吸附构件的制作方法

本公开涉及吸附并保持被吸附体的吸附构件。

背景技术

在半导体元件的制造工序中，广泛地使用吸附并保持例如硅半导体基板等基板的吸附构件。在保持基板时，存在如下问题：由于基板与吸附构件的摩擦而产生的微粒、或者进入到吸附构件的表面存在的伤痕、气孔等中的微粒会向基板附着。例如在曝光工序中，如果在基板的背面与吸附构件的接触面之间夹入微粒，则会产生基板的局部性的凸起，曝光的焦点未对合而产生形成于基板的电路图案的不良。为了抑制这样的不良所引起的成品率下降而使用如下吸附构件，该吸附构件在主面配置有多个凸部，并将该凸部的顶面作为与基板进行接触的接触面。

例如日本特开平10-242255号公报公开了对由陶瓷构成的基体的表面进行喷丸处理而以尖头形状形成有多个凸部的吸附构件。

另外，日本特开平10-92738号公报公开了在由烧结的碳化硅构成的基体上通过化学气相生长法(cvd法；chemicalvaperdeposition)成膜出规定厚度的表面层，将除了与基板接触的部分之外的部分通过激光加工除去而形成有凸部的吸附构件。

另外，日本特开2012-119378号公报公开了对于由陶瓷构成的基体的表面照射激光而形成有多个凸部的吸附构件。

技术实现要素：

本公开的吸附构件具备基部和多个凸部。基部具有第一面。凸部具有与第一面相连的侧面及与侧面相连的顶面。侧面具备向从第一面离开的方向延伸的多个突条部。

附图说明

图1是表示本公开的吸附构件及作为被吸附体的基板的简要立体图。

图2是表示本公开的吸附构件的凸部的一例的图，(a)是凸部附近的剖视图，(b)是凸部附近的简要俯视图。

图3是将本公开的吸附构件的凸部沿中心线剖开的剖视图。

图4是表示本公开的吸附构件的凸部的另一例的剖视图。

图5是表示本公开的吸附构件的凸部的又一例的剖视图。

图6是表示本公开的吸附构件的制作时的向基体照射激光的激光照射方法的图。

图7是说明本公开的吸附构件的制作时的凸部形状的图，(a)是第一加工工序后的状态，(b)是第二加工工序后的状态的说明图。

图8是表示图1所示的吸附构件的凸部的一例的电子显微镜照片。

图9是表示图1所示的吸附构件的凸部的另一例的电子显微镜照片。

具体实施方式

关于本公开的吸附构件，参照附图进行说明。图1是表示本实施方式的吸附构件10及作为被吸附体的基板11的简要立体图。图2是说明吸附构件10的凸部2的图，(a)是凸部2的附近的剖视图，(b)是凸部2的附近的简要俯视图。图3是说明图2所示的吸附构件10的凸部2的图，是将凸部2沿中心线剖开的剖视图。

在具备这样的凸部2的吸附构件10中，要求从凸部10向被吸附体11的微粒的附着少且凸部2的机械强度比较高。

本公开的吸附构件10具备基部3和多个凸部2。基部3具有第一面4。凸部2具有与第一面4相连的侧面6及与侧面6相连的顶面5。侧面6具备向从第一面4离开的方向延伸的多个突条部7。

基部3为大致圆板状，具有作为表面的第一面4和位于第一面的背侧的第二面，凸部2位于第一面4。在第一面4上，在凸部2的根部部分可以具有槽，包括该槽在内称为第一面4。

凸部2形成为随着朝向顶面5而直径减小的大致圆锥台状。顶面5成为与基板11即被吸附体11接触的接触面，吸附构件10与被吸附体11的接触面积比较小。由于接触面积比较小，因此吸附被吸附体11时的微粒的产生及微粒向被吸附体11的附着比较少。而且，突条部7作为提高凸部2的弯曲刚性的梁发挥功能，凸部2的机械强度变得比较高。即，凸部2的顶面5的面积比较小，且机械强度比较高。而且，吸附构件10通过在凸部2的侧面6形成突条部7而使凸部2的表面积变得比较大。由此，能抑制与被吸附体11的升温相伴的吸附构件10的温度上升，也能抑制吸附构件10自身的局部性的温度变动。在凸部2的侧面6例如一周形成10～100根左右的突条部7。突条部7的个数越多，则凸部2的表面积越大而散热性越高，且机械强度越高。

如图2的(a)、(b)所示，突条部7可以与第一面4相连。如果为这样的结构，则特别是能够提高凸部2的根部的强度。

凸部2的顶面5的面积可以小于凸部2的与第一面4相连的位置的面积。在本公开的吸附构件10中，凸部2与基部3一体形成。吸附构件10由于顶面5的面积小于与第一面4相连的位置的面积，因此在顶面5及侧面6的交叉部附近难以附着微粒。而且，凸部2由于根部部分的直径大于顶面5侧的直径，因此在向凸部2施加了外力时，能抑制凸部2从根部附近发生破损的情况。

图3是说明图1所示的吸附构件10的凸部2的图，是将凸部2沿中心线剖开的剖视图。

在侧面6中，将从顶面5至突条部7为止的部分设为第一侧面6a，将突条部7所在的部分设为第二侧面6b时，在凸部2的侧视观察下，在第一侧面6a中，第一侧面6a与第二侧面6b的交界9处的宽度最宽，在第二侧面6b中，第二侧面6b的宽度可以比所述交界处的宽度宽。

需要说明的是，从顶面5至突条部7为止的部分是指从顶面5至突条部7的上端为止的区域，是不包含突条部7在内的区域。

在比交界9接近第一面4的、称为凸部2的根部部分的第二侧面6b中，由于与第一面4平行的截面积比较大，因此机械强度比较高。在比交界9接近顶面5的第一侧面6a中，以交界9为界而截面积变小，因此接近被吸附体11的部分处的侧面6的面积也变得比较小。

另外，第一侧面6a在与第二侧面6b相连的部分可以具备阶梯部61。通过这样具备阶梯部61，在交界9的附近，凸部2的截面积随着接近顶面5而急剧变小。通过这样具有阶梯部61，能够增大凸部2的与第一面相连的位置的面积8和顶面5的面积之差，能够进一步减小顶面5。需要说明的是，阶梯部61是指例如与第一面4所成的角度为0°以上且15°以下的阶梯部61。

另外，在凸部2的侧视观察下，第一侧面6a的宽度可以随着接近顶面5而逐渐减小。这样的第一侧面6a由于多余的凹凸少，因此微粒难以附着，且顶面5的面积(接触面积)小。

另外，在凸部2的侧视观察下，第二侧面6b的宽度可以随着接近第一面4而逐渐增加。这样的第二侧面6b由于多余的凹凸少，因此微粒难以附着，凸部2的与第一面4相连的位置的面积充分大，因此机械强度高。

从充分地抑制微粒的附着并实现充分的机械强度的观点出发，凸部2的高度l1优选设为凸部2的顶面5的直径φt的1倍～3倍左右。而且，凸部2与基部3的交界部可以成为圆角形状。

另外，在将吸附构件10作为在凸部2载置被吸附体11并进行真空吸附的真空卡盘来使用的情况下，通过将凸部2形成得高，能够使对被吸附体11进行真空吸附时的真空响应性(从将被吸附体载置于吸附构件到对被吸附体进行真空吸附为止的响应速度)比较高。从对被吸附体11进行真空吸附时的真空响应性良好的观点出发，凸部2的顶面5的直径φt优选为200μm以下，特别优选为100μm以下，高度l优选为100μm以上，特别优选为300μm以上。

另外，第一侧面6a的每单位面积的气孔的个数可以比第二侧面6b的每单位面积的气孔的个数少。存在于侧面6的气孔容易成为微粒的产生源、附着部。在接近于顶面5这侧的第一侧面6a的每单位面积的气孔的个数比较少的情况下，能够减少微粒的产生，因此优选。

关于第一侧面6a及第二侧面6b的每单位面积的气孔的个数，只要使用500倍的倍率的扫描型电子显微镜，将横向的长度为0.25mm且纵向的长度为0.20mm、面积为0.05mm²的范围设为测定的对象范围即可。

另外，凸部2可以仅在比交界9接近第一面4的第二侧面6b设置突条部7。在吸附构件10中，仅在从被吸附体11离开的第二侧面6b设置突条部7，因此附着于突条部7的微粒难以到达被吸附体11，能抑制微粒向被吸附体11的附着。

使用吸附构件10对被吸附体11进行吸附、保持的方法优选真空吸附或约翰森-拉别克(johnson-rahbek)力型静电吸附。

基部3及凸部2可以由陶瓷构成。吸附构件10优选为高刚性、高硬度、高强度，吸附构件10可以设为以堇青石、氧化锆、氧化铝、氮化硅、氮化铝或碳化硅等为主成分的陶瓷。特别优选为碳化硅质陶瓷。

以下，将以碳化硅为主成分的陶瓷称为碳化硅质陶瓷。碳化硅质陶瓷的导热系数高且散热性优异，被吸附体11的温度变化少。碳化硅质陶瓷还具备导电性，难以产生静电，因此吸附构件10不易发生微粒的静电附着。需要说明的是，主成分是指在构成目标构件的全部成分100质量％中占据50质量％以上的成分，特别是碳化硅优选为90质量％以上。

另外，在吸附构件10由碳化硅质陶瓷构成的情况下，碳化硅的晶体的结晶多晶型中的3c型及4h型的比率的合计可以为10％以上且20％以下。碳化硅的晶体的结晶多晶型及相对密度为该范围时，能够使体积电阻率为1×10⁵ω·m以上且5×10⁶ω·m以下。由于除静电的速度下降，因此产生急剧的放电现象的可能性进一步降低，能够抑制静电破坏。

关于结晶多晶型的定量，只要使用x射线衍射装置进行x射线衍射，将得到的光谱通过ruskamethod求取即可。

另外，可以将相对密度设为96.5％以上。当使用这样致密的陶瓷时，能够减少气孔。碳化硅质陶瓷的相对密度只要遵照jisr1634-1998来求取即可。

在碳化硅质陶瓷中，除了作为主成分的碳化硅以外，还可以包含硼、游离碳、铁、钛等。碳化硅质陶瓷包含钛，钛的含量优选设为160质量ppm以上且400质量ppm以下。

构成碳化硅质陶瓷的全部成分100质量％中的钛的含量为上述范围时，能够使体积电阻率成为1×10⁴ω·m以上且5×10⁶ω·m以下。当体积电阻率为该范围、即所谓的半导电性的范围时，能抑制由静电引起的微粒向顶面5的附着，并且静电被逐渐除去，因此产生急剧的放电现象的可能性降低，能够抑制静电破坏。

碳化硅质陶瓷的体积电阻率只要遵照jisc2141-1992来求取即可。具体而言，作为用于测定体积电阻率的碳化硅质陶瓷的试验片，只要从基部切出直径及厚度分别为50mm、2.5mmm的圆板，在试验片的两主面形成由银构成的电极即可。并且，只要求出向电极间施加了1v的交流电压时的体积电阻率即可。

碳化硅质陶瓷所含的钛的含量可以通过icp(inductivelycoupledplasma)发光分光分析装置求出。关于具体的基于icp发光分光分析装置求取钛的含量的求取方法，作为前处理，向利用超硬研钵将碳化硅质陶瓷的一部分粉碎而得到的试料中加入硼酸及碳酸钠并进行溶解。然后，在自然冷却后利用盐酸溶液进行溶解，将溶解液向烧瓶转移而利用水稀释至标记线来进行定容，与校准线用溶液一起通过icp发光分光分析装置进行测定，由此能够求出构成碳化硅质陶瓷的成分的钛的含量。

各成分只要使用x射线衍射装置，将cukα射线向碳化硅质陶瓷照射而进行辨别即可。如果辨别后的成分为例如sic、b4c，则使用通过icp发光分光分析装置求出的si及b的含量的值分别换算成sic、b4c。

由碳化硅质陶瓷构成的吸附构件10优选基部3的密度为3.18g/cm³以上，动态弹性模量为440gpa以上，比刚度为135gpa·cm³/g以上。这样的吸附构件10能够高精度地确保载置于顶面5的被吸附体11的平面度。而且，吸附构件10的室温下的导热系数为150w/(m·k)以上，在向被吸附体11局部性地施加热量时，容易放出经由吸附构件10施加的热量。在这样的吸附构件10中，能抑制被吸附体11发生热膨胀而变形的情况，因此在曝光工序中，能够抑制发热引起的曝光精度的恶化。在此，室温下的导热系数是在大致15～30℃、优选22～24℃的范围内测定的导热系数。由碳化硅质陶瓷构成的吸附构件10即使在超过室温的环境、例如600℃以上的环境中，也能够将导热系数保持为60w/(m·k)以上的高值。

为了提高机械强度并进一步减少微粒，构成碳化硅质陶瓷的碳化硅的晶体的平均结晶粒径可以设为3～10μm的范围。当平均结晶粒径为3μm以上时，散热性提高，因此即使在温度上升的环境下使用，也能够高精度地保持所载置的被吸附体11的平面度。而且，当平均结晶粒径为10μm以下时，机械强度及刚性升高，因此能够高精度地保持所载置的被吸附体11的平面度，并且在结晶粒子间不易残留气孔，因此残留于气孔内的微粒不易附着于被吸附体。

在此，碳化硅的晶体的平均结晶粒径的求取方法如下。

首先，使用例如jisr6001-1：2017(iso8486-1：1996)所记载的粒度编号为f220的金刚石所构成的砂轮对由碳化硅质陶瓷构成的基部3的第一面4进行磨削，之后，接着使用由锡构成的研磨机，通过粒径为1～3μm的金刚石磨粒而研磨至由jisb0601：2013(iso4287：1997)规定的算术平均粗糙度ra成为0.01μm以下为止。接下来，在由氢氧化钠及硝酸钾以1∶1的质量比构成的加热熔融了的溶液中将基部浸渍15～30秒，对研磨后的面进行蚀刻。然后，使用500倍的倍率的光学显微镜观察该蚀刻后的面，将平均性地观察的面作为本实施方式的观察面。需要说明的是，平均性地观察的面是指观察时将在其他的区域中未观察到的尺寸的粒子所存在的区域排除的面。该观察面的尺寸是例如横向的长度为0.22mm且纵向的长度为0.16mm，面积为0.035mm²。

并且，使用拍摄了该观察面的照片或图像，以不与气孔所存在的位置重叠的方式引出3～5条的例如每1条的长度为100μm的直线，将这些直线上存在的碳化硅的晶体的个数除以这些直线的合计长度，由此能够求出碳化硅的平均结晶粒径。

在本实施方式中，凸部2与基部3一体形成，由与基部3相同的主成分构成。需要说明的是，在凸部2的顶面5、侧面6及基部3的第一面4中的至少任一方可以形成由例如氧化膜、树脂或玻璃等构成的保护层(未图示)。例如，在由碳化硅质陶瓷构成的吸附构件10的情况下，侧面6由构成碳化硅的碳的至少一部分置换为氧的氧化膜覆盖时，该氧化膜抑制陶瓷粒子等的脱粒。这样的氧化膜可以通过例如后述的激光的照射来形成。表面区域是否由氧化膜或保护层覆盖的判定可以通过例如基于eds法(energydispersivex-rayspectrometry)等的元素分析来实施。

吸附构件10的第一面4的粗糙度曲线要素的平均高度可以设为顶面5的粗糙度曲线要素的平均高度的2倍以上。第一面4的粗糙度曲线要素的平均长度可以设为顶面5的粗糙度曲线要素的平均长度的2倍以上。在这样的吸附构件10中，在顶面5能够稳定地吸附被吸附体11，并且减少因被吸附体11与顶面5的接触而产生的微粒，具有提高第一面4的散热性和降低光的反射率的效果。

另外，可以是顶面5的偏度比第一面4的偏度小，且顶面5的峰度比第一面4的峰度小。这种情况下，顶面5成为波谷多而平坦的形状，第一面4成为波峰多而尖锐的形状，能够稳定地吸附被吸附体11，并能够减少因被吸附体11与顶面5的接触而产生的微粒。而且，第一面4的散热性比较高且反射率比较低，在这点上是优选的。从能够比较稳定地吸附被吸附体11的观点出发，可以使顶面5的偏度小于0，使第一面4的偏度大于0。而且基于同样的观点，可以使顶面5的峰度小于3，使第一面4的峰度大于3。

关于粗糙度曲线要素的平均高度、粗糙度曲线要素的平均长度、偏度及峰度(以下，在对它们进行总称时，称为表面性状)，遵照jisb0601：2001，例如使用基恩士公司的激光显微镜vk-9500来对第一面4和顶面5的表面粗糙度在3处以上进行测定，求出线粗糙度测定中的各表面性状的各自的平均值。测定条件可以设为例如测定模式为彩超深度，测定倍率为400倍～1000倍，测定间距为0.05μm～0.20μm，截止滤波器λs为2.5μm，截止滤波器λc为0.08mm，测定长度为100μm～500μm。

图4及图5分别是表示吸附构件10的另一实施方式的剖视图。例如图4所示，吸附构件10的凸部2可以是接近顶面5的第一侧面6a和接近第一面4的第二侧面6b都为随着接近顶面5而面积以一定的比例逐渐减小的形状。而且，如图5所示，可以不具备交界9、阶梯部61。凸部2的形状没有特别限定。

以下，参照附图，说明吸附构件的制造方法的一实施方式。

例如，添加碳化硅质陶瓷中的3c型及4h型的结晶多晶型的比率的合计成为10％以上且20％以下的碳化硅质粉末、水、使该碳化硅质粉末分散的分散剂并放入于球磨机而进行40～60小时粉碎混合来形成浆料。在此，碳化硅质粉末所含的钛的含量为例如160质量ppm以上且400质量ppm以上。

在此，粉碎混合后的碳化硅的平均粒径(d50)为0.4μm以上且3μm以下。接下来，添加由碳化硼粉末及非晶质状的碳粉末或酚醛树脂构成的烧结助剂、结合剂而进行了混合之后，通过进行喷雾干燥而得到主成分由碳化硅构成的颗粒。

接下来，将颗粒通过静水压加压成形法而在49～147mpa的范围中适当选择出的压力下得到圆板状的成形体，之后通过切削加工将不需要的部分除去。

然后，将成形体置于氮气氛中，将温度设为450～650℃且将保持时间设为2～10小时来进行脱脂，得到脱脂体。接下来，将该脱脂体置于非活性气体的减压气氛中，将最高温度设为1800～2200℃，更优选设为2100～2200℃，且将保持时间设为3～6小时来进行保持、烧成，由此能够得到由碳化硅质陶瓷构成的基体。需要说明的是，关于非活性气体虽然没有特别限定，但是从获得、处理容易的观点出发，可以使用氩气。

然后，如图6所示，从激光源20向基体1的表面照射激光21，进行激光加工。

该激光加工的工序包括：通过向基体1照射激光21而用于形成图7的(a)所示那样的凸部2的前体(也称为前体凸部70)的第一加工工序；向该前体凸部70照射激光21而用于成为图7的(b)所示那样的凸部2的第二加工工序。

在第一加工工序中，通过向基体1照射激光21而对基体1的规定部位进行雕刻。具体而言，以将配置凸部2的规定区域包围的方式照射激光21，将照射了激光21的区域除去。被照射了激光21的区域形成第一面4，未被照射激光21的区域作为前体凸部70而保留。通过该第一加工工序，在前体凸部70的侧面的整体上形成向从第一面4离开的方向延伸的多个突条部7。

前体凸部70的表面及第一面4成为由于激光21的照射而熔融、固化的改质区域(未图示)。这些表面的形状、性状能够通过激光21的照射条件来调节。加工使用的激光没有特别限制，可以设为激光脉冲宽度处于皮秒区域的皮秒激光。

通过第一加工工序形成的前体凸部70中，上底的直径φ1为100μm～500μm，高度l1为100μm～1000μm，突条部7的根数在一周上为约10～100根。在第一加工工序中，一边改变激光21的焦点深度，一边反复进行向所希望的区域照射激光21的加工，直至加工深度成为l1为止。而且，可以以使凸部2与第一面4的交界部成为圆角形状的方式调整交界部的激光照射位置。

在第二加工工序中，选择性地向通过第一加工工序形成的前体凸部70的图中上侧部分照射激光21，由此进行选择性地除去前体凸部70的图中上侧的区域的加工。通过该第二加工工序，在俯视观察下，形成比交界9接近顶面5这侧(第一侧面6a)的外周线处于比交界9接近第一面4这侧(第二侧面6b)的外周线的内侧的凸部2。换言之，通过第二加工工序，以减小第一侧面6a所包围的区域的凸部2的直径的方式进行加工。

在第二加工工序中，不向比交界9接近第一面4这侧照射激光，仍保持通过第一加工工序形成的突条部7形成有多个的状态。

经由这样的第二加工工序，形成例如顶面的直径φt为50μm～200μm，凸部2的高度l1为100μm～1000μm，凸部2中的第一侧面6a所包围的部分的高度l2为50μm～300μm的凸部2。在该第二加工工序中，如果预先使照射的激光的输出比第一加工工序中的激光的输出小，则容易将凸部2加工成所希望的形状。此时，优选以使第一侧面6a的每单位面积的气孔的个数比第二侧面6b的每单位面积的气孔的个数少的方式进行加工。

通过激光加工，侧面6及第一面4成为熔融而固化的改质区域。即，由于激光而使侧面6及第一面4变质，气孔的个数减少，形成与机械加工面相比残留应力小的表面区域。例如，通过在氧化气氛中进行激光加工而使表面区域氧化，在侧面6及第一面4上形成与碳化硅相比难以吸附微粒的氧化硅、或者碳的至少一部分置换为氧的碳化硅的覆膜。

在这些激光加工工序中，可以对应于激光加工图案而使激光源20移动，但也可以如图6所示，将基体1载置于台22，使该台22移动来进行加工。在使台22移动时，可以使台22沿着与激光21正交的平面方向、即x、y方向移动，因此与使激光源20移动的情况相比，激光21的焦点的z方向精度提高，并且能够抑制激光21的斜度的不均。由此，激光加工的精度提高，能够高精度地形成多个凸部2。

通过利用激光加工来形成凸部2，与例如喷丸加工等方法相比，不需要掩模，因此生产性提高。而且，即便在使凸部2的形状变化的情况下，仅通过激光照射程序的变更就能够应对，因此能够简便地制造出各种用途、装置用的吸附构件10。

通过以上的方法能够得到本公开的吸附构件10。

实施例

以下，说明本发明的实施例。首先，准备外径100mm，厚度10mm的圆板状的碳化硅质陶瓷。然后，对该碳化硅质陶瓷的外周面进行圆筒加工，并通过磨削加工修整厚度，之后，使用粒径10μm以下的金刚石磨粒实施磨削加工，由此得到了基体1。

接下来，对基体1实施第一加工工序和第二加工工序，得到了图2所示的吸附构件10。

第一加工工序、第二加工工序都使用峰值波长为532nm、光斑直径为20μm的激光源20向基体1照射激光21，使台22沿x、y方向移动而形成了凸部2。需要说明的是，激光源20使用皮秒激光源，激光加工在氧化气氛的环境下进行。通过激光加工而在侧面6形成突条部7，并且形成了侧面6及基部3的第一面4变质、每单位面积的气孔的个数减少且包含碳的至少一部分置换为氧的碳化硅的表面区域。而且，在第一面4上形成了与激光21的光斑直径大致相同程度的大小的鳞片状的粒子。在此，第一加工工序中的激光的输出为80w，第二加工工序中的激光的输出为20w。

通过sem观察了经由以上的工序制作的吸附构件10的凸部2。图8是示出吸附构件10的例子的sem照片。sem摄影的加速电压为150kv，摄影倍率为100倍。关于从sem照片测定出的凸部2的各部的尺寸，凸部2的高度l1为约305μm，凸部2的从弯折点9至顶面5的高度l2为171μm，顶面5的直径φt为约103μm，底面的直径φb为约200mm，突条部7的根数为44根。

另外，通过激光显微镜观察凸部2的顶面5和基部3的第一面4，测定了线粗糙度。观察/测定使用基恩士公司的激光显微镜vk-9500，测定模式设为彩超深度，测定倍率设为400倍～1000倍，测定间距设为0.05μm～0.20μm，截止滤波器λs设为2.5μm，截止滤波器λc设为0.08mm，测定长度设为100μm～500μm，改变测定部位，沿x方向、y方向分别测定各3次，总计6次。根据各测定值来算出平均值，关于各平均值，凸部2的顶面5的粗糙度曲线要素的平均高度为1.57μm，粗糙度曲线要素的平均长度为19.52μm，偏度为-0.52，峰度为2.57，基部3的第一面4的粗糙度曲线要素的平均高度为4.42μm，粗糙度曲线要素的平均长度为45.42μm，偏度为0.18，峰度为4.91。

另外，图9示出改变加工条件而制作出的凸部2的sem照片。光源使用波长1064nm的光纤激光，在氧化气氛中，以输出20w、光斑直径20μm的条件进行了加工。在该例中，没有阶梯部61，突条部7形成为由从凸部2的与第一面相连的位置离开的位置向顶面5的方向延伸。

如图8或图9所示，即使激光源20的输出相同，由于凸部2的位置的不同而形成突条部7存在的部分和突条部7不存在的部分的原因是，由于距激光源20的距离的不同而使加工的状态变化的缘故。即，在距激光源20的距离远的位置处，容易形成突条部7，在距激光源20的距离近的位置处，难以形成突条部7。

为了形成突条部7，优选增大光斑直径且增大各发激光的移动距离。而且，为了成为没有突条部7的侧面6，优选减小各发激光的移动距离。

以上，说明了本公开的吸附构件，但是本发明没有限定为上述的方式，在不脱离本公开的主旨的范围内，可以进行各种改良及变更。

符号说明

1：基体

2：凸部

3：基部

4：第一面

5：顶面

6：侧面

6a：第一侧面

6b：第二侧面

7：突条部

8：凸部的与第一面相连的位置的面积

9：交界

10：吸附构件

11：基板(被吸附体)

20：激光源

21：激光

22：台