本发明涉及制造技术领域，尤其涉及的是一种半导体构件的制造方法。
背景技术：
一般来说，氮化物半导体层是形成在廉价的硅基板上或蓝宝石基板上；但是，这些基板的晶格常数与氮化物半导体层的晶格常数的差异大，且热膨胀系数也不同，因此，在通过外延成长而形成于基板上的氮化物半导体层中，会发生较大的应变能量，结果，容易在氮化物半导体层中发生裂纹、或容易产生结晶品质的降低；例如也用在半导体模块中的半导体器件常常以未封装的形式安装在电路载体上，并且于是尤其是还为了将潮气阻挡在半导体芯片之外而被安放在模块壳体中，在此，半导体芯片本身可以可选地嵌入到被填充到模块壳体中的软性浇铸材料、例如硅凝胶中；对于基于硅半导体本体的常规半导体芯片而言，这类安装采取充分保护来对抗由于潮气引起的腐蚀所引起的损伤，但是越来越多地也使用具有基于碳化硅的半导体本体的半导体芯片，与在非基于碳化硅（sic）的常规半导体芯片的半导体中出现的电场强度相比，这样的基于碳化硅的半导体芯片常常运行在芯片的半导体本体中的较高电场强度下，由于高场强，在这样的基于碳化硅的半导体芯片的情况下存在提高的腐蚀倾向。
技术实现要素：
本发明的目的在于克服现有技术的不足，提供了一种半导体构件的制造方法。
本发明是通过以下技术方案实现的：一种半导体构件的制造方法，其具有在硅系基板上形成由氮化物系半导体所构成的缓冲层的工序、及在前述缓冲层上形成有源层的工序，所述阶段是以前述缓冲层的硼浓度从前述硅系基板侧朝向前述有源层侧逐渐减少的方式，将硼导入前述缓冲层，前述形成缓冲层的工序包含将硼导入前述缓冲层的阶段，利用闪光灯与光罩，照射半导体的前述缓冲层，使该缓冲层的硼变为一熔融状态，至结晶化缓冲层的硼熔融态。
本发明相比现有技术具有以下优点：该半导体构件的制造方法，使得所述半导体基板在缓冲层中含有足够得到位错抑制效果的硼，并且硼不会扩散到有源层。
具体实施方式
下面对本发明的实施例作详细说明，本实施例在以本发明技术方案为前提下进行实施，给出了详细的实施方式和具体的操作过程，但本发明的保护范围不限于下述的实施例。
本实施例提供的一种半导体构件的制造方法，其具有在硅系基板上形成由氮化物系半导体所构成的缓冲层的工序、及在前述缓冲层上形成有源层的工序，所述阶段是以前述缓冲层的硼浓度从前述硅系基板侧朝向前述有源层侧逐渐减少的方式，将硼导入前述缓冲层，前述形成缓冲层的工序包含将硼导入前述缓冲层的阶段，利用闪光灯与光罩，照射半导体的前述缓冲层，使该缓冲层的硼变为一熔融状态，至结晶化缓冲层的硼熔融态。
需要说明的是，水蒸气从半导体构件的外部环境渗入到半导体本体使用该制造方法，在一定范围温度的照射下，可自由到达的外表面到半导体本体所必须经过的路程选择为尽可能长，同时利用使缓冲层的硼浓度，从硅基板侧朝向有源层侧逐渐减少，使得在缓冲层的下层的硼浓度较高，在缓冲层的上层的硼浓度较低，便能抑制有源层发生孔洞的情况，并抑制杂质对有源层的影响。
以上所述仅为本发明的较佳实施例而已，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。