LC滤波器的制作方法

本实用新型涉及LC滤波器，该LC滤波器包括由形成在层叠体的导体构成的线圈和内置于层叠体的电容器。

背景技术：

专利文献1公开了一种LC滤波器。专利文献1的LC滤波器具备层叠体、线圈导体图案、以及芯片型电容器部件。

层叠体通过将多个热塑性树脂片材层叠并进行热压而成。导体图案形成于规定的多个热塑性树脂片材。多个热塑性树脂片材的线圈导体图案通过层间连接导体连接。由此，在层叠体内形成有盘旋形状(helical)的线圈。芯片型电容器重叠配置在层叠体内且盘旋形状的线圈的中央的开口部。

专利文献1：国际公开第2015/194373号小册子

然而，在专利文献1所记载的构成的LC滤波器中，由于在热压时，热塑性树脂片材流动，所以有时线圈导体图案的形状会崩溃。若线圈导体图案的形状崩溃，则存在作为线圈不能实现所希望的滤波特性的情况。特别是在螺旋形状的线圈中，沿层叠方向排列的线圈导体图案间的耦合电容的偏差变大，难以稳定地得到所希望的滤波特性(S11、S21等)。

另外，在专利文献1所记载的构成中，由于芯片型电容器内置于层叠体，并且，收容芯片型电容器的孔未设置于层叠体，所以导致层叠体的表面以及背面的平坦度降低。若层叠体的表面以及背面的平坦度降低，则容易产生安装不良。

技术实现要素：

因此，本实用新型的目的在于，提供实现所希望的特性并且表面以及背面的平坦度高的LC滤波器。

本实用新型的LC滤波器具备层叠体、线圈导体图案、薄膜电容器、以及输入输出端子导体。层叠体通过层叠多个树脂片材而成。线圈导体图案埋设于多个树脂片材中的第一树脂片材。薄膜电容器埋设于第一树脂片材，被配置在螺旋形状的线圈导体图案的线圈开口内，与线圈导体图案连接。线圈导体图案的厚度小于第一树脂片材的厚度，薄膜电容器的厚度小于第一树脂片材的厚度。

在该构成中，由于线圈导体图案以及薄膜电容器比第一树脂片材薄，且至少一部分埋设在第一树脂片材，所以可抑制层叠体的制造过程中的线圈导体图案的位置偏移，并通过在层叠体中内置安装型的电容器来抑制平坦度的降低。

另外，在本实用新型的LC滤波器中，优选薄膜电容器的厚度与线圈导体图案的厚度大致相同。

在该构成中，平坦度进一步提高。

另外，在本实用新型的LC滤波器中，优选是如下的构成。层叠体具备与多个树脂片材的层叠方向正交的第一面。在层叠体的上述第一面形成有输入输出端子导体。输入输出端子导体包括接地用端子导体。薄膜电容器在外部连接面具备与接地用端子导体连接的至少一个端子导体。薄膜电容器以外部连接面朝向第一面侧的方式配置于层叠体的内部。

在该构成中，易于缩短接地用端子导体与薄膜电容器的端子导体的连接距离。由此，易于抑制薄膜电容器的接地侧的寄生电感。

另外，在本实用新型的LC滤波器中，优选将薄膜电容器的端子导体和接地用端子导体连接的布线导体形成于层叠方向上的外部连接面与上述第一面之间。

在该构成中，能够缩短接地用端子导体与薄膜电容器的端子导体的连接距离。由此，可抑制薄膜电容器的接地侧的寄生电感。

另外，在本实用新型的LC滤波器中，优选是如下的构成。具备多个薄膜电容器的端子导体。布线导体将薄膜电容器的多个端子导体与上述多个端子导体共用的接地用端子导体连接。

在该构成中，在薄膜电容器的接地侧并联连接有多个寄生电感。由此，进一步抑制薄膜电容器的接地侧的寄生电感。

另外，在本实用新型的LC滤波器的制造方法中，具有如下的各工序。该制造方法具有：在辅助树脂片材的表面形成螺旋形状的线圈导体图案的工序；以及在辅助树脂片材的表面中的螺旋形状的线圈导体图案的线圈开口内配置薄膜电容器的工序。该制造方法具有在辅助树脂片材的表面形成第一树脂片材以覆盖线圈导体图案以及薄膜电容器的工序。

在该制造方法中，容易制造不产生线圈导体图案的位置偏移且层叠体的平坦度高的LC滤波器。

另外，在本实用新型的LC滤波器的制造方法中，能够成为如下的方法。包括辅助树脂片材以及第一树脂片材的多个树脂片材具有热塑性。层叠体通过将多个树脂片材层叠并进行热压而成。

在该制造方法中，在层叠体的形成时，产生树脂片材的流动，但通过具备上述的构成，几乎不产生线圈导体图案的位置偏移，层叠体的平坦度的降低也被抑制。

根据该实用新型，能够获得实现所希望的特性并且表面以及背面的平坦度高的LC滤波器。

附图说明

图1是本实用新型的第一实施方式所涉及的LC滤波器的分解立体图。

图2是表示本实用新型的第一实施方式所涉及的LC滤波器的构成的剖视图。

图3是本实用新型的第一实施方式所涉及的LC滤波器的等效电路图。

图4(A)－图4(E)是示意性地表示本实施方式所涉及的LC滤波器的制造过程中的形状的剖视图。

图5(A)－图5(E)是示意性地表示本实施方式所涉及的LC滤波器的制造过程中的形状的剖视图。

图6是本实用新型的第二实施方式所涉及的LC滤波器的分解立体图。

图7是从本实用新型的第二实施方式所涉及的薄膜电容器的背面侧观察到的外观立体图。

图8是本实用新型的第二实施方式所涉及的薄膜电容器的剖视图。

图9(A)是第三实施方式所涉及的薄膜电容器的俯视图，图9(B) 是薄膜电容器的主视图。

图10是薄膜电容器的几个层中的俯视图。

图11是表示薄膜电容器的各层的各导体、各导体的连接关系的分解俯视图。

具体实施方式

参照附图，对本实用新型的第一实施方式所涉及的LC滤波器进行说明。图1是本实用新型的第一实施方式所涉及的LC滤波器的分解立体图。图2是表示本实用新型的第一实施方式所涉及的LC滤波器的构成的剖视图。图3是本实用新型的第一实施方式所涉及的LC滤波器的等效电路图。

(LC滤波器200的电路)

如图3所示，LC滤波器200具备电感器L和电容器C，并具备端子 P1、P2、P3。电感器L连接于端子P1与端子P2之间。电容器C连接于端子P2与端子P3之间。端子P1、P2是传输信号的输入输出端子，端子 P3是与接地电位连接的端子。

通过该构成，LC滤波器200作为低通滤波器发挥作用。

(LC滤波器200的构造)

如图1、图2所示，LC滤波器200具备层叠体210、线圈导体图案 222、223、以及薄膜电容器100，并具备输入输出端子导体241、242、243。

层叠体210通过层叠多个树脂片材211、212、213、214而成。多个树脂片材211、212、213、214只要具有绝缘性即可，能够使用电介质、或者磁性体等。另外，多个树脂片材211、212、213、214能够使用热塑性以及热固性中的任意一种。多个树脂片材211、212、213、214按该顺序进行层叠。树脂片材211的厚度和树脂片材214的厚度大致相同，树脂片材212的厚度和树脂片材213的厚度大致相同。树脂片材212和树脂片材213的厚度大于树脂片材211和树脂片材214的厚度，但并不局限于此。

从多个树脂片材211、212、213、214的层叠方向观察(沿Z方向观察)，层叠体210是矩形。形成该矩形的正交的两个方向是X方向和Y方向。

线圈导体图案222形成于树脂片材212中的树脂片材211侧的面。沿 Z方向观察，线圈导体图案222是多匝的绕线形状。即，线圈导体图案222 是螺旋(spiral)形状。线圈导体图案222形成在树脂片材212的四侧边的附近，沿着四侧边卷绕。

线圈导体图案222的厚度(Z方向的尺寸D2)小于树脂片材212的厚度(Z方向的尺寸D3)。线圈导体图案222以在树脂片材211侧的面露出的状态埋设于树脂片材212。

线圈导体图案223形成于树脂片材213中的树脂片材212侧的面。沿 Z方向观察，线圈导体图案223是多匝的绕线形状。即，线圈导体图案223 是螺旋形状。线圈导体图案223形成于树脂片材213的四侧边的附近，沿着四侧边卷绕。

线圈导体图案223的厚度与线圈导体图案222的厚度大致相同。线圈导体图案223的厚度小于树脂片材213的厚度。线圈导体图案223以在树脂片材212侧的面露出的状态埋设于树脂片材213。

线圈导体图案223的外端2232经由层间连接导体252与线圈导体图案222的外端2222连接。这些线圈导体图案222、223、层间连接导体252 与图1的电感器L对应。

输入输出端子导体241、242、243形成于树脂片材214中的与树脂片材213侧相反侧的面。沿Z方向观察，输入输出端子导体241、242、243 是矩形，并在X方向上隔着间隔配置。输入输出端子导体243在X方向上配置于输入输出端子导体241与输入输出端子导体242之间。输入输出端子导体241与图1的端子P1对应，输入输出端子导体242与图1的端子P2对应，输入输出端子导体243与图1的端子P3对应。

输入输出端子导体241经由层间连接导体251与线圈导体图案222的内端2221连接。输入输出端子导体242经由层间连接导体253与线圈导体图案223的内端2231的附近连接。

薄膜电容器100是厚度较薄的平板形状，在与厚度方向正交的背面具备端子导体61、62。薄膜电容器100的厚度(Z方向的尺寸D3)小于树脂片材212的厚度(Z方向的尺寸D1)。薄膜电容器100以表面在树脂片材211侧的面露出的状态埋设于树脂片材212。该薄膜电容器100与图1 的电容器C对应。

此外，薄膜电容器100的材料能够使用已知的各种材料。即，作为薄膜电容器100，只要是厚度大幅小于其他的尺寸并且在与厚度方向正交的面形成端子导体61、62的形状即可。但是，薄膜电容器100优选是低ESL、低ESR的电容器。

沿Z方向观察，薄膜电容器100配置在线圈导体图案222的线圈开口内、以及线圈导体图案223的线圈开口内。

在该构成中，薄膜电容器100以具备端子导体61、62的面朝向层叠体210中的具备输入输出端子导体241、242、243的面侧的方式被配置在层叠体210内。

沿Z方向观察层叠体210，端子导体62和输入输出端子导体243重叠。端子导体62和输入输出端子导体243经由层间连接导体255连接。

端子导体61和线圈导体图案223的内端2231重叠。端子导体61和线圈导体图案223的内端2231经由层间连接导体254连接。

通过以上的构造实现了图1的电路。

而且，通过成为这样的构成，由于薄膜电容器100的厚度以及线圈导体图案222、223的厚度小于树脂片材212、213的厚度，所以能够抑制具有薄膜电容器100以及线圈导体图案222、223的区域与不具有它们的区域的层叠体210的厚度之差，能够进一步提高平坦度。例如，在预先以恒定的厚度准备各树脂片材211、212、213、214，并通过将这些树脂片材层叠且进行热压来形成层叠体210的情况下，该厚度容易受到差的影响，但通过使用本实施方式的构成，能够使厚度之差减小，提高平坦度。

另外，由于线圈导体图案222、223是螺旋形状，所以在层叠体210 的形成时难以变形，能够实现所希望的滤波特性。具体而言，在预先以恒定的厚度准备树脂片材211、212、213、214，并将这些树脂片材层叠且进行热压来形成层叠体210的情况下，该厚度受到差的影响，树脂片材211、 212、213、214发生变形。然而，通过线圈导体图案222、223是多匝的绕线形状(螺旋形状)，从而与盘旋状的线圈导体图案相比，即使在层叠体的形成时(例如热压时)导体图案偏移，线圈自身的电感、内部电容也难以变化。换句话说，线圈的自谐振频率难以变化。

另外，在本实施方式的构成中，端子导体62朝向层叠体210中的输入输出端子导体243侧。由此，易于缩短将端子导体62和输入输出端子导体243连接的导体，能够减小连接于薄膜电容器100与接地电位之间的寄生电感。因此，LC滤波器200易于实现所希望的滤波特性。

并且，在本实施方式的构成中，端子导体62和输入输出端子导体243 仅通过层间连接导体255连接。由此，能够减小连接于薄膜电容器100与接地电位之间的寄生电感，LC滤波器200能够更容易并且正确地实现所希望的滤波特性。

由这样的结构构成的LC滤波器200能够通过如下所示的制造方法实现。图4(A)－图4(E)、图5(A)－图5(E)的各图是示意性地表示本实施方式所涉及的LC滤波器的制造过程中的形状的剖视图。此外，通常使用同时形成多个LC滤波器200并进行分割的制造方法，但在图4(A) －图4(E)、图5(A)－图5(E)中，图示出一个LC滤波器200。

(1)如图4(A)所示，准备支承基板SP，在支承基板SP的表面形成树脂片材211。树脂片材211使用构建(build-up)方法用的树脂。

(2)如图4(B)所示，在树脂片材211的表面形成线圈导体图案222。线圈导体图案222由铜等金属构成，例如使用半添加法等形成。

(3)如图4(C)所示，在树脂片材211的表面粘合薄膜电容器100。薄膜电容器100以端子导体61、62为与树脂片材211的表面侧相反侧的方式与树脂片材211粘合。

(4)如图4(D)所示，在树脂片材211的表面形成树脂片材212。树脂片材212使用构建方法用的树脂。树脂片材212以完全覆盖线圈导体图案222以及薄膜电容器100的厚度形成。由此，树脂片材212的厚度大于薄膜电容器100以及线圈导体图案222的厚度。

(5)如图4(E)所示，从树脂片材212的表面侧形成孔TH254、TH255。孔TH254与端子导体61的一部分重叠，使端子导体61的一部分在树脂片材212的表面侧露出。孔TH255与端子导体62的一部分重叠，使端子导体62的一部分在树脂片材212的表面侧露出。孔TH254、TH255通过利用使用了光刻法等的选择性蚀刻、或者使用了激光的选择性蚀刻仅对树脂片材212进行蚀刻来实现。

(6)如图5(A)所示，在树脂片材212的表面形成线圈导体图案 223、层间连接用辅助导体图案2550。此时，孔TH254被导体填充，形成层间连接导体254。另外，孔TH255被导体填充，形成层间连接导体255。层间连接导体254与端子导体61和线圈导体图案223连接，层间连接导体255与端子导体62和层间连接用辅助导体图案2550连接。

(7)如图5(B)所示，在树脂片材212的表面依次形成树脂片材213 以及树脂片材214。树脂片材212、213使用构建方法用的树脂。树脂片材213以完全覆盖线圈导体图案223的厚度形成。由此，树脂片材213的厚度大于线圈导体图案223的厚度。

(8)如图5(C)所示，从树脂片材214的表面侧形成孔TH253、 TH2550。孔TH2550与层间连接用辅助导体图案2550重叠，将层间连接用辅助导体图案2550的一部分在树脂片材214的表面侧露出。孔TH253 与线圈导体图案223重叠，使线圈导体图案223的内端附近在树脂片材 214的表面侧露出。孔TH253、TH2550通过利用使用了光刻法等的选择性蚀刻、或者使用了激光的选择性蚀刻仅对树脂片材214、213进行蚀刻来实现。

(9)如图5(D)所示，在树脂片材214的表面形成输入输出端子导体241、242、243。此时，孔TH253被导体填充，形成层间连接导体253。另外，孔TH2550被导体填充，形成层间连接导体255。层间连接导体253 与线圈导体图案223和输入输出端子导体242连接，层间连接导体255与输入输出端子导体243和层间连接用辅助导体图案2550连接。

(10)如图5(E)所示，将支承基板SP剥离。由此，形成了LC滤波器200。此外，如上述那样，在该剥离工序后将处于集合基板状态的多个LC滤波器200切割成单片。然后，进行测试、绑带后出厂。

通过使用这样的制造方法，能够容易地制造由上述的结构构成的LC 滤波器200。

此外，LC滤波器200也能够通过以规定的厚度准备多个树脂片材 211、212、213、214，并将这些树脂片材层叠且热压的制造方法来实现。该情况下，在热压之前，进行线圈导体图案222、223的形成和薄膜电容器100的配置。

另外，本实施方式所涉及的LC滤波器200适合作为电源装置的滤波器利用，例如，作为电动汽车的电源装置用的低通滤波器利用，但也能够利用于其他的用途。

接下来，参照附图对本实用新型的第二实施方式所涉及的LC滤波器进行说明。图6是本实用新型的第二实施方式所涉及的LC滤波器的分解立体图。图7是从本实用新型的第二实施方式所涉及的薄膜电容器的背面侧观察到的外观立体图。图8是本实用新型的第二实施方式所涉及的薄膜电容器的剖视图。

本实施方式所涉及的LC滤波器200A相对于第一实施方式所涉及的LC滤波器200，在薄膜电容器101的构造中不同，在连接该薄膜电容器 101的布线导体的构成中不同。此外，以下仅对不同的部位具体地进行说明，省略与第一实施方式所涉及的LC滤波器200相同的部位的说明。

LC滤波器200A具备层叠体210A以及薄膜电容器101。层叠体210A 相对于第一实施方式所涉及的层叠体210在追加了树脂片材215、布线导体261、271的点上不同。

树脂片材215配置于树脂片材213与树脂片材214之间。

布线导体261配置于树脂片材213中的树脂片材212侧的面，埋设于树脂片材213。布线导体261与线圈导体图案223的内端2231A连接。

布线导体271配置于树脂片材215中的树脂片材213侧的面，埋设于树脂片材215。

薄膜电容器100A在背面具备端子导体61A、61B、61C、61D、61E 和端子导体62A、62B、62C、62D。将在后面描述薄膜电容器100A的内部构造。

薄膜电容器100A的端子导体62A、62B、62C、62D经由层间连接导体255A与布线导体271连接。布线导体271经由层间连接导体256A与输入输出端子导体243连接。

薄膜电容器100A的端子导体61A、61B、61C、61D、61E经由层间连接导体254A与布线导体261连接。

这样的构成起到与第一实施方式相同的作用效果。另外，在LC滤波器200A中，多个端子导体62A、62B、62C、62D与作为共用的接地的输入输出端子导体243连接。由此，成为多个端子导体62A、62B、62C、 62D的与接地侧分别连接的寄生电感并联连接的构成。由此，能够进一步减小寄生电感。

接下来，对本实施方式所涉及的薄膜电容器101的具体构成进行说明。图7是从本实用新型的第二实施方式所涉及的薄膜电容器的背面侧观察到的外观立体图。图8是本实用新型的第二实施方式所涉及的薄膜电容器的剖视图。

如图7所示，薄膜电容器101是在端子导体61A、61B、61C、61D、61E与端子导体62A、62B、62C、62D之间具有规定的电容的元件。

若标注图8所表示的部分的附图标记来描述本实施方式的薄膜电容器101的构成，则如下所述。

(a)基板10；

(b)在基板10的第一主面形成的密接层11；

(c)在密接层11的上层形成的第一内部导体21A、21B、以及第二内部导体22A、22B；

(d)设置于第一内部导体21A与第二内部导体22A之间的电介质层 20A、设置于第一内部导体21B与第二内部导体22A之间的电介质层20B、设置于第一内部导体21B与第二内部导体22B之间的电介质层20C；

(e)设置于第一内部导体21A、21B以及第二内部导体22A、22B 的上层侧且在多处位置与第一内部导体21A、21B连接的第一中间导体 41；

(f)设置于第一内部导体21A、21B以及第二内部导体22A、22B的上层侧且在多处位置与第二内部导体22A、22B连接的多个第二中间导体 (在图8中的剖面中被表示为第二中间导体42C。)；

(g)设置于第一中间导体41的上层侧且与第一中间导体41连接的第一表面导体51A、51B；

(h)设置于第二中间导体42C等的上层侧且在多处位置与第二内部导体22A、22B导通的第二表面导体52；

(i)在第一表面导体51的上表面形成的多个端子导体61A、61B、 61C、61D、61E(在图8中表示出第一端子导体61A、61B。)；

(j)在第二表面导体的上表面形成的多个端子导体62A、62B、62C、 62D(在图8中表示出第二端子导体62C。)；

(k)覆盖第一内部导体21A、21B、第二内部导体22A、22B以及电介质层20A、20B、20C的层叠体部分的无机绝缘层30；

(l)覆盖无机绝缘层30且形成了第一中间导体41、第二中间导体 42C的第一有机绝缘层31；

(m)覆盖第一有机绝缘层31且形成了第一表面导体51A和51B、以及第二表面导体52的第二有机绝缘层32；

(n)覆盖第二有机绝缘层32并使端子导体61A、61B、端子导体62C 等露出的第三有机绝缘层33。

在图8中，由第一内部导体21A、第二内部导体22A以及电介质层 20A构成第一电容部，由第一内部导体21B、第二内部导体22A以及电介质层20B构成第二电容部，由第一内部导体21B、第二内部导体22B以及电介质层20C构成第三电容部。

多个第一表面导体(51A、51B等)通过第一中间导体41共同连接。因此，可缓和对于电流针对端子导体(61A、61B等)的出入的方向性的影响(方向依存性)。即，由于第一表面导体的电位的偏压(倾斜)被第一中间导体41缓和，所以可缓和第一内部导体21A、21B的平面内的电流集中。由此可减少ESL/ESR。另外，在从第一内部导体21A、21B到第一表面导体51A、51B等的电流路径中，并联关系的电流路径变多，进一步减少了ESL/ESR。

本实施方式的电容器是利用了薄膜工序的薄膜电容器。在该薄膜电容器中，若由以Pt作为主要成分的高熔点金属构成第一内部导体21A、21B 以及第二内部导体22A、22B等，则能够在氧化气氛中以800℃以上1000℃以下左右的高温烧制作为电介质层20A、20B、20C的高介电常数材料的 BST。

若由如将Cu作为主要成分的金属膜那样相对电阻小的材料构成第一中间导体41以及第二中间导体42C等，并且使膜厚增厚，则能够使薄层电阻低于第一内部导体(Pt)。此外，第一中间导体41以及第二中间导体 42C等也可以是除了Cu以外将Al作为主要成分的金属。由此，作为夹着电介质层20A、20B的导体的第一内部导体21A、21B以及第二内部导体 22A、22B能够使用适合它们的导体材料并且使电容器低ESR化。

另外，基板10是半导体基板，由于第一内部导体、第二内部导体、第一中间导体、第一表面导体以及第二表面导体分别是通过薄膜工序形成的金属薄膜，所以可得到小型且大容量的电容器。

另外，在本实施方式中，由于在第一表面导体51A、51B等以及第二表面导体52形成了由Ni/Au镀膜构成的端子导体61A、61B以及端子导体62C等，所以端子导体的环境耐性较高。

此外，根据本实施方式，由于第一内部导体21A、21B和第二内部导体22A、22B的外形实际相同，第一中间导体41通过设置于第二内部导体22A、22B的开口与第一内部导体21A、21B导通，所以将第一内部导体21A、21B和第一中间导体41连接的导体的路径长度变短，可抑制从第一内部导体21A、21B到第一表面导体51A、51B等的厚度方向的路径的增大。

另外，第一表面导体51A、51B被配置为在之间夹着第二表面导体52。此外，在图8中，对于未图示的其他第一表面导体以及第二表面导体而言，也在纵横的任一方向上交替地配置为相互夹着。即，多个第一表面导体和多个第二表面导体被配置成平面格子状。由此，在第一中间导体41以及第二表面导体52中电流被有效地分散。

此外，作为电容器中的端子导体以及电路基板中的安装导体的个数，例示出纵3列×横3列共计9个，但例如既可以是纵2列×横2列共计4 个，也可以是纵5列×横5列共计25个等。其个数也并不局限于平方。

接下来，参照附图对本实用新型的第三实施方式所涉及的LC滤波器进行说明。图9(A)是第三实施方式所涉及的薄膜电容器的俯视图。图9 (B)是薄膜电容器的主视图。图9(A)示出的面是安装面(背面)。图 10是薄膜电容器的几个层中的俯视图。图11是示出薄膜电容器的各层的各导体、各导体的连接关系的分解俯视图。

如图9(A)、图9(B)所示，该薄膜电容器102具备端子导体61A、 61B、61C、61D以及端子导体62A、62B、62C、62D、62E。薄膜电容器 102的各部的尺寸例如按照下述。

X:0.75mm

Y:0.75mm

P:0.2mm

S:0.1mm

t:0.04mm

h:0.02mm

薄膜电容器102是在端子导体61A、61B、61C、61D与端子导体62A、 62B、62C、62D、62E之间具有规定的电容的元件，例如作为去耦电容器使用。

如图10、图11表示那样，在层L2、L4形成有第一内部导体21A、21B，在层L1、L3形成有第二内部导体22A、22B。在层L6形成有第一中间导体41以及第二中间导体42A、42B、42C、42D、42E。在层L8形成有第一表面导体51A、51B、51C、51D以及第二表面导体52。在层L9 分别形成有第一端子导体61A、61B、61C、61D以及第二端子导体62A、 62B、62C、62D、62E。

在从层L1到层L6之间形成有将第二内部导体22A和第二中间导体 42A、42B、42C、42D、42E连接的层间连接导体81A。在从层L2到层 L6之间形成有将第一内部导体21A和第一中间导体41连接的层间连接导体71A。在从层L3到层L6之间形成有将第二内部导体22B和第二中间导体42A、42B、42C、42D、42E连接的层间连接导体81B。在层L5形成有将第一内部导体21B和第一中间导体41连接的层间连接导体71B。

另外，在层L7形成有连接第一中间导体41和第一表面导体51A、51B、 51C、51D的层间连接导体72、以及连接第二中间导体42A、42B、42C、 42D、42E和第二表面导体52的层间连接导体82。

端子导体61A、61B、61C、61D形成在第一表面导体51A、51B、51C、 51D的表面。端子导体62A、62B、62C、62D、62E分别形成在第二表面导体52的表面。

薄膜电容器102的第一电容部以及第二电容部的基本构成与第二实施方式所涉及的薄膜电容器101相同。

第一中间导体41将多个第一表面导体51A、51B、51C、51D共同连接。另外，第二中间导体42A、42B、42C、42D、42E将第二内部导体22A、 22B的多处位置共同连接。

这样，多个第一表面导体51A、51B、51C、51D通过第一中间导体 41共同连接，另外，第二内部导体22A、22B经由第二中间导体42A、42B、 42C、42D、42E与第二表面导体52共同连接。因此，可缓和对于电流针对第一端子导体61A、61B、61C、61D以及第二端子导体62A、62B、62C、 62D、62E的出入的方向性的影响。即，由于第一表面导体51A、51B、51C、 51D的电位的偏压(倾斜)被第一中间导体41缓和，所以可缓和第一内部导体21A、21B的平面内的电流集中。另外，由于第二内部导体22A、 22B的电位的偏压(倾斜)被第二中间导体42A、42B、42C、42D、42E 以及第二表面导体52缓和，所以可缓和第二内部导体22A、22B的平面内的电流集中。由此，可减少ESL/ESR。另外，在从第一内部导体21A、 21B到第一表面导体51A、51B、51C、51D的电流路径中，并联关系的电流路径变多，在从第二内部导体22A、22B到第二表面导体52的电流路径中，并联关系的电流路径变多，进一步减少ESL/ESR。

根据本实施方式的薄膜电容器102，在ESL成为主导的频率300MHz 附近，成为更低阻抗。该频率下的阻抗相当于ESL，ESL约是4pH。因此，与以往的一般的构成相比较改善了ESL。

此外，在上述的各实施方式中，示出了将螺旋形状的线圈导体图案在层叠体内形成2层的方式，但既可以是1层，也可以是3层以上。另外，示出了在层叠体的Z方向，在与螺旋形状的线圈导体图案相同的位置配置薄膜电容器的方式，但也可以不同。其中，优选在层叠体的Z方向，薄膜电容器的位置与螺旋形状的线圈导体图案的位置重叠。由此，能够使层叠体更薄，并且，能够更可靠地抑制螺旋形状的线圈导体的变形。

附图标记说明

10：基板；11：密接层；20A、20B、20C：电介质层；21A、21B：第一内部导体；22A、22B：第二内部导体；30：无机绝缘层；31：第一有机绝缘层；32：第二有机绝缘层；33：第三有机绝缘层；41：第一中间导体；42A、42B、42C：第二中间导体；51、51A：第一表面导体；52：第二表面导体；61、61A、62、62A、62C：端子导体；71A、71B、72、 81A、81B、82：层间连接导体；100、100A、101、102：薄膜电容器；200、 200A：LC滤波器；210、210A：层叠体；211、212、213、214、215：树脂片材；222、223：线圈导体图案；241、242、243：输入输出端子导体； 251、252、253、254、254A、255、255A、256A：层间连接导体；261、 271：布线导体；2222、2232：外端；2221、2231、2231A：内端；2550：层间连接用辅助导体图案；SP：支承基板；TH253、TH254、TH255、TH2550：孔。