚醛树脂、酚醛清漆型酚醛树脂、双环戊二烯类酚醛树脂、芳烷基酚醛树脂等树脂成分的数均分子量优选为300～30000、更优选为400～10000、特别优选为500～3000。
热固化剂(b2)中，例如联苯酚、双氰胺等非树脂成分的分子量没有特别限定，例如优选为60～500。
粘接剂组合物及膜状粘接剂所含的热固化剂(b2)可以仅为一种，也可以为两种以上，为两种以上的情况下，它们的组合及比率可以任意选择。
在粘接剂组合物及膜状粘接剂中，相对于环氧树脂(b1)的含量100质量份，热固化剂(b2)的含量优选为0.1～500质量份、更优选为1～200质量份。通过使热固化剂(b2)的上述含量为上述下限值以上，更容易进行膜状粘接剂的固化。另外，通过使热固化剂(b2)的上述含量为上述上限值以下，膜状粘接剂的吸湿率降低，使用膜状粘接剂得到的封装件的可靠性进一步提高。
在粘接剂组合物及膜状粘接剂中，将聚合物成分(a)的含量设为100质量份时，环氧类热固性树脂(b)的含量(即，环氧树脂(b1)及热固化剂(b2)的总含量)优选为5～100质量份、更优选为7～90质量份、特别优选为9～80质量份，例如可以为9～70质量份、9～60质量份、9～50质量份、及9～40质量份等任意的范围。通过使环氧类热固性树脂(b)的上述含量为这样的范围，可容易地将膜状粘接剂或层叠体的上述断裂伸长率及膜状粘接剂的上述粘接力调节为上述的范围。
对于上述膜状粘接剂而言，为了改善其各种物性，除了聚合物成分(a)及环氧类热固性树脂(b)以外，还可以根据需要含有不属于上述成分的其它成分。
作为上述膜状粘接剂所含有的优选的其它成分，可以举出例如固化促进剂(c)、填充材料(d)、偶联剂(e)、交联剂(f)、能量线固化性树脂(g)、光聚合引发剂(h)、通用添加剂(i)等。
(固化促进剂(c))
固化促进剂(c)是用于调节粘接剂组合物的固化速度的成分。
作为优选的固化促进剂(c)，可列举例如：三亚乙基二胺、苄基二甲基胺、三乙醇胺、二甲基氨基乙醇、三(二甲基氨基甲基)苯酚等叔胺；2-甲基咪唑、2-苯基咪唑、2-苯基-4-甲基咪唑、2-苯基-4,5-二羟基甲基咪唑、2-苯基-4-甲基-5-羟基甲基咪唑等咪唑类(即，1个以上氢原子被氢原子以外的基团取代而成的咪唑)；三丁基膦、二苯基膦、三苯基膦等有机膦类(即，1个以上氢原子被有机基团取代而成的膦)；四苯基
粘接剂组合物及膜状粘接剂所含的固化促进剂(c)可以仅为一种，也可以为两种以上，为两种以上的情况下，它们的组合及比率可以任意选择。
使用固化促进剂(c)的情况下，在粘接剂组合物及膜状粘接剂中，将环氧类热固性树脂(b)的含量设为100质量份时，固化促进剂(c)的含量优选为0.01～10质量份、更优选为0.1～5质量份。通过使固化促进剂(c)的含量在上述的下限值以上，可更显著地获得使用固化促进剂(c)所带来的效果。另外，通过使固化促进剂(c)的含量在上述的上限值以下，例如对于高极性的固化促进剂(c)在高温/高湿度条件下在膜状粘接剂中向与被粘附物的粘接界面侧移动而发生偏析的抑制效果提高，使用半导体加工用片而得到的封装件的可靠性进一步提高。
(填充材料(d))
膜状粘接剂通过含有填充材料(d)，其热膨胀系数的调整变得容易，通过对于膜状粘接剂的粘贴对象物而优化该热膨胀系数，使用膜状粘接剂而得到的封装件的可靠性进一步提高。另外，通过使膜状粘接剂含有填充材料(d)，还可以降低固化后的膜状粘接剂的吸湿率、提高放热性。
填充材料(d)可以是有机填充材料及无机填充材料中的任意材料，但优选为无机填充材料。
作为优选的无机填充材料，可列举例如：二氧化硅、氧化铝、滑石、碳酸钙、钛白、铁红、碳化硅、氮化硼等粉末；将这些无机填充材料制成球形而成的珠粒；这些无机填充材料的表面改性品；这些无机填充材料的单晶纤维；玻璃纤维等。
这些材料中，优选无机填充材料为二氧化硅或氧化铝。
粘接剂组合物及膜状粘接剂所含的填充材料(d)可以仅为一种，也可以为两种以上，为两种以上的情况下，它们的组合及比率可以任意选择。
使用填充材料(d)的情况下，在粘接剂组合物中，填充材料(d)的含量相对于溶剂以外的全部成分的总含量的比例(即，膜状粘接剂中填充材料(d)的含量)优选为5～80质量％、更优选为7～60质量％。通过使填充材料(d)的含量为这样的范围，上述热膨胀系数的调整变得更容易。
(偶联剂(e))
膜状粘接剂通过含有偶联剂(e)，对于被粘附物的粘接性及密合性提高。另外，膜状粘接剂通过含有偶联剂(e)，其固化物的耐水性提高，且不会损害耐热性。偶联剂(e)具有能够与无机化合物或有机化合物反应的官能团。
偶联剂(e)优选为具有能够与聚合物成分(a)、环氧类热固性树脂(b)等所具有的官能团反应的官能团的化合物，更优选为硅烷偶联剂。
作为优选的上述硅烷偶联剂，可列举例如：3-环氧丙氧基丙基三甲氧基硅烷、3-环氧丙氧基丙基甲基二乙氧基硅烷、3-环氧丙氧基丙基三乙氧基硅烷、3-环氧丙氧基甲基二乙氧基硅烷、2-(3,4-环氧环己基)乙基三甲氧基硅烷、3-甲基丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷、3-氨基丙基三甲氧基硅烷、3-(2-氨基乙基氨基)丙基三甲氧基硅烷、3-(2-氨基乙基氨基)丙基甲基二乙氧基硅烷、3-(苯基氨基)丙基三甲氧基硅烷、3-苯胺基丙基三甲氧基硅烷、3-脲丙基三乙氧基硅烷、3-巯基丙基三甲氧基硅烷、3-巯基丙基甲基二甲氧基硅烷、双(3-三乙氧基甲硅烷基丙基)四硫化物、甲基三甲氧基硅烷、甲基三乙氧基硅烷、乙烯基三甲氧基硅烷、乙烯基三乙酰氧基硅烷、咪唑硅烷等。
粘接剂组合物及膜状粘接剂所含的偶联剂(e)可以仅为一种，也可以为两种以上，为两种以上的情况下，它们的组合及比率可以任意选择。
使用偶联剂(e)的情况下，在粘接剂组合物及膜状粘接剂中，将聚合物成分(a)及环氧类热固性树脂(b)的总含量设为100质量份时，偶联剂(e)的含量优选为0.03～20质量份、更优选为0.05～10质量份、特别优选为0.1～5质量份。
通过使偶联剂(e)的上述含量为上述下限值以上，可更显著地获得填充材料(d)在树脂中的分散性的提高、膜状粘接剂与被粘附物的粘接性的提高等使用偶联剂(e)所带来的效果。另外，通过使偶联剂(e)的上述含量在上述上限值以下，可进一步抑制脱气(outgas)的发生。
(交联剂(f))
在使用上述的丙烯酸类树脂等具有能够与其它化合物键合的乙烯基、(甲基)丙烯酰基、氨基、羟基、羧基、异氰酸酯基等官能团的成分作为聚合物成分(a)的情况下，粘接剂组合物及膜状粘接剂还可以含有用于使上述官能团与其它化合物键合而交联的交联剂(f)。通过使用交联剂(f)来进行交联，可以调节膜状粘接剂的初始粘接力及凝聚力。
作为交联剂(f)，可列举例如：有机多异氰酸酯化合物、有机多亚胺化合物、金属螯合物类交联剂(即，具有金属螯合物结构的交联剂)、氮丙啶类交联剂(即，具有氮丙啶基的交联剂)等。
作为上述有机多异氰酸酯化合物，可列举例如：芳香族多异氰酸酯化合物、脂肪族多异氰酸酯化合物及脂环族多异氰酸酯化合物(以下也将这些化合物统一简称为“芳香族多异氰酸酯化合物等”)；上述芳香族多异氰酸酯化合物等三聚物、异氰脲酸酯体及加合物；使上述芳香族多异氰酸酯化合物等和多元醇化合物反应而得到的末端异氰酸酯氨基甲酸酯预聚物等。上述“加合物”表示上述芳香族多异氰酸酯化合物、脂肪族多异氰酸酯化合物或脂环族多异氰酸酯化合物与乙二醇、丙二醇、新戊二醇、三羟甲基丙烷或蓖麻油等低分子含活泼氢化合物的反应物，作为其例子，可列举如后文所述的三羟甲基丙烷的苯二亚甲基二异氰酸酯加成物等。另外，所述“末端异氰酸酯氨基甲酸酯预聚物”如前面所说明。
作为上述有机多异氰酸酯化合物，更具体地，可列举例如：2,4-甲苯二异氰酸酯；2,6-甲苯二异氰酸酯；1,3-苯二亚甲基二异氰酸酯；1,4-二甲苯二异氰酸酯；二苯基甲烷-4,4’-二异氰酸酯；二苯基甲烷-2,4’-二异氰酸酯；3-甲基二苯基甲烷二异氰酸酯；六亚甲基二异氰酸酯；异佛尔酮二异氰酸酯；二环己基甲烷-4,4’-二异氰酸酯；二环己基甲烷-2,4’-二异氰酸酯；三羟甲基丙烷等多元醇的全部或部分羟基上加成有甲苯二异氰酸酯、六亚甲基二异氰酸酯及苯二亚甲基二异氰酸酯中的任意一种或两种以上而成的化合物；赖氨酸二异氰酸酯等。
作为上述有机多亚胺化合物，可列举例如：n,n’-二苯基甲烷-4,4’-双(1-氮丙啶甲酰胺)、三羟甲基丙烷-三-β-氮丙啶基丙酸酯、四羟甲基甲烷-三-β-氮丙啶基丙酸酯、n,n’-甲苯-2,4-双(1-氮丙啶甲酰胺)三亚乙基三聚氰胺等。
在使用有机多异氰酸酯化合物作为交联剂(f)的情况下，作为聚合物成分(a)，优选使用含羟基的聚合物。交联剂(f)具有异氰酸酯基、聚合物成分(a)具有羟基的情况下，可以通过交联剂(f)与聚合物成分(a)的反应而简便地向膜状粘接剂中导入交联结构。
粘接剂组合物及膜状粘接剂所含的交联剂(f)可以仅为一种，也可以为两种以上，为两种以上的情况下，它们的组合及比率可以任意选择。
在使用交联剂(f)的情况下，在粘接剂组合物中，将聚合物成分(a)的含量设为100质量份时，交联剂(f)的含量优选为0.01～20质量份、更优选为0.1～10质量份、特别优选为0.3～5质量份。通过使交联剂(f)的上述含量为上述下限值以上，可更显著地获得使用交联剂(f)所带来的效果。另外，通过使交联剂(f)的上述含量为上述上限值以下，可抑制交联剂(f)的过量使用。
(能量线固化性树脂(g))
膜状粘接剂通过含有能量线固化性树脂(g)，可以通过能量线照射来改变特性。
能量线固化性树脂(g)是将能量线固化性化合物聚合(固化)而得到的树脂。
作为上述能量线固化性化合物，可列举例如：分子内至少具有1个聚合性双键的化合物，优选为具有(甲基)丙烯酰基的丙烯酸酯类化合物。
作为上述丙烯酸酯类化合物，可列举例如：三羟甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、四羟甲基甲烷四(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇四(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇单羟基五(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、1,4-丁二醇二(甲基)丙烯酸酯、1,6-己二醇二(甲基)丙烯酸酯等含链状脂肪族骨架的(甲基)丙烯酸酯；二(甲基)丙烯酸二环戊酯等含环状脂肪族骨架的(甲基)丙烯酸酯；聚乙二醇二(甲基)丙烯酸酯等聚亚烷基二醇(甲基)丙烯酸酯；低聚酯(甲基)丙烯酸酯；氨基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯低聚物；环氧改性(甲基)丙烯酸酯；上述聚亚烷基二醇(甲基)丙烯酸酯以外的聚醚(甲基)丙烯酸酯；衣康酸低聚物等。
能量线固化性树脂(g)的重均分子量优选为100～30000、更优选为300～10000。
粘接剂组合物所含的能量线固化性树脂(g)可以仅为一种，也可以为两种以上，为两种以上的情况下，它们的组合及比率可以任意选择。
使用能量线固化性树脂(g)的情况下，在粘接剂组合物中，能量线固化性树脂(g)的含量相对于溶剂以外的全部成分的总含量的比例优选为1～95质量％、更优选为5～90质量％、特别优选为10～85质量％。
(光聚合引发剂(h))
粘接剂组合物含有能量线固化性树脂(g)的情况下，为了效率良好地进行能量线固化性树脂(g)的聚合反应，可以含有光聚合引发剂(h)。
作为粘接剂组合物中的光聚合引发剂(h)，可以举出例如：苯偶姻、苯偶姻甲醚、苯偶姻乙醚、苯偶姻异丙醚、苯偶姻异丁醚、安息香苯甲酸、安息香苯甲酸甲酯、安息香双甲醚等苯偶姻化合物；苯乙酮、2-羟基-2-甲基-1-苯基丙烷-1-酮、2,2-二甲氧基-1,2-二苯基乙烷-1-酮等苯乙酮化合物；双(2,4,6-三甲基苯甲酰基)苯基氧化膦、2,4,6-三甲基苯甲酰基二苯基氧化膦等酰基氧化膦化合物；苄基苯基硫醚、一硫化四甲基秋兰姆等硫醚化合物；1-羟基环己基苯基酮等α-酮醇化合物；偶氮二异丁腈等偶氮化合物；二茂钛等二茂钛化合物；噻吨酮等噻吨酮化合物；过氧化合物；丁二酮等二酮化合物；二苯甲酰；联苄；二苯甲酮；2,4-二乙基噻吨酮；1,2-二苯基甲烷；2-羟基-2-甲基-1-[4-(1-甲基乙烯基)苯基]丙酮；1-氯蒽醌、2-氯蒽醌等醌化合物等。
另外，作为光聚合引发剂(h)，还可以举出例如胺等光敏剂等。
粘接剂组合物所含的光聚合引发剂(h)可以仅为一种，也可以为两种以上，为两种以上的情况下，它们的组合及比率可以任意选择。
使用光聚合引发剂(h)的情况下，在粘接剂组合物中，将能量线固化性树脂(g)的含量设为100质量份时，光聚合引发剂(h)的含量优选为0.1～20质量份、更优选为1～10质量份、特别优选为2～5质量份。
(通用添加剂(i))
通用添加剂(i)可以是公知的那些，可根据目的而任意选择，没有特别限定，作为优选的通用添加剂，可列举例如：增塑剂、抗静电剂、抗氧剂、着色剂(即，染料或颜料)、吸气剂等。
粘接剂组合物及膜状粘接剂所含的通用添加剂(i)可以仅为一种，也可以为两种以上，为两种以上的情况下，它们的组合及比率可以任意选择。
粘接剂组合物及膜状粘接剂的含量没有特别限定，可以根据目的适宜选择。
在粘接剂组合物及膜状粘接剂中，从膜状粘接剂的表面状态变得良好等提高成膜性的观点考虑，在将聚合物成分(a)、环氧类热固性树脂(b)及填充材料(d)的总含量(即，聚合物成分(a)、环氧树脂(b1)、热固化剂(b2)及填充材料(d)的总含量)设为100质量份时，聚合物成分(a)的含量优选为30质量份以上、更优选为38质量份以上。另外，从上述观点考虑，聚合物成分(a)的上述含量的上限值没有特别限定，但优选为65质量份。
另一方面，在粘接剂组合物及膜状粘接剂中，从提高膜状粘接剂的可靠性的观点考虑，在将聚合物成分(a)、环氧类热固性树脂(b)及填充材料(d)的总含量(即，聚合物成分(a)、环氧树脂(b1)、热固化剂(b2)及填充材料(d)的总含量)设为100质量份时，聚合物成分(a)的含量优选为45质量份以上。另外，从上述观点考虑，聚合物成分(a)的上述含量的上限值没有特别限定，但优选为65质量份。
(溶剂)
粘接剂组合物优选进一步含有溶剂。含有溶剂的粘接剂组合物的操作性变得良好。
上述溶剂没有特别限定，作为优选的溶剂，可以举出例如：甲苯、二甲苯等烃；甲醇、乙醇、2-丙醇、异丁醇(2-甲基丙烷-1-醇)、1-丁醇等醇；乙酸乙酯等酯；丙酮、甲乙酮等酮；四氢呋喃等醚；二甲基甲酰胺、n-甲基吡咯烷酮等酰胺(即，具有酰胺键的化合物)等。
粘接剂组合物所含的溶剂可以仅为一种，也可以为两种以上，为两种以上的情况下，它们的组合及比率可以任意选择。
从能够将粘接剂组合物中的含有成分更均匀地混合的观点考虑，粘接剂组合物所含的溶剂优选为甲乙酮等。
[粘接剂组合物的制造方法]
粘接剂组合物可通过配合用于构成其的各成分而得到。
配合各成分时的添加顺序没有特别限定，也可以同时添加两种以上的成分。
使用溶剂的情况下，可以通过将溶剂与溶剂以外的任意配合成分混合而将该配合成分预先稀释后使用，也可以不对溶剂以外的任意配合成分预先进行稀释，而是通过将溶剂与这些配合成分混合而使用。
对于配合时将各成分混合的方法没有特殊限定，从使搅拌子或搅拌桨等旋转而进行混合的方法、使用混合器进行混合的方法、施加超声波进行混合的方法等公知的方法中适当选择即可。
各成分的添加及混合时的温度及时间只要在不导致各配合成分劣化的情况下则没有特殊限定，适当调节即可，但优选温度为15～30℃。
◎半导体加工用片
本发明的半导体加工用片是在支撑片上设置上述本发明的膜状粘接剂而成的。
本发明的半导体加工用片适合在以下工序中使用：在其膜状粘接剂上设置预先分割好的多个半导体芯片，并在低温下进行使支撑片与膜状粘接剂一起在沿着该膜状粘接剂表面的方向扩展的所谓的扩片，由此将膜状粘接剂按照半导体芯片的外形进行切断。在与形成有电路的面(以下，有时简称为“电路形成面”)相反侧的面(即，背面)具备切断后的膜状粘接剂的半导体芯片(在本说明书中，有时称为“带膜状粘接剂的半导体芯片”)在拾取后用于半导体装置的制造。
通过使用本发明的半导体加工用片，在通过膜状粘接剂的扩片进行切断时，膜状粘接剂在目标部位被切断，同时，可抑制在其切断部位发生膜状粘接剂的缺损等异常，显示出优异的切断特性。因此，可以容易地将带膜状粘接剂的半导体芯片拾取而不伴有工序异常。
上述这样的通过膜状粘接剂的扩片而进行的切断优选在例如制造具备厚度较薄的半导体芯片的带膜状粘接剂的半导体芯片时使用。
分割好的多个半导体芯片例如可如下制作：从半导体晶片的与上述膜状粘接剂的粘贴面(即，背面)相反侧的电路形成面(即，表面)上形成槽，并对上述背面进行磨削直至到达该槽。这样地不用分割半导体晶片而残留槽的底部地切入半导体晶片的操作被称为半切。但是，在本发明中，“半切”并不是仅指槽的深度例如为半导体晶片的厚度的一半等、以特定的值切入半导体晶片的操作，而是指如上述那样残留槽的底部地对半导体晶片进行切入的全部操作。
作为上述形成槽的方法，可以举出例如：通过使用刀片来切入半导体晶片而形成槽的方法(即，刀片切割)、通过利用激光照射切入半导体晶片而形成槽的方法(即，激光切割)、通过喷吹包含研磨剂的水来切入半导体晶片而形成槽的方法(即，水切割)等。但是，在如上述那样通过磨削半导体晶片的一部分来制造半导体芯片的情况下，产生削去了半导体晶片的一部分(即，在半导体晶片上形成了槽)大小的半导体晶片的损失，由1张半导体晶片获得的半导体芯片的数量减少。另外，最终，与半导体芯片相比，切断后的膜状粘接剂变大，因此，在膜状粘接剂的切断时、以及后文所述的带膜状粘接剂的半导体芯片的拾取时，切断后的膜状粘接剂有时会卷在半导体芯片的侧面等。
另一方面，分割好的多个半导体芯片可以如下制作：聚焦于设定在半导体晶片内部的焦点来照射红外区域的激光，从而在半导体晶片的内部形成改性层，然后对半导体晶片的上述背面进行磨削，同时对于上述背面磨削中的半导体晶片施加磨削时的力，在上述改性层的形成部位将半导体晶片分割。该方法中，由于不存在削去半导体晶片的一部分的工序，因此，在抑制上述那样的半导体芯片的制作数的降低、切断后的膜状粘接剂向半导体芯片的侧面等的卷绕等方面是有利的。
＜＜支撑片＞＞
作为上述支撑片，可以举出具有基材的支撑片。这样的支撑片例如可以是由基材构成(即，仅具有基材)的支撑片，也可以是具有基材和基材以外的其它层的支撑片。作为上述具有其它层的支撑片，可以举出例如在基材上具备粘合剂层的支撑片。
在本发明的半导体加工用片中，上述膜状粘接剂被设置于支撑片上。因此，例如在支撑片为在基材上具备粘合剂层的支撑片的情况下，膜状粘接剂设置于粘合剂层上，在支撑片由基材构成的情况下，膜状粘接剂直接接触地设置于基材上。
上述支撑片可以由1层(即，单层)构成，也可以由2层以上的多层构成。支撑片由多层构成的情况下，其多层相互间可以相同也可以不同，这些多层的组合只要不损害本发明的效果就没有特别限定。
作为支撑片，优选在基材上设置有粘合剂层的支撑片，更优选在基材上直接接触地设置有粘合剂层而成的支撑片。
即，作为本发明的半导体加工用片，优选在基材上设有粘合剂层、并在粘合剂层上设有膜状粘接剂的支撑片，更优选在基材上直接接触地设有粘合剂层、并在粘合剂层上设有膜状粘接剂的支撑片，特别优选在基材直接接触地设有粘合剂层、并在粘合剂层上直接接触地设有膜状粘接剂的支撑片。
＜基材＞
上述基材的构成材料优选为各种树脂，更具体地，可以举出例如：聚乙烯(低密度聚乙烯(有时简称为ldpe)、直链低密度聚乙烯(有时简称为lldpe)、高密度聚乙烯(有时简称为hdpe)等))、聚丙烯、聚丁烯、聚丁二烯、聚甲基戊烯、苯乙烯-乙烯丁烯-苯乙烯嵌段共聚物、聚氯乙烯、氯乙烯共聚物、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸丁二醇酯、聚氨酯、聚氨酯丙烯酸酯、聚酰亚胺、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、离聚物树脂、乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物、乙烯-(甲基)丙烯酸酯共聚物、聚苯乙烯、聚碳酸酯、氟树脂、以及这些中的任意树脂的加氢产物、改性物、交联物或共聚物等。
构成基材的树脂可以仅为一种，也可以为两种以上，为两种以上的情况下，它们的组合及比率可以任意选择。
基材可以由1层(即，单层)构成，也可以由2层以上的多层构成。基材由多层构成的情况下，其多层相互间可以相同也可以不同，这些多层的组合只要不损害本发明的效果就没有特别限定。
由单层构成的基材的表面可以通过公知的方法进行剥离处理。
基材的厚度可以根据目的适宜选择，优选为50μm～300μm、更优选为70μm～150μm。
这里，“基材的厚度”是指基材整体的厚度，例如由多层构成的基材的厚度是指构成基材的所有层的总厚度。需要说明的是，作为基材的厚度的测定方法，可以举出例如使用接触式测厚仪在任意的5个部位测定厚度，并计算出测定值的平均值的方法等。
为了提高基材与设置于其上的后文叙述的粘合剂层等其它层之间的密合性，基材也可以是对其表面实施了基于喷砂处理、溶剂处理等的凹凸化处理、电晕放电处理、电子束照射处理、等离子体处理、臭氧/紫外线照射处理、火焰处理、铬酸处理、热风处理等氧化处理等的基材。
另外，基材也可以是表面被实施了底涂处理的材料。
另外，基材在与防静电层、半导体加工用片叠合保存时，也可以具有防止基材与其它片材粘接、基材与吸附台粘接的层等。
＜粘合剂层＞
上述粘合剂层为片状或膜状，其含有粘合剂。
上述粘合剂层可以为公知的那些。
作为上述粘合剂，可以举出例如：丙烯酸类树脂、氨基甲酸酯类树脂、橡胶类树脂、有机硅类树脂、环氧类树脂、聚乙烯基醚、聚碳酸酯等粘合性树脂，优选丙烯酸类树脂。
需要说明的是，在本发明中，“粘合性树脂”是包含具有粘合性的树脂和具有粘接性的树脂这两者的概念，不仅包括例如树脂本身具有粘合性的情况，也包括通过与添加剂等其它成分组合使用而显示粘合性的树脂、通过存在热或水等引发物而显示粘接性的树脂等。
粘合剂层可以是能量线固化性及非能量线固化性中的任一种，优选为非能量线固化性。
在本发明中，“能量线”是指在电磁波或带电粒子束中具有能量子的射线，作为其例子，可以举出紫外线、电子束等。
紫外线例如可以通过使用作为紫外线源的高压汞灯、熔融h灯、氙灯或发光二极管等来进行照射。电子束可以辐射通过电子束加速器等而产生的射线。
在本发明中，“能量线固化性”是指通过照射能量线而固化的性质，“非能量线固化性”是指即使照射能量线也不发生固化的性质。
作为本发明中优选的粘合剂层，可以举出例如厚度为200μm的粘合剂层在0℃下的储能模量为1000mpa以下、上述粘合剂层对于半导体晶片的镜面的粘合力为200mn/25mm以下的粘合剂层。
但优选的粘合剂层并不限定于此。
用于求出上述储能模量的对象的粘合剂层可以是厚度为200μm的单层的粘合剂层，也可以是将厚度低于200μm的粘合剂层按照总厚度为200μm的方式叠层2层以上而得到的层叠体。
需要说明的是，在本说明书中，用于求出储能模量的对象的粘合剂层可以为单层的粘合剂层、及上述层叠体中的任一种，有时将它们简称为“粘合剂层”。
另外，在本说明书中，只要没有特别说明，在粘合剂层为固化性的情况下，上述的“粘合剂层的储能模量”、“层叠体的储能模量”分别是指“进行固化之前的粘合剂层的储能模量”、“粘合剂层固化之前的层叠体的储能模量”。
上述粘合剂层或层叠体在0℃下的储能模量优选为1000mpa以下、更优选为996mpa以下。通过使上述储能模量为上述上限值以下，如后文所述那样，在通过膜状粘接剂的扩片进行切断时，可以抑制带膜状粘接剂从半导体芯片的粘合剂层上浮起、飞散。
上述粘合剂层或层叠体在0℃下的储能模量的下限值没有特别限定，可以设为例如100mpa、300mpa、500mpa中的任意的值，但这些仅是一个例子。
上述储能模量(mpa)可以通过测定在升温速度10℃/分、频率11hz的条件下将测定对象的上述粘合剂层或层叠体在例如-50℃至50℃等特定的温度范围进行升温时的储能模量(mpa)而求出。
上述储能模量例如可以通过调节粘合剂层的含有成分的种类及量等来进行适宜调节。
例如，可以通过调节构成粘合性树脂的单体的比率、交联剂的配合量、填充剂的含量等而容易地调节上述粘合剂层的储能模量及上述层叠体的储能模量。
但上述调节方法只不过是一个例子。
上述粘合剂层对于半导体晶片的粘合力优选为200mn/25mm以下、更优选为196mn/25mm以下。通过使上述粘合力为上述上限值以下，如后文所叙述的那样，即使不进行基于能量线照射等的粘合剂层的固化，也可以容易地将带膜状粘接剂的半导体芯片拾取。
上述粘合剂层对于半导体晶片的粘合力的下限值没有特别限定，例如可以设为10mn/25mm、30mn/25mm、50mn/25mm中的任意的值，但这些只是一个例子。
需要说明的是，在本说明书中，所谓“粘合剂层对于半导体晶片的粘合力”，只要没有特别说明，在粘合剂层为固化性的情况下，是指“固化前的粘合剂层对于半导体晶片的粘合力”。另外，只要没有特别说明，上述粘合力的测定是在jisz02372008所规定的标准状态下的粘合力的测定。
在本发明中，上述粘合力(mn/25mm)可以通过以下方法来测定。即，制作宽度为25mm且长度任意的在基材上设置粘合剂层而成的上述支撑片，接着，在常温下通过粘合剂层将该支撑片粘贴于半导体晶片，然后，保持该温度进行将支撑片从半导体晶片上分离的所谓的180°剥离，并使得粘合剂层及半导体晶片相互接触的面彼此间成180°的角度，测定此时的剥离力，将该测定值作为上述粘合力(mn/25mm)。供于测定的上述支撑片的长度只要是能够稳定地测定剥离力的范围即可，没有特别限定。
硅晶片等半导体晶片即使其种类不同、或者为相同种类但制造批次不同，只要在其相同部位粘贴了相同的粘合剂层的情况下，与粘合剂层的粘合力的不均就较小。因此，可以通过选择半导体晶片作为其测定对象物而高精度地确定粘合剂层的粘合力。在本发明中，作为粘合剂层，通过选择对于半导体晶片的镜面的粘合力为200mn/25mm以下的粘合剂层，在将带膜状粘接剂的半导体芯片从粘合剂层上分离而拾取时，可以调节粘合剂层对于膜状粘接剂的粘合力使得能够抑制工序异常的发生而容易地进行拾取。这样的本发明的效果对于在上述领域中使用的所有膜状粘接剂均可获得。
上述粘合剂层对于半导体晶片的粘合力例如可以通过调节粘合剂层的含有成分的种类及量等而进行适宜调节。
例如，可以通过调节构成粘合性树脂的单体的组合、上述单体的比率、交联剂的配合量、填充剂的含量等而容易地调节粘合剂层的上述粘接力。
但是，上述调节方法只不过是一个例子。
粘合剂层可以由1层(即，单层)构成，也可以由2层以上的多层构成。粘合剂层由多层构成的情况下，其多层相互间可以相同也可以不同，这些多层的组合只要不损害本发明的效果，就没有特别限定。
粘合剂层的厚度可以根据目的适宜选择，优选为1μm～100μm、更优选为1μm～60μm、特别优选为1μm～30μm。
这里，“粘合剂层的厚度”是指粘合剂层整体的厚度，例如，由多层构成的粘合剂层的厚度是指构成粘合剂层的所有层的总厚度。需要说明的是，作为粘合剂层的厚度的测定方法，例如可以举出使用接触式测厚仪在任意5个部位测定厚度，并计算出测定值的平均的方法等。
上述粘合剂层可以由含有粘合剂的粘合剂组合物形成。例如，通过在粘合剂层的形成对象面涂敷粘合剂组合物并根据需要使其干燥，可以在目标部位形成粘合剂层。粘合剂层的更具体的形成方法与其它层的形成方法一起在后文详细书说明。粘合剂组合物中在常温下不气化的成分彼此间的含量比率通常与粘合剂层的上述成分彼此间的含量比率相同。
粘合剂组合物的涂敷可以按照公知的方法来进行，可以通过与上述的粘接剂组合物的涂敷相同的方法来进行。
粘合剂组合物的干燥条件没有特别限定，粘合剂组合物含有后文叙述的溶剂的情况下，优选使其加热干燥，该情况下，例如优选在70～130℃、10秒钟～5分钟的条件下进行干燥。
[粘合剂组合物]
上述粘合剂组合物优选非能量线固化性的粘合剂组合物。
作为非能量线固化性的粘合剂组合物，可以举出例如含有上述丙烯酸类树脂、氨基甲酸酯类树脂、橡胶类树脂、有机硅类树脂、环氧类树脂、聚乙烯基醚、或聚碳酸酯等粘合性树脂(以下，称为“粘合性树脂(i)”)的粘合剂组合物。
(粘合性树脂(i))
上述粘合性树脂(i)优选为上述丙烯酸类树脂。
作为粘合性树脂(i)中的上述丙烯酸类树脂，例如可以举出至少具有来自于(甲基)丙烯酸烷基酯的结构单元的丙烯酸类聚合物。
上述丙烯酸类树脂所具有的结构单元可以仅为一种，也可以为两种以上，为两种以上的情况下，它们的组合及比率可以任意选择。
作为上述(甲基)丙烯酸烷基酯，可以举出例如构成烷基酯的烷基的碳原子数为1～20的(甲基)丙烯酸烷基酯，上述烷基优选为直链状或支链状。
作为(甲基)丙烯酸烷基酯，更具体地，可以举出：(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸正丙酯、(甲基)丙烯酸异丙酯、(甲基)丙烯酸正丁酯、(甲基)丙烯酸异丁酯、(甲基)丙烯酸仲丁酯、(甲基)丙烯酸叔丁酯、(甲基)丙烯酸戊酯、(甲基)丙烯酸己酯、(甲基)丙烯酸庚酯、(甲基)丙烯酸2-乙基己酯、(甲基)丙烯酸异辛酯、(甲基)丙烯酸正辛酯、(甲基)丙烯酸正壬酯、(甲基)丙烯酸异壬酯、(甲基)丙烯酸癸酯、(甲基)丙烯酸十一烷基酯、(甲基)丙烯酸十二烷基酯(也称为(甲基)丙烯酸月桂酯)、(甲基)丙烯酸十三烷基酯、(甲基)丙烯酸十四烷基酯(也称为(甲基)丙烯酸肉豆蔻酯)、(甲基)丙烯酸十五烷基酯、(甲基)丙烯酸十六烷基酯(也称为(甲基)丙烯酸棕榈酯)、(甲基)丙烯酸十七烷基酯、(甲基)丙烯酸十八烷基酯(也称为(甲基)丙烯酸硬脂酯)、(甲基)丙烯酸十九烷基酯、(甲基)丙烯酸二十烷基酯等。
从粘合剂层的粘合力提高的观点来看，上述丙烯酸类聚合物优选具有来自于上述烷基的碳原子数为4以上的(甲基)丙烯酸烷基酯的结构单元。而且，从粘合剂层的粘合力进一步提高的观点来看，上述烷基的碳原子数优选为4～12、更优选为4～8。另外，上述烷基的碳原子数为4以上的(甲基)丙烯酸烷基酯优选为丙烯酸烷基酯。
上述丙烯酸类聚合物优选除了具有来自于(甲基)丙烯酸烷基酯的结构单元以外，还具有来自于含官能团的单体的结构单元。
作为上述含官能团的单体，可以举出例如通过上述官能团与后文叙述的交联剂发生反应而成为交联起点、或者上述官能团与含不饱和基团的化合物中的不饱和基团发生反应而能够在丙烯酸类聚合物的侧链导入不饱和基团的单体。
作为含官能团的单体中的上述官能团，可以举出例如羟基、羧基、氨基、环氧基等。
即，作为含官能团的单体，可以举出例如：含羟基单体、含羧基单体、含氨基单体、含环氧基单体等。
作为上述含羟基单体，可以举出例如：(甲基)丙烯酸羟基甲酯、(甲基)丙烯酸2-羟基乙酯、(甲基)丙烯酸2-羟基丙酯、(甲基)丙烯酸3-羟基丙酯、(甲基)丙烯酸2-羟基丁酯、(甲基)丙烯酸3-羟基丁酯、(甲基)丙烯酸4-羟基丁酯等(甲基)丙烯酸羟烷基酯；乙烯醇、烯丙醇等非(甲基)丙烯酸类不饱和醇(即，不具有(甲基)丙烯酰基骨架的不饱和醇)等。
作为上述含羧基单体，可以举出例如：(甲基)丙烯酸、巴豆酸等烯属不饱和一元羧酸(即，具有烯属不饱和键的一元羧酸)；富马酸、衣康酸、马来酸、柠康酸等烯属不饱和二元羧酸(即，具有烯属不饱和键的二元羧酸)；上述烯属不饱和二元羧酸的酸酐；甲基丙烯酸2-羧基乙酯等(甲基)丙烯酸羧基烷基酯等。
含官能团的单体优选含羟基单体、含羧基单体，更优选含羟基单体。
构成上述丙烯酸类聚合物的含官能团的单体可以仅为一种，也可以为两种以上，为两种以上的情况下，它们的组合及比率可以任意选择。
在上述丙烯酸类聚合物中，相对于结构单元的总量，来自于含官能团的单体的结构单元的含量优选为1～35质量％、更优选为3～32质量％、特别优选为5～30质量％。
上述丙烯酸类聚合物除了具有来自于(甲基)丙烯酸烷基酯的结构单元、及来自于含官能团的单体的结构单元以外，还可以进一步具有来自于其它单体的结构单元。
上述其它单体只要是能够与(甲基)丙烯酸烷基酯等共聚的单体即可，没有特别限定。
作为上述其它单体，可以举出例如：苯乙烯、α-甲基苯乙烯、乙烯基甲苯、甲酸乙烯酯、乙酸乙烯酯、丙烯腈、丙烯酰胺等。
构成上述丙烯酸类聚合物的上述其它单体可以仅为一种，也可以为两种以上，为两种以上的情况下，它们的组合及比率可以任意选择。
上述丙烯酸类聚合物以外的粘合性树脂(i)也与上述丙烯酸类聚合物同样地，优选具有来自于含官能团的单体的结构单元。
粘合剂组合物所含的粘合性树脂(i)可以仅为一种，也可以为两种以上，为两种以上的情况下，它们的组合及比率可以任意选择。
在粘合剂组合物中，相对于溶剂以外的成分的总含量，粘合性树脂(i)的含量比例(即，粘合剂层中的粘合性树脂(i)的含量)优选为45～90质量％、更优选为55～87质量％、特别优选为65～84质量％。通过使粘合性树脂(i)的含量的上述比例为这样的范围，粘合剂层的粘合性变得更良好。
(交联剂(ii))
粘合剂组合物优选含有交联剂(ii)。
交联剂(ii)是例如与上述官能团反应而将粘合性树脂(i)彼此间交联的成分。
作为交联剂(ii)，可以举出例如：甲苯二异氰酸酯、六亚甲基二异氰酸酯、苯二亚甲基二异氰酸酯、上述二异氰酸酯的加合物等异氰酸酯类交联剂(即，具有异氰酸酯基的交联剂)；乙二醇缩水甘油基醚等环氧类交联剂(即，具有缩水甘油基的交联剂)；六[1-(2-甲基)氮丙啶基]三磷杂三嗪等氮丙啶类交联剂(即，具有氮丙啶基的交联剂)；铝螯合物等金属螯合物类交联剂(即，具有金属螯合结构的交联剂)；三聚异氰酸酯类交联剂(即，具有三聚异氰酸骨架的交联剂)等。
从使粘合剂的凝聚力提高而提高粘合剂层的粘合力方面、以及容易获得等方面考虑，交联剂(ii)优选为异氰酸酯类交联剂。
粘合剂组合物所含的交联剂(ii)可以仅为一种，也可以为两种以上，为两种以上的情况下，它们的组合及比率可以任意选择。
粘合剂组合物含有交联剂(ii)的情况下，在粘合剂组合物中，将粘合性树脂(i)的含量设为100质量份时，交联剂(ii)的含量优选为5～50质量份、更优选为10～45质量份、特别优选为15～40质量份。通过使交联剂(ii)的上述含量为上述下限值以上，可更显著地获得使用交联剂(ii)所带来的效果。另外，通过使交联剂(ii)的上述含量为上述上限值以下，可更容易调节粘合剂层相对于膜状粘接剂的粘合力。
(其它添加剂)
粘合剂组合物中，在不损害本发明效果的范围内，还可以含有不属于上述的任何成分的其它添加剂。
作为上述其它添加剂，可以举出例如：抗静电剂、抗氧剂、软化剂(即，增塑剂)、填充材料(即，填料)、防锈剂、着色剂(即，颜料或染料)、敏化剂、增粘剂、反应抑制剂、交联促进剂(即，触媒)等公知的添加剂。
需要说明的是，“反应抑制剂”例如是在混入到粘合剂组合物中的催化剂的作用下抑制在保存中的粘合剂组合物进行非目标的交联反应的成分。作为反应抑制剂，可以举出例如通过对催化剂螯合而形成螯合络合物的成分，更具体地，可以举出1个分子中具有2个以上羰基(-c(＝o)-)的成分。
粘合剂组合物所含的其它添加剂可以仅为一种，也可以为两种以上，为两种以上的情况下，它们的组合及比率可以任意选择。
在粘合剂组合物中，其它添加剂的含量没有特别限定，根据其种类适宜选择即可。
(溶剂)
粘合剂组合物可以含有溶剂。粘合剂组合物通过含有溶剂，对涂敷对象面的涂敷适应性提高。
上述溶剂优选为有机溶剂，作为上述有机溶剂，可以举出例如：甲乙酮、丙酮等酮；乙酸乙酯等羧酸酯；四氢呋喃、二
作为上述溶剂，例如可以不将制造粘合性树脂(i)时使用的溶剂从粘合性树脂(i)中去除而直接在粘合剂组合物中使用，也可以在制造粘合剂组合物时另行添加与制造粘合性树脂(i)时使用的溶剂相同种类或不同种类的溶剂。
粘合剂组合物所含的溶剂可以仅为一种，也可以为两种以上，为两种以上的情况下，它们的组合及比率可以任意选择。
在粘合剂组合物中，溶剂的含量没有特别限定，适宜调节即可。
[粘合剂组合物的制造方法]
粘合剂组合物可通过配合用于构成其的各成分而得到，例如，除了配合成分不同这点以外，可以按照与上述的粘接剂组合物的情况相同的方法来进行制造。
图1是示意性地示出本发明的半导体加工用片的一个实施方式的剖面图。需要说明的是，对于以下的说明中所使用的图而言，为了更容易理解本发明的特征，为了方便起见，有时对于作为要部的部分进行了放大示出，并不限于各构成要素的尺寸比率等与实际相同的情况。
这里所示的半导体加工用片1是在基材11上设置粘合剂层12、在粘合剂层12上设置膜状粘接剂13而成的。
在半导体加工用片1中，粘合剂层12层叠在基材11的一个表面11a上，膜状粘接剂13层叠在粘合剂层12的一个表面、即粘合剂层12的与设置有基材11的一侧相反侧的表面12a上。膜状粘接剂13是上述本发明的膜状粘接剂。
即，半导体加工用片1中，作为支撑片10，使用的是在基材11上设有粘合剂层12而成的支撑片，且在粘合剂层12直接接触地设置有膜状粘接剂13。
需要说明的是，本发明的半导体加工用片并不限定于图1所示的例子，在不损害本发明效果的范围内，也可以是对图1所示的半导体加工用片的部分构成进行变更、删除或追加而成的结构。
＜＜半导体加工用片的制造方法＞＞
上述半导体加工用片可以通过按照对应上述各层的位置关系的方式依次层叠来制造。各层的形成方法如前面所说明的那样。
例如，在基材上层叠粘合剂层或膜状粘接剂的情况下，可以在剥离膜上涂敷粘合剂组合物或粘接剂组合物并根据需要使其干燥，由此在剥离膜上预先形成粘合剂层或膜状粘接剂，再将该形成好的粘合剂层或膜状粘接剂的与上述剥离膜相接触的一侧相反侧的露出面与基材的表面贴合。此时，粘合剂组合物或粘接剂组合物优选涂敷于剥离膜的剥离处理面。剥离膜在形成层叠结构后根据需要去除即可。
例如，制造在基材上层叠粘合剂层、并在上述粘合剂层上层叠膜状粘接剂而成的半导体加工用片(即，支撑片为基材及粘合剂层的层叠物的半导体加工用片)的情况下，采用上述方法在基材上层叠粘合剂层，另外在剥离膜上涂敷粘接剂组合物并根据需要使其干燥，从而在剥离膜上形成膜状粘接剂，使该膜状粘接剂的露出面与在基材上层叠好的粘合剂层的露出面贴合，将膜状粘接剂层叠于粘合剂层上，由此得到半导体加工用片。在剥离膜上形成膜状粘接剂的情况下，也优选粘接剂组合物涂敷于剥离膜的剥离处理面，剥离膜在形成层叠结构之后根据需要去除即可。
这样一来，构成半导体加工用片的基材以外的层均预先形成在剥离膜上，并可以通过贴合于目标层的表面的方法来进行层叠，因此，只要根据需要适宜选择采用这样的工序的层来制造半导体加工用片即可。
需要说明的是，半导体加工用片通常在设置用于将其固定于切割用环形框等夹具的夹具用粘接剂层等所有必要层之后，以在与其支撑片相反侧的最表层的表面贴合有剥离膜的状态而被保存。
＜＜半导体装置的制造方法＞＞
本发明的半导体装置的制造方法是使用了上述本发明的膜状粘接剂的半导体装置的制造方法，该方法具有以下工序：形成层叠结构体的层叠结构体形成工序，所述层叠结构体是在支撑片上设置上述膜状粘接剂，在上述膜状粘接剂的与设置有上述支撑片的一侧相反侧的表面设置分割好的多个半导体芯片而成的；切断工序，一边将上述层叠结构体的膜状粘接剂冷却，一边在与其表面平行的方向进行扩片，将膜状粘接剂切断；以及分离工序，将具备切断后的上述膜状粘接剂的上述半导体芯片(在本说明书中，有时简称为“带膜状粘接剂的半导体芯片”)从上述支撑片上拾取(即，分离)。
上述本发明的半导体加工用片在上述支撑片上设置有上述膜状粘接剂，如后文所叙述的那样，本发明的半导体装置的制造方法使用了本发明的膜状粘接剂或半导体加工用片。
通过使用本发明的膜状粘接剂或半导体加工用片，在上述切断工序中，在利用膜状粘接剂的扩片进行的膜状粘接剂的切断时，可以容易地在目标部位切断膜状粘接剂，且不会伴有膜状粘接剂的缺损等异常。
另外，在使用上述的具有非能量线固化性的粘合剂层的半导体加工用片的情况下，在上述分离工序中，即使不进行利用能量线照射的粘合剂层的固化，也可以容易地将带膜状粘接剂的半导体芯片从粘合剂层上分离而拾取。该情况下，可以简化半导体装置的制造工序。
以下，参照图2对上述制造方法进行说明。图2是用于示意性地说明使用了本发明的膜状粘接剂或半导体加工用片时的半导体装置的制造方法的一个实施方式的剖面图。在此，对于使用了图1所示的膜状粘接剂13或半导体加工用片1时的制造方法进行说明。需要说明的是，在图2以后的图中，对于与图1所示的相同的构成要素标注与图1的情况相同的符号，并省略其详细说明。另外，图2中，仅对与半导体加工用片和半导体芯片相关的构成进行了剖面表示。
＜层叠结构体形成工序＞
图2(a)所示的层叠结构体101是在基材11上设置粘合剂层12、在粘合剂层12的表面12a上设置膜状粘接剂13、并在膜状粘接剂13的与设置有粘合剂层12的一侧相反侧的表面13a上设置分割好的多个半导体芯片8而成的。
需要说明的是，图2中，对于多个半导体芯片8彼此间的空隙部(即，来自于上述槽的空隙部)进行了强调表示。
在上述层叠结构体形成工序中，例如，可以在分割好的多个半导体芯片8的背面8b粘贴了1张膜状粘接剂13，然后在该膜状粘接剂13的与具备半导体芯片8的一侧相反侧的表面(即，背面)13b上粘贴支撑片10的粘合剂层12，由此来形成层叠结构体101。另外，也可以使用本发明的半导体加工用片1，将其膜状粘接剂13的与具备粘合剂层12的一侧相反侧的表面13a粘贴于分割好的多个半导体芯片8的背面8b，由此来形成层叠结构体101。
如上述那样，分割好的多个半导体芯片8可以如下制作：从半导体晶片的与上述膜状粘接剂13的粘贴面(即，背面)相反侧的电路形成面(即，表面)上形成槽，并对上述背面进行磨削直至到达该槽。而且，上述槽可以利用刀片切割、激光切割、水切割等方法来形成。
图3是用于示意性地说明这样的在半导体晶片上形成槽而得到半导体芯片的方法的一个实施方式的剖面图。
该方法中，如图3(a)所示，利用刀片切割、激光切割、水切割等方法在半导体晶片8’上从作为其电路形成面的一个表面8a’形成槽80’。
接着，如图3(b)所示那样，对半导体晶片8’的与上述表面(即，电路形成面)8a’相反侧的面(即，背面)8b’进行磨削。上述背面8b’的磨削可以利用公知的方法、例如使用研磨机62来进行。上述背面8b’的磨削优选如这里所示那样在半导体晶片8’的上述表面8a’粘贴背磨胶带63来进行。
然后，对上述背面8b’进行磨削直至到达槽80’，由此，如图3(c)所示那样由半导体晶片8’获得多个半导体芯片8。半导体晶片8’的上述背面8b’成为半导体芯片8的背面8b、即用于设置膜状粘接剂13的面。
但是，对于半导体装置的上述制造方法而言，优选采用如前面所说明那样的在半导体晶片的内部形成改性层，并在该改性层的形成部位分割半导体晶片的方法，而不是削除上述半导体晶片的一部分的方法。
即，在本发明的半导体装置的制造方法中，优选在上述层叠结构体形成工序之前进一步具有改性层形成工序和分割工序，并且在上述层叠结构体形成工序中使用由上述分割工序得到的多个半导体芯片，所述改性层形成工序为：聚焦于设定在半导体晶片内部的焦点而照射红外区域的激光，从而在上述半导体晶片的内部形成改性层，所述分割工序为：在形成有上述改性层的上述半导体晶片中，对于用于设置上述膜状粘接剂的面进行磨削，同时对上述半导体晶片施加磨削时的力，在上述改性层的部位将上述半导体晶片进行分割，从而得到多个半导体芯片。
图4是用于示意性地说明这样的在半导体晶片上形成改性层而得到半导体芯片的方法的一个实施方式的剖面图。
＜改性层形成工序＞
在方法中，在上述改性层形成工序中，如图4(a)所示那样，聚焦于设定在半导体晶片8’的内部的焦点来照射红外区域的激光，在半导体晶片8’的内部形成改性层81’。
在改性层形成工序中，例如，为了将通过激光照射而使半导体晶片8’的表面及表面附近的区域所受到的损伤控制在最小限度地形成改性层81’，优选照射开口率(na)大的激光。
＜分割工序＞
接着，在上述分割工序中，如图4(b)所示那样，对半导体晶片8’的与上述表面(即，电路形成面)8a’相反侧的面(即，背面)8b’进行磨削。此时的磨削可以按照与参照前面的图3而进行了说明的、形成有槽的半导体晶片的背面的磨削相同的方法来进行。例如，此时的上述背面8b’的磨削优选在半导体晶片8’的上述表面8a’粘贴背磨胶带63来进行。
然后，对半导体晶片8’的上述背面8b’进行磨削，同时进一步通过对该磨削中的半导体晶片8’施加磨削时的力而在改性层81’的形成部位将半导体晶片8’进行分割，由此，如图4(c)所示那样，由半导体晶片8’得到多个半导体芯片8。该情况下，也与参照图3进行了说明的情况同样地，半导体晶片8’的上述背面8b’成为半导体芯片8的背面8b、即用于设置膜状粘接剂13的面。
在上述的任意方法中使用了背磨胶带63的情况下，所得到的多个半导体芯片8以在背磨胶带63上整齐排列的状态被保持。
半导体芯片8的厚度没有特别限定，优选为5μm～60μm、更优选为10μm～55μm。使用这样的薄型半导体芯片的情况下，可更显著地获得使用了本发明的半导体加工用片时的效果。
＜切断工序＞
在上述半导体装置的制造方法中的上述切断工序中，在上述层叠结构体形成工序之后，如图2(b)所示那样，一边对层叠结构体101的膜状粘接剂13进行冷却，一边在与膜状粘接剂13的表面13a平行的方向对膜状粘接剂13进行扩片，从而将膜状粘接剂13切断。膜状粘接剂13可以与基材11及粘合剂层12(即，支撑片10)一起进行扩片。在此，标记符号13’示出了切断后的膜状粘接剂，有时将这样的切断后的膜状粘接剂13’简称为“膜状粘接剂13’”。另外，用箭头i示出了膜状粘接剂13的扩片方向。
上述切断工序中，膜状粘接剂13的冷却温度没有特别限定，从能够更容易切断膜状粘接剂13这点来考虑，优选为-15～10℃。
上述切断工序中，膜状粘接剂13的扩片速度(即，扩展速度)只要在不损害本发明效果的范围内即可，没有特别限定，优选为0.5～100mm/秒、更优选为0.5～60mm/秒，例如可以为1～50mm/sec等。通过使扩片速度为这样的范围内，可更显著地获得本发明的效果。此外，通过使扩片速度为上述上限值以下，在膜状粘接剂13的扩片时，半导体芯片8不易受到进一步的损伤。
在上述切断工序中，通过使用了膜状粘接剂13(即，半导体加工用片1)，膜状粘接剂13可在目标部位被切断，同时可抑制在其切断部位发生膜状粘接剂13’的缺损等异常。
在上述切断工序中，通过使用0℃下的储能模量为1000mpa以下的上述粘合剂层，在膜状粘接剂13的切断时，可抑制具备切断后的膜状粘接剂13’的半导体芯片8(即，带膜状粘接剂的半导体芯片)从粘合剂层12上浮起或飞散。
＜分离工序＞
在上述分离工序中，在上述切断工序后，如图2(c)所示那样，将具备切断后的膜状粘接剂13’的半导体芯片8从支撑片10(即，粘合剂层12)上分离，进行拾取。
在上述分离工序中，利用半导体装置的制造装置的拉起部61将半导体芯片8拉起，从而使粘贴于该半导体芯片8的背面8b上的切断后的膜状粘接剂13’从粘合剂层12上剥离。拉起半导体芯片8的方法为公知的方法即可，例如可举出通过真空开口夹吸附半导体芯片8的表面来进行拉起的方法等。这里，将半导体芯片8的拉起方向用箭头ii来表示。
在上述分离工序中，通过使用对于半导体晶片的粘合力为200mn/25mm以下的上述粘合剂层，即使不进行基于能量线照射等的粘合剂层的固化，也能够容易地将带膜状粘接剂的半导体芯片拾取。
在半导体装置的上述制造方法中，可以使用与切断后的膜状粘接剂13’一起被分离(即，被拾取)的半导体芯片8(即，带膜状粘接剂的半导体芯片)，之后按照与现有方法同样的方法，也就是经过将上述半导体芯片利用膜状粘接剂芯片接合于基板的电路面的工序而制造半导体装置。例如，利用膜状粘接剂13’将上述半导体芯片8芯片接合于基板的电路面，根据需要在该半导体芯片8上进一步层叠1个以上半导体芯片，进行了引线键合，然后利用树脂将其全体进行封装，从而制成半导体封装件(省略图示)。然后，使用该半导体封装件制作目标的半导体装置即可。
使用了本发明的膜状粘接剂或半导体加工用片的半导体装置的制造方法并不限定于参照图2进行了说明的上述方法，在不损害本发明效果的范围内，也可以是在上述方法中对部分构成进行了变更、删除或追加而得到的方法。
实施例
以下，通过具体的实施例对本发明更详细地进行说明。但本发明并不受以下所示的实施例的任何限定。
制造粘接剂组合物时所使用的成分如以下所示。
·聚合物成分
(a)-1：丙烯酸甲酯(以下，简称为“ma”)(95质量份)及丙烯酸2-羟基乙酯(以下，简称为“hea”)(5质量份)共聚而成的丙烯酸类树脂(重均分子量800000、玻璃化转变温度9℃)。
·环氧树脂
(b1)-1：加成有丙烯酰基的甲酚酚醛清漆型环氧树脂(日本化药株式会社制“cna147”、环氧当量518g/eq、数均分子量2100、不饱和基团含量与环氧基团等量)
·热固化剂
(b2)-1：芳烷基酚醛树脂(三井化学株式会社制“milexxlc-4l”、数均分子量1100)
·填充材料
(d)-1：球状二氧化硅(admatechs公司制“ya050c-mje”、平均粒径50nm、甲基丙烯酰基硅烷处理品)
·偶联剂
(e)-1：硅烷偶联剂、3-环氧丙氧丙基甲基二乙氧基硅烷(信越化学工业株式会社制“kbe-402”)
·交联剂
(f)-1：甲苯二异氰酸酯类交联剂(东洋油墨制造株式会社制“bhs8515”)
＜膜状粘接剂及半导体加工用片的制造＞
[实施例1]
(粘接剂组合物的制造)
使聚合物成分(a)-1、环氧树脂(b1)-1、热固化剂(b2)-1、填充材料(d)-1、偶联剂(e)-1、及交联剂(f)-1按照它们的含量(质量份)为表1所示的值的方式溶解或分散于甲乙酮中，在23℃下搅拌，从而得到了粘接剂组合物。
(膜状粘接剂的制造)
在通过有机硅处理对聚对苯二甲酸乙二醇酯制膜(厚度38μm)的单面进行了剥离处理的剥离膜的上述剥离处理面上涂敷上述得到的粘接剂组合物，在120℃下加热干燥3分钟，从而形成了厚度20μm的膜状粘接剂。
接着，将另外的上述剥离膜的剥离处理面粘贴于该膜状粘接剂的露出面，得到了在膜状粘接剂的两面粘贴有上述剥离膜的膜状粘接剂层叠物。
(粘合剂组合物的制造)
相对于粘合性树脂(100质量份)加入交联剂(30.16质量份)，在23℃下搅拌，从而得到了非能量线固化性的粘合剂组合物。需要说明的是，这里所示的配合份数均为固体成分换算值。
上述粘合性树脂是丙烯酸2-乙基己酯(80质量份)及丙烯酸2-羟基乙酯(20质量份)共聚而成的丙烯酸类聚合物(重均分子量860000、玻璃化转变温度-61℃)。另外，上述交联剂是三羟甲基丙烷的甲苯二异氰酸酯三聚物加成物(东曹株式会社制“coronatel”)。
(粘合片的制造)
在通过有机硅处理对聚对苯二甲酸乙二醇酯制膜的单面进行了剥离处理的剥离膜(琳得科株式会社制“sp-pet381031”、厚度38μm)的上述剥离处理面上涂敷上述得到的粘合剂组合物，在120℃下加热干燥2分钟，从而形成了厚度10μm的粘合剂层。
接着，在该粘合剂层的露出面上贴合作为基材的厚度110μm的低密度聚乙烯(ldpe)制膜，从而得到了具备剥离膜的粘合片。
(半导体加工用片的制造)
将上述膜状粘接剂层叠物从刚制造后在常温下下保存了1周，然后去除一个剥离膜，使膜状粘接剂的一个表面露出。另外，从上述得到的粘合片上去除剥离膜，使粘合剂层的一个表面露出。然后，使膜状粘接剂的露出面与粘合剂层的露出面贴合，从而得到了依次层叠基材、粘合剂层、膜状粘接剂及剥离膜而成的半导体加工用片。
[实施例2～7、比较例1～7]
除了使粘接剂组合物的含有成分为表1或表2所示这点以外，按照与实施例1相同的方法制造了膜状粘接剂及半导体加工用片。
需要说明的是，上述实施例及比较例中制造的粘接剂组合物的固体成分浓度为18～24质量％。
＜膜状粘接剂及半导体加工用片的评价＞
对于上述得到的膜状粘接剂及半导体加工用片评价了下述项目。
(层叠体的断裂伸长率)
使用层压机使上述得到的膜状粘接剂贴合多层，制作了总厚度为60μm的层叠有膜状粘接剂的层叠体。进而，将该层叠体切断，制作了宽6mm、长5mm、厚60μm的试验片。
接着，将得到的试验片的温度设定为0℃，使用动态粘弹性测定装置(tainstruments公司制“dmaq800”)对该试验片进行拉伸，求出了试验片、即固化前的层叠了膜状粘接剂而成的上述层叠体的断裂伸长率(％)。对试验片进行拉伸时，对试验片施加的载荷从1n/min变化至18n/min，将其结果示于表1或表2。
(膜状粘接剂对于半导体晶片的粘接力)
准备了在聚对苯二甲酸乙二醇酯制膜(厚度50μm)的单面层叠强粘合力的粘合层(厚度24μm)而成的胶粘带。从上述得到的膜状粘接剂层叠物上去除一个剥离膜，使膜状粘接剂的一个表面露出。然后，使用层压机在膜状粘接剂的该露出面上贴合上述胶粘带的粘合层，制作了层叠片。进而，将该层叠片切断为宽25mm、长150mm的大小，然后从膜状粘接剂上去除残留的剥离膜，制作了试验片。
使用层压机，隔着加热至50℃的膜状粘接剂使该试验片与硅晶片的镜面贴合，在23℃的温度条件下静置了30分钟。接着，使用万能拉伸试验机(株式会社岛津制作所制“autograph”)，在保持相同的温度下以剥离速度300mm/分进行将上述试验片从硅晶片上分离的所谓的180°剥离，使得试验片(即，膜状粘接剂)及硅晶片的相互接触的面彼此间成180°的角度，测定此时的剥离力，将其测定值作为固化前的膜状粘接剂对于半导体晶片的粘接力(mn/25mm)，将结果示于表1或表2。
(膜状粘接剂的切断特性(1))
使用切割装置(disco公司制“dfd6361”)，对于8英寸的硅晶片(厚度720μm)的镜面，通过切割刀片以描画出10mm×10mm大小的正方形的方式切入距其表面80μm深度而形成槽，进行了半切切割。
接着，使用胶带覆膜机(tapelaminator)(琳得科株式会社制“rad-3510”)，在常温下、在上述形成了槽的硅晶片的镜面上利用其粘合层而粘贴了背磨胶带(琳得科株式会社制“adwille-3125kn”)。
接着，使用研磨机(disco公司制“dfg8760”)对硅晶片的与形成有上述槽的镜面相反侧的面进行了磨削。此时，按照硅晶片的厚度达到50μm的方式进行磨削，同时将硅晶片进行分割，单片化为硅芯片。所得到的硅芯片相互间空出约30μm的间隔而被固定于背磨胶带上。
接着，使用贴带机(tapemounter)(琳得科株式会社制“adwillrad2500”)在所得到的硅芯片的上述磨削面上利用其加热至60℃的膜状粘接剂粘贴上述得到的半导体加工用片，得到了层叠物。
接着，将所得到的层叠物通过其粘合剂层的露出面粘贴于切割用环形框而固定，从硅芯片上剥离背磨胶带，得到了在半导体加工用片的未切断的膜状粘接剂上整齐排列地设置有预先单片化了的多个半导体芯片的层叠结构体的试验片。
将上述获得的试验片设置于扩片器(株式会社jmc制“me-300b”)的扩片单元上，在0℃的环境下、以扩片量(即，扩展量)10mm、扩片速度(即，扩展速度)1mm/秒的条件对半导体加工用片进行扩片，尝试了将膜状粘接剂沿硅芯片的外形进行切断。
接着，使用数码显微镜(keyence公司制“vh-z100”)对膜状粘接剂进行观察，按照下述基准对膜状粘接剂的切断特性(1)进行了评价，将其结果示于表1或表2。
a：在目标的所有部位均能够将膜状粘接剂切断。
b：在部分目标的部位未能够将膜状粘接剂切断。
c：在目标的所有部位均未能够将膜状粘接剂切断。
(膜状粘接剂的切断特性(2))
使用背面磨削用胶带覆膜机(琳得科株式会社制“rad-3510f/12”)，将背面磨削用胶带(琳得科株式会社制“e-3125kl”)层压于12英寸的硅晶片的一面。
接着，从硅晶片的未层压背面磨削用胶带的露出面侧，聚焦于设定于硅晶片内部的焦点来照射红外区域的激光，进行了在硅晶片的内部形成改性层的隐形切割。该隐形切割中，作为装置，使用的是disco公司制“dfl7361”，并进行了调节使得可获得8mm×10mm大小的硅芯片。
接着，使用研磨机(disco公司制“dgp8761”)对硅晶片的上述露出面进行了磨削。此时，按照硅晶片的厚度达到40μm的方式进行磨削，同时将硅晶片进行分割，单片化为硅芯片。所得到的硅芯片被固定于背面磨削用胶带上。
接着，使用贴带机(disco公司制“dfm2800”)，将上述得到的半导体加工用片通过其加热至60℃的膜状粘接剂粘贴于所得到的硅芯片的上述磨削面，得到了层叠物。
接着，将所得到的层叠物通过其粘合剂层的露出面粘贴于切割用环形框而固定，从硅芯片上将背面磨削用胶带剥离，从而得到了在半导体加工用片的未切断的膜状粘接剂上整齐排列地设置有预先单片化了的多个半导体芯片的层叠结构体的试验片。
将上述得到的试验片设置于扩片器(disco公司制“dds2300”)上，在0℃的环境下、以工作台顶起高度15mm、工作台顶起速度1mm/秒的条件对半导体加工用片进行扩片，尝试了将膜状粘接剂沿硅芯片的外形进行切断。
接着，将工作台下降来解除扩片，在与上述扩片器的工作台不同的其它工作台上设置扩片后的上述试验片。然后，不使该试验片吸附于工作台，在工作台顶起高度8mm、工作台顶起速度1mm/秒的条件下顶起，在工作台上升完的阶段使试验片吸附于工作台，将半导体加工用片进行扩片，尝试了将相邻的硅芯片间的间隔(即，切口宽度)进行扩大。进而，在使试验片吸附于工作台的状态使工作台下降，保持切口宽度不发生变化，利用在250℃下的加热产生的收缩消除了试验片的未设置硅芯片的外周部的松弛。尝试了通过以上操作来获取切口宽度扩大的试验片。
接着，使用数码显微镜(keyence公司制“vh-z100”)对膜状粘接剂进行观察，按照与上述膜状粘接剂的切断特性(1)的情况相同的基准对膜状粘接剂的切断特性(2)进行了评价，将其结果示于表1或表2。
(膜状粘接剂的可靠性)
·硅芯片的制造
使用贴带机(琳得科株式会社制“adwillrad2700”)将上述得到的半导体加工用片加热至60℃并粘贴于经过了干式抛光的12英寸硅晶片(厚度75μm)上，并安装了环形框。
接着，使用切割装置(disco公司制「dfd6361」)将上述硅晶片单片化成8mm×8mm大小的硅芯片。此时的切割在刀片速度50mm/秒、刀片转速40000rpm、切削水量1l/分的条件下进行。另外，切割时对基材的切入量达到20μm。
·半导体封装件的制造
作为基板，使用的是在贴有铜箔的层叠板(三菱瓦斯化学株式会社“ocl-hl830”)的铜箔(厚度18μm)上形成电路图案、并在电路图案上具有阻焊剂(太阳油墨株式会社制“psr-4000aus308”)的基板(chino-giken公司制“ln001e-001pcb(au)aus308”)。使上述得到的半导体加工用片上的硅芯片与膜状粘接剂一起从基材上剥离，将其在120℃、250gf、0.5秒钟的条件下压粘于上述基板，利用膜状粘接剂将硅芯片固定于基板上，得到了层叠物。
接着，将所得到的层叠物在升温至175℃的烘箱中放置4小时或2小时，对上述层叠物赋予了假定进行了引线键合的热历程。
接下来，使用模树脂(京瓷化学株式会社制“ke-g1250”)、并使用封止装置(apicyamada公司制“g-cubemz549-1”)，在封装温度175℃、封装压力7mpa、封装时间2分钟的条件下对赋予了热历程后的上述层叠物进行了封装，并使得封装厚度达到400μm。进而，在175℃下使上述模树脂固化5小时。
接着，使封装后的基板与切割胶带(琳得科株式会社制“adwilld-510t”)贴合，使用切割装置(disco公司制“dfd6361”)将封装后的基板单片化成15mm×15mm的大小。此时的切割在刀片速度50mm/秒、刀片转速40000rpm、切削水量1l/分的条件下进行。
通过以上操作，得到了半导体封装件。
·半导体封装件的表面安装、以及封装件可靠性(即，膜状粘接剂的可靠性)的评价
将上述得到的半导体封装件在温度85℃、相对湿度60％的条件下放置168小时而使其吸湿，然后使用回流焊炉(相模理工株式会社制“wl-15-20dnx型”)在最高温度260℃、加热时间1分钟的条件下对该吸湿后的半导体封装件进行了3次ir回流焊。
接着，使用扫描型超声波探伤装置(hitachiconstructionmachineryfinetech公司制“hye-focus”)对半导体封装件中有无产生裂纹进行了确认，并按照下述基准对封装件可靠性(即，膜状粘接剂的可靠性)进行了评价，将其结果示于表1或表2。
a：在使用了于175℃、4小时的条件下赋予了热历程的上述层叠物的情况下，在ir回流焊后的半导体封装件中完全未产生裂纹。
b：虽然在使用了于175℃、2小时的条件下赋予了热历程的上述层叠物的情况下，在ir回流焊后的半导体封装件中完全未产生裂纹，但在使用了于175℃、4小时的条件下赋予了热历程的上述层叠物的情况下，在ir回流焊后的半导体封装件中产生了裂纹。
c：在使用了于175℃、2小时的条件下赋予了热历程的上述层叠物的情况下、以及在使用了于175℃、4小时的条件下赋予了热历程的上述层叠物的情况下，在ir回流焊后的半导体封装件中均产生了裂纹。
(膜状粘接剂的成膜性)
在上述的膜状粘接剂的制造时，同时评价了膜状粘接剂的成膜性。
即，对于所得到的膜状粘接剂的表面中、对上述剥离膜涂敷上述粘接剂组合物时由粘接剂组合物与剥离膜发生了接触的部位所形成的表面，肉眼观察了其外观，按照下述基准对膜状粘接剂的成膜性进行了评价，将其结果示于表1或表2。
a：表面未发现异常，表面状态良好。
b：表面产生了条痕或涂刷困难，但表面状态的紊乱程度较轻。
c：表面产生了凝聚物，表面状态不均一。
[表1]
[表2]
由上述结果可知，实施例1～7中，上述层叠体在0℃下的断裂伸长率为52％以下，膜状粘接剂的粘接力为300mn/25mm以上。
对于实施例1～7的膜状粘接剂而言，在切断特性(1)的评价时，通过扩片而在目标部位被切断，并且在其切断部位未发现膜状粘接剂的缺损等异常，显示出优异的切断特性。另外，实施例1、3及6的膜状粘接剂在切断特性(2)的评价中也显示出优异的切断特性(对于实施例2、4及5的膜状粘接剂的切断特性(2)未进行评价)。
此外，实施例1～6的膜状粘接剂的可靠性及成膜性均良好，作为膜状粘接剂的基本特性没有问题。
与此相对，比较例1及2中，上述层叠体在0℃下的断裂伸长率为61％以上，在切断特性(1)的评价时，无法将膜状粘接剂切断为目标形状，膜状粘接剂的切断特性差。
另外，比较例3、4及7中，膜状粘接剂的粘接力为260mn/25mm以下，在切断特性(1)的评价时，无法将膜状粘接剂在目标部位的一部分切断，另外，即使在目标部位被切断，在其切断部位也发现膜状粘接剂的缺损等异常，膜状粘接剂的切断特性差。另外，比较例3、4及7的膜状粘接剂在切断特性(2)的评价时，切断特性也差(比较例1、2、5及6的膜状粘接剂未对切断特性(2)进行评价)。
另外，比较例5及6中，上述层叠体在0℃下的断裂伸长率及膜状粘接剂的粘接力均无法测定，均无法对切断特性(1)及切断特性(2)进行评价。
此外，比较例3及4的膜状粘接剂的可靠性差，比较例5及6的膜状粘接剂的成膜性差，它们在作为膜状粘接剂的基本特性方面均存在问题。
需要说明的是，其中，虽然一部分膜状粘接剂未对切断特性(2)进行评价，但认为这些膜状粘接剂的切断特性(2)与切断特性(1)为同样的评价结果。这是由于，用于评价的半导体芯片如果没有异常，则半导体芯片的制造方法(即，半导体晶片的分割方法)不会对上述的评价工序带来影响。认为对于切断特性(1)及切断特性(2)均进行了评价的实施例1、3及6、以及比较例3、4及7的评价结果均证明了该结论。
工业实用性
本发明能够适用于半导体装置的制造，因此在工业上是极为重要的。
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