本发明涉及显示领域，尤其涉及一种可折叠显示屏及可折叠显示屏的制造方法。
背景技术：
柔性显示装置具有耐冲击、重量轻、携带方便等优点，其具有传统显示器不能实现的功能和用户体验的优势，因此柔性显示技术越来越受到人们的重视，例如，可折叠显示装置、可弯曲显示装置或可卷曲显示装置。在可折叠显示装置中的可折叠显示屏包括显示区与弯折区，可折叠显示屏的弯折区结构通常包括柔性衬底与金属层。虽然柔性衬底上有无机阻挡层覆盖，但是在柔性衬底上沉积金属层前，需要将无机阻挡层刻蚀掉。
现有技术中，柔性衬底的材料通常为pi材料，由于pi材料为有机材料，耐热温度在400℃左右，而无机阻挡层需要在化学气相沉积(chemicalvapordeposition，cvd)工艺腔室高温进行成膜，这样将会导致柔性衬底挥发出未完全固化的有机物和水氧，从而对cvd工艺腔室造成污染。同时，cvd成膜时的等离子轰击也会对柔性衬底产生损伤，导致柔性衬底挥发出一定的副产物。而在对无机阻挡层进行干刻时的过刻蚀也会对柔性衬底造成损伤。此外金属层的沉积温度为150-250摄氏度，且功率较大，轰击作用很强，很容易破坏柔性衬底，并对溅射腔室和靶材造成污染。
技术实现要素：
有鉴于此，本发明目的在于提供一种可折叠显示屏及可折叠显示屏的制造方法，可以有效减少柔性衬底挥发的有机物进入工艺腔室，从而能够减小工艺腔室的污染。
具体地，本发明实施例提供一种可折叠显示屏，包括显示区及弯折区，所述弯折区与所述显示区相邻设置，所述弯折区包括柔性衬底、第一阻挡层及金属层；所述第一阻挡层设置在所述柔性衬底的一表面上；所述金属层设置在所述第一阻挡层上。
具体地，所述第一阻挡层为由ito材料制成的ito膜层。
具体地，所述ito膜层由溅射设备在常温下在所述柔性衬底的一表面上沉积得到，且所述ito膜层的厚度为20-40nm。
具体地，所述柔性衬底的材料为聚酰亚胺，在硬性基板上涂布所述聚酰亚胺后进行固化得到所述柔性衬底。
具体地，所述可折叠显示屏还包括第二阻挡层，所述第二阻挡层设置在所述第一阻挡层远离所述柔性衬底的一表面上，且将与所述弯折区相对应的所述第二阻挡层进行刻蚀得到图案化第二阻挡层。
具体地，所述第二阻挡层为由硅氮氧化物或硅氧化物材料制成的无机层，所述无机层由化学气相沉积工艺在腔室温度为300°-400°下成膜得到。
本发明实施例还提供一种可折叠显示屏的制造方法，所述可折叠显示屏包括显示区及弯折区，所述弯折区与所述显示区相邻设置，所述可折叠显示屏的制造方法包括：提供一硬性基板；在所述硬性基板上制作柔性衬底；在所述柔性衬底上沉积第一阻挡层；形成所述第一阻挡层后，在所述第一阻挡层远离所述柔性衬底的一表面上沉积第二阻挡层，并在所述第二阻挡层形成后，将与所述弯折区对应的所述第二阻挡层进行刻蚀得到图案化第二阻挡层；在所述图案化第二阻挡层上沉积金属层；形成所述金属层后，将所述柔性衬底与所述硬性基板进行剥离。
具体地，所述第一阻挡层为由ito材料制成的ito膜层，所述ito膜层由溅射设备在常温下在所述柔性衬底的一表面上沉积得到，且所述ito膜层的厚度为20-40nm。
具体地，所述柔性衬底的材料为聚酰亚胺，在所述硬性基板上涂布所述聚酰亚胺后进行固化得到所述柔性衬底。
具体地，所述第二阻挡层为由硅氮氧化物或硅氧化物材料制成的无机层，所述无机层由化学气相沉积工艺在腔室温度为300°-400°下成膜得到。
由此可见，本实施例提供的可折叠显示屏及可折叠显示屏的制造方法，通过在设置第一阻挡层将柔性衬底完全覆盖，可以有效减少柔性衬底挥发的有机物进入工艺腔室，从而能够减小工艺腔室的污染，并有效防止柔性衬底受到金属溅射的损伤。
为让本发明的上述和其他目的、特征和优点能更明显易懂，下文特举较佳实施例，并配合所附图式，作详细说明如下。
附图说明
图1为本发明第一实施例提供的可折叠显示屏的结构示意图。
图2为可折叠显示屏的弯折区的结构示意图。
图3a至图3e为可折叠显示屏的弯折区的制成分解示意图。
图4为本发明第二实施例提供的可折叠显示屏的制造方法的流程示意图。
具体实施方式
为更进一步阐述本发明为实现预期目的所采取的技术手段及功效，以下结合附图及较佳实施例，对依据本发明提出的可折叠显示屏及可折叠显示屏的制造方法的具体实施方式、方法、步骤、结构、特征及功效，详细说明如后。
有关本发明的前述及其他技术内容、特点与功效，在以下配合参考图式的较佳实施例的详细说明中将可清楚的呈现。通过具体实施方式的说明，当可对本发明为达成预期目的所采取的技术手段及功效得以更加深入且具体的了解，然而所附图式仅是提供参考与说明之用，并非用来对本发明加以限制。
请参考图1，图1为本发明第一实施例提供的可折叠显示屏100的结构示意图。如图1所示，本发明实施例提供的可折叠显示屏100包括显示区10及弯折区20，弯折区20与显示区10相邻设置，优选地，在本实施例中，弯折区可以设置在显示区的对称的两侧上，但并不限于此，例如，在其他实施例中，弯折区20还可设置在显示区10四周上，或者弯折区20还可设置在显示区10的一侧上，并且弯折区20与显示区10相邻设置。
请一并参考图2，图2为可折叠显示屏100的弯折区20的结构示意图。如图1与图2所示，在本实施例中，弯折区20包括柔性衬底22、第一阻挡层24及金属层26。具体地，第一阻挡层24设置在柔性衬底22的一表面上，金属层26设置在第一阻挡层24上。具体地，在一实施方式中，在柔性衬底22的一表面上形成第一阻挡层24，在第一阻挡层24上形成金属层26。
具体地，在本实施例中，第一阻挡层24可以但不限于为由氧化铟锡(indiumtinoxide，ito)材料制成的ito膜层，例如，在其他实施例中，第一阻挡层24还可以为氧化铟锌(indiumzincoxide，izo)，但并不限于此。
具体地，在本实施例中，金属层26可以但并不限于为复合金属层，复合金属层为ti/al/ti层，具体地，金属层26由ti材料形成的第一层、al材料形成的第二层及ti材料形成的第三层构成，但并不限于此，例如，在其他实施例中，金属层26还可为包含银(ag)、金(au)、钯(pd)或它们的合金构成，但并不限于这些材料，例如，在一实施方式中，金属层26还可以由材料氮化钛(tin)构成。
具体地，在本实施例中，柔性衬底22的材料可以但不限于为聚酰亚胺(polyimide，pi)，例如，在其他实施例中，柔性衬底22的材料还可为环氧化合物、丙烯酸类(acryl)化合物、聚氨酯化合物等有机材料，但并不限于这些材料。
请一并参考图3a至图3e，图3a至图3e为可折叠显示屏100的弯折区20的制成分解示意图。如图1至图3e所示，具体地，在本实施例中，可折叠显示屏100还包括第二阻挡层25，第二阻挡层25设置在第一阻挡层24远离柔性衬底的一表面上，且将与弯折区20相对应的第二阻挡层25进行刻蚀得到图案化第二阻挡层(图未示出)，使可折叠显示屏100在兼顾弯折性能的同时，有效保护柔性衬底不受损伤。具体地，金属层26设置在图案化第二阻挡层25上。
具体地，在本实施例中，第二阻挡层25可以但并不限于为由硅氮化物(sinx)或硅氧化物(siox)材料制成的无机层，例如，在其他实施例中，第二阻挡层25还可为铝氧化物(alox)等无机材料制成的无机层，但并不限于这些材料。
具体地，在本实施例中，提供一硬性基板21，并将硬性基板21清洗干净及烘干后，在硬性基板21的一表面上涂布pi溶液，加热该硬性基板21以固化涂布在硬性基板21表面的pi溶液形成柔性衬底22。
进一步地，在柔性衬底22远离硬性基板21的一表面上形成第一阻挡层24，具体地，在本实施例中，将具有柔性衬底22的硬性基板21放置于溅射(sputter)设备中，并在常温下在柔性衬底22的一表面上沉积ito膜层，以实现低功率溅射以实现不损伤柔性衬底22，且ito膜层的厚度可以但不限于为20-40nm，例如，在其他实施例中，ito膜层的厚度还可以为低于20nm或高于40nm的任意厚度值。在本实施例中，由于ito膜层作为第一阻挡层24，无需考虑ito膜层的导电性和透过率，这样便可适当减少沉积功率以减小等离子轰击(plasma)的损伤，此外，第一阻挡层24是由ito膜层构成，使得第一阻挡层24具有一定的透过率，从而不会影响可折叠显示屏100的tft制作完成后的蒸镀工艺，但并不限于此。具体地，在另一实施方式中，ito膜层还可通过物理气相沉积(physicalvapordeposition，pvd)得到。
具体地，在本实施例中，在形成第一阻挡层24后，将该硬性基板21放置于化学气相沉积(chemicalvapordeposition，cvd)工艺腔室内，并在350°高温下在第一阻挡层24远离柔性衬底22的一表面上无机层，以得到第二阻挡层25。由于第一阻挡层24将柔性衬底22覆盖，因此在cvd工艺腔室高温成膜时，可以减少柔性衬底22的挥发和等离子轰击损伤，进而减少cvd工艺腔室的污染。进一步地，在形成第二阻挡层25后，在第二阻挡层25远离第一阻挡层24的一表面上进行干刻，以得到图案化第二阻挡层，而柔性衬底22被第一阻挡层24覆盖，因此在干刻第二阻挡层25时不会造成对柔性衬底22过刻蚀，从而防止plasma损伤。
具体地，在本实施例中，在形成图案化第二阻挡层后，在在图案化第二阻挡层上沉积金属层26。进一步地，形成金属层26后，将柔性衬底22与硬性基板21进行剥离。
由此可见，本实施例提供的可折叠显示屏100，通过在设置第一阻挡层24将柔性衬底22完全覆盖，使得在cvd工艺腔室高温形成第二阻挡层25时，可以有效减少柔性衬底22挥发的有机物进入工艺腔室，从而能够减小cvd工艺腔室的污染，且能够在刻蚀第二阻挡层25时，防止过刻蚀到柔性衬底22造成的等离子轰击损伤，同时，通过将ito膜层作为第一阻挡层24，无需考虑ito膜层的导电性和透过率，可适当减小ito膜层沉积功率以减小等离子轰击的损伤，并且ito膜层通过常用的溅射设备在常温下沉积得到，能够节省形成第一阻挡层24的成本。
请参考图4，图4为本发明第二实施例提供的可折叠显示屏100的制造方法的流程示意图。如图4所示，可折叠显示屏100包括显示区10及弯折区20，弯折区20与显示区10相邻设置，具体地，在本实施例中，可折叠显示屏100的制造方法包括以下步骤：
步骤s11，提供一硬性基板。
步骤s12，在硬性基板上制作柔性衬底。
具体地，将硬性基板21清洗干净及烘干后，在硬性基板21的一表面上涂布pi溶液，加热该硬性基板21以固化涂布在硬性基板21表面的pi溶液形成柔性衬底22。
步骤s13，在柔性衬底上沉积第一阻挡层。
具体地，在本实施例中，将具有柔性衬底22的硬性基板21放置于溅射(sputter)设备中，并在常温下在柔性衬底22的一表面上沉积ito膜层，且ito膜层的厚度可以但不限于为20-40nm，例如，在其他实施例中，ito膜层的厚度还可以为低于20nm或高于40nm的任意厚度值。在本实施例中，由于ito膜层作为第一阻挡层24，无需考虑ito膜层的导电性和透过率，这样便可适当减少沉积功率以减小等离子轰击(plasma)的损伤，此外，第一阻挡层24是由ito膜层构成，使得第一阻挡层24具有一定的透过率，从而不会影响可折叠显示屏100的tft制作完成后的蒸镀工艺，但并不限于此。具体地，在另一实施方式中，ito膜层还可通过物理气相沉积(physicalvapordeposition，pvd)得到。
步骤s14，形成第一阻挡层后，在第一阻挡层远离柔性衬底的一表面上沉积第二阻挡层，并在第二阻挡层形成后，将与弯折区对应的第二阻挡层进行刻蚀得到图案化第二阻挡层。
具体地，在本实施例中，在形成第一阻挡层24后，将该硬性基板21放置于cvd工艺腔室内，并在350°高温下在第一阻挡层24远离柔性衬底22的一表面上无机层，以得到第二阻挡层25。由于第一阻挡层24将柔性衬底22覆盖，因此在cvd工艺腔室高温成膜时，可以减少柔性衬底22的挥发和等离子轰击损伤，进而减少cvd工艺腔室的污染。进一步地，在形成第二阻挡层25后，在第二阻挡层25远离第一阻挡层24的一表面上进行干刻，以得到图案化第二阻挡层，而柔性衬底22被第一阻挡层24覆盖，因此在干刻第二阻挡层25时不会造成对柔性衬底22过刻蚀，从而防止plasma损伤。
步骤s15，在图案化第二阻挡层上沉积金属层。
步骤s16，形成金属层后，将柔性衬底与硬性基板进行剥离。
具体地，第一阻挡层24为由ito材料制成的ito膜层，ito膜层由溅射设备在常温下在柔性衬底22的一表面上沉积得到，且ito膜层的厚度为20-40nm。
具体地，柔性衬底22的材料为聚酰亚胺，在硬性基板21上涂布聚酰亚胺后进行固化得到柔性衬底22。
具体地，第二阻挡层25为由硅氮氧化物或硅氧化物材料制成的无机层，无机层由cvd工艺在腔室温度为300°-400°下进行成膜得到，以在第一阻挡层24远离柔性衬底22的一表面上形成无机层。金属层26为复合金属层，复合金属层为ti/al/ti层。
由此可见，本实施例提供的可折叠显示屏100的制造方法，通过在设置第一阻挡层24将柔性衬底22完全覆盖，使得在cvd工艺腔室高温形成第二阻挡层25时，可以有效减少柔性衬底22挥发的有机物进入工艺腔室，从而能够减小cvd工艺腔室的污染，且能够在刻蚀第二阻挡层25时，防止过刻蚀到柔性衬底22造成的等离子轰击损伤，同时，通过将ito膜层作为第一阻挡层24，无需考虑ito膜层的导电性和透过率，可适当减小ito膜层沉积功率以减小等离子轰击的损伤，并且ito膜层通过常用的溅射设备在常温下沉积得到，能够节省形成第一阻挡层24的成本，此外，在柔性衬22上覆盖一层ito膜层作为第一阻挡层24，从而能够将设置在弯折区20上第二阻挡层25刻蚀掉，进而能够增加可折叠显示屏的弯折区的弯折性能。
以上所述，仅是本发明的较佳实施例而已，并非对本发明作任何形式上的限制，虽然本发明已以较佳实施例揭露如上，然而并非用以限定发明，任何熟悉本专业的技术人员，在不脱离发明技术方案范围内，当可利用上述揭示的技术内容作出些许更动或修饰为等同变化的等效实施例，但凡是未脱离发明技术方案内容，依据发明的技术实质对以上实施例所作的任何简单修改、等同变化与修饰，均仍属于本发明技术方案的范围内。