技术特征：
技术总结
本发明在提供抑制工艺的复杂化且可进行选择性的图案成膜的技术的一实施方式中，提供处理晶片(W)的方法(MT)，晶片(W)包含金属部(61)、绝缘部(62)及主表面(6)，在主表面(6)侧露出有金属部(61)的表面(61a)及绝缘部(62)的表面(62a)，方法(MT)具备：工序(S1)，将晶片(W)收容于等离子体处理装置(10)的处理室(4)内；工序(S2)，开始向处理室(4)内供给O2气体；及工序(S3)，向处理室(4)内供给SiF4气体及等离子体生成用高频电力，以在处理室(4)内生成基于包含SiF4气体的处理室(4)内的气体的等离子体，工序(S3)中所生成的等离子体含有沉积物种及蚀刻物种，在工序(S3)中所生成的等离子体中，蚀刻物种所占的比例比沉积物种所占的比例多。
技术研发人员：大内健次
受保护的技术使用者：东京毅力科创株式会社
技术研发日：2017.06.15
技术公布日：2019.02.05