本发明涉及显示技术领域，特别是涉及一种阵列基板、oled显示面板及oled显示器。
背景技术：
现有技术的低温多晶硅面板中，为了增强面板的受弯折性，一般在介电层上形成一层有机材料制备的柔性层，但是这种单层柔性层的结构，弯折强度较低，在面板经过多次弯折后，依然存在断裂的风险，从而导致面板报废。
技术实现要素：
本发明主要是提供一种阵列基板、oled显示面板及oled显示器，旨在解决单层柔性层的结构弯折强度较低的问题。
为解决上述技术问题，本发明采用的一个技术方案是：提供一种阵列基板，该阵列基板包括层叠设置的柔性衬底、tft功能层、第一柔性层、介电层、第二柔性层、第一电极层和平坦层。
为解决上述技术问题，本发明采用的另一个技术方案是：提供一种oled显示面板，该oled显示面板包括层叠设置的阵列基板和oled器件；其中，所述阵列基板包括层叠设置的柔性衬底、tft功能层、第一柔性层、介电层、第二柔性层、第一电极层和平坦层
为解决上述技术问题，本发明采用的又一个技术方案是：提供一种oled显示器，该oled显示器包括上述的oled显示面板。
本发明的有益效果是：区别于现有技术的情况，本发明提供的阵列基板包括层叠设置的柔性衬底、tft功能层、第一柔性层、介电层、第二柔性层、第一电极层和平坦层，在介电层的上下两侧分别形成有第一柔性层和第二柔性层，相对于现有技术中，仅在介电层上形成一个柔性层，弯折强度更高，提高了显示面板的受弯折性。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图，其中：
图1是本发明提供的阵列基板实施的结构示意图；
图2是图1中部分结构的示意图；
图3是图2中介电层另一结构示意图；
图4是图2中第一柔性层、第二柔性层与介电层的另一结构示意图；
图5是图2中介电层的又一结构示意图；
图6是图2中第一柔性层、第二柔性层与介电层的又一结构示意图；
图7是本发明提供的oled显示面板的结构示意图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅是本发明的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
参阅图1，图1是本发明提供的阵列基板10实施例的结构示意图，本实施例的阵列基板10包括层叠设置的柔性衬底11、tft功能层12、第一柔性层13、介电层14、第二柔性层15、第一电极层16及平坦层17。
参阅图2，柔性衬底11在制备时，可通过在一基板18的表面涂布包括但不限于的聚酰亚胺、聚对苯二甲酸乙二醇酯或聚碳酸酯的柔性衬底材料，并在涂布后作烘干处理，以形成柔性衬底11。
可选的，基板18为包括但不限于的玻璃基板、陶瓷基板、石英基板或硅片基板。
可选的，柔性衬底11上还形成有缓冲层19，如图2所示，可通过化学气相沉积法在柔性衬底11上沉积氮化硅或氧化硅中的至少一种以形成缓冲层19。
共同参阅图1及图2，tft功能层12包括层叠设置的半导体层121、栅极绝缘层122及栅极123。
在制备时，首先，可通过化学气相沉积法在缓冲层19上沉积非晶硅形成一非晶硅层，然后对该非晶硅层作去氢处理，并通过准分子激光退火处理，使得非晶硅层结晶形成多晶硅层，最后通过曝光、显影、蚀刻及剥离等的光刻工艺对该多晶硅层进行图案化处理，形成半导体层121。
在形成半导体层121后，可通过化学气相沉积法在缓冲层19上沉积覆盖半导体层121的绝缘材料层，以形成栅极绝缘层122。
可选的，该绝缘材料是包括但不限于的氧化硅、氧化铝、氮化硅或离子凝胶的绝缘材料。
进一步的，在形成栅极绝缘层122后，可通过物理气相沉积法在栅极绝缘层122上沉积导电材料形成导电层，并通过曝光、显影、蚀刻及剥离等的光刻工艺对该导电材料层进行图案化处理，以形成栅极123。
可选的，该导电材料是包括但不限于铝、银、铜、ito、金或钛的导电材料。
第一柔性层13覆盖于栅极绝缘层122及栅极123上，介电层14形成于第一柔性层13上，第二柔性层15形成于介电层14上。
其中，第一柔性层13与第二柔性层15采用有机材料制作，介电层14采用无机材料制作，在制备时，可在栅极绝缘层122上涂布覆盖栅极123的有机材料，并在涂布后作烘干处理，以形成第一柔性层13，然后在第一柔性层13上通过化学气相沉积法沉积无机材料，以形成介电层14，最后在介电层14上涂布有机材料，并在涂布后作烘干处理，以形成第二柔性层15。
可选的，上述的有机材料为聚酰亚胺，无机材料为siox、sinx或siox和sinx的混合物。
共同参阅图3及图4，在另一实施例中，如图3所示，介电层14设有多个通孔141，如图4所示，第一柔性层13与第二柔性层15通过多个通孔141连接，在制备时，通过化学气相沉积法在第一柔性层13上形成介电层14后，再通过曝光、显影、蚀刻及剥离等的光刻工艺形成多个通孔141，最后再介电层14上及多个通孔141中形成第二柔性层15，使得第二柔性层15通过通孔141中的部分与第一柔性层13连接，以提高第一柔性层13与第二柔性层15的弯折强度，从而提高本实施例中阵列基板10的受弯折性。
共同参阅图5及图6，在又一实施例中，如图5所示，介电层14的下表面设有多个第一凹槽142，如图6所示，第一柔性层13部分设置于多个第一凹槽142中，以提高第一柔性层13与介电层14的连接强度，从而提高第一柔性层13的弯折强度，进而提高本实施例中阵列基板10的受弯折性。
进一步的，如图5所示，介电层14的上表面设置有多个第二凹槽143，如图6所示，第二柔性层15部分设置于多个第二凹槽143中，以提高第二柔性层15与介电层14的连接强度，从而提高第二柔性层15的弯折强度，进而提高本实施例中阵列基板10的受弯折性。
其中，介电层14可同时在下表面设置多个第一凹槽142、上表面设置多个第二凹槽143，也可以仅在下表面设置多个第一凹槽142或上表面设置多个第二凹槽143。
进一步参阅图2，栅极绝缘层122、第一柔性层13、介电层14及第二柔性层15设有连通半导体层121的过孔101。
具体的，在介电层14上形成第二柔性层15后，通过曝光、显影、蚀刻及剥离等的光刻工艺形成贯穿第二柔性层15、介电层14及第一柔性层13以连通半导体层121的过孔101。
其中，过孔101的数量为两个。
共同参阅图1及图2，第一电极层16包括源极161和漏极162，源极161和漏极162通过两个过孔101与半导体层121连接。
具体的，在制备时，可通过物理气相沉积法在第二柔性层15上及通孔101中沉积导电材料形成导电层，并通过曝光、显影、蚀刻及剥离等的光刻工艺对该导电层进行图案化处理，以形成与半导体层121连接的源极161和漏极162。
可选的，该导电材料是包括但不限于铝、银、铜、ito、金或钛的导电材料。
平坦层17形成于第二柔性层15上且覆盖第一电极层16。
其中，平坦层17设有连通第一电极层16的贯穿孔171。
可选的，平坦层17采用有机材料制作，该有机材料可为聚酰亚胺。
参阅图7，图7是本发明提供的oled显示面板20实施例的结构示意图，本实施例的oled显示面板20包括阵列基板21及oled器件22。
其中，阵列基板21为上述实施例中的阵列基板10，具体的，该阵列基板21包括层叠设置的柔性衬底11、tft功能层12、第一柔性层13、介电层14、第二柔性层15、第一电极层16及平坦层17，该阵列基板21的具体描述可参阅上述阵列基板10实施例，在此不再赘述。
oled器件22包括第二电极层221、像素定义层222、发光层223、第三电极层224及封装层225。
共同参阅图1及图7，第二电极层221设置于平坦层17上，并通过平坦层17上的贯穿孔171连接第一电极层16，在制备时，可通过物理气相沉积法在平坦层17与17上的贯穿孔171中沉积导电材料已形成导电层，并通过曝光、显影、蚀刻及剥离等的光刻工艺对该导电层进行图案化处理，以形成与第一电极层16连接的第二电极层221。
其中，第二电极层221可以是阳极层也可以是阴极层。
像素定义层222设置于平坦层17上且覆盖第二电极层221，其中，像素定义层222对应第二电极层221的位置设有像素发光区2221。
可选的，像素定义层222采用有机材料制作，该有机材料可为聚酰亚胺。
发光层223对应像素发光区2221设置于第二电极层221上，第三电极层224设置于发光层223上，封装层225覆盖像素定义层222与第三电极层224。
其中，第三电极层224与第二电极层221电连接，且与第二电极层221的极性相反。
本发明还提供了一种oled显示器，该oled显示器包括上述实施例中的oled显示面板。
区别于现有技术，本发明提供的阵列基板包括层叠设置的柔性衬底、tft功能层、第一柔性层、介电层、第二柔性层、第一电极层和平坦层，在介电层的上下两侧分别形成有第一柔性层和第二柔性层，相对于现有技术中，仅在介电层上形成一个柔性层，弯折强度更高，提高了显示面板的受弯折性。
以上所述仅为本发明的实施方式，并非因此限制本发明的专利范围，凡是利用本发明说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换，或直接或间接运用在其他相关的技术领域，均同理包括在本发明的专利保护范围内。