技术总结
本发明公开了一种对GaSb材料表面进行氮钝化处理的方法。该方法利用原子层沉积技术对GaSb材料表面进行N钝化处理，在处理过程中通过引入高能量激光，使高能量激光光斑照射在原子层沉积系统腔室内N源出口处，用高能量激光辅助处理N源气体分子，高能的激光光子与NH3或N2这些N源气体分子相互作用，使NH3或N2分子活化为离子状态，提高N源的活性，实现N源能完全饱和GaSb材料表面的悬挂键，N源与GaSb材料表面的Ga原子快速成键并生成氮化物钝化层薄膜，本发明提出的这种方法能够在较低温度下实现，避免了高温沉积钝化层薄膜时会对GaSb材料引入其他形式缺陷的问题，实现在较低温度下对GaSb材料表面高质量的N钝化处理及高质量氮化物钝化层薄膜的制备。
技术研发人员：魏志鹏;方铉;房丹;唐吉龙;陈雪;李如雪;王新伟;王登魁;王晓华;马晓辉
受保护的技术使用者：长春理工大学
技术研发日：2018.01.15
技术公布日：2018.08.03