技术特征：
技术总结
本申请提供的光刻胶监控方法，包括：提供一个晶圆、待监控光刻胶，待监控光刻胶和晶圆之间形成有蚀刻层，在一个晶圆的不同位置采用不同曝光能量对光刻胶进行曝光，显影、蚀刻，得到不同位置的不同蚀刻结果，不同蚀刻结果对应不同的曝光能量，从蚀刻结果确定出待监控光刻胶的曝光能量，从而快速抓取新光刻胶的工艺条件，缩短光刻胶曝光能量确定所需要的时间，进而提高工作效率。同时，本发明提供的光刻胶监控方法仅采用一个晶圆涂布一层光刻胶即可实现待监控光刻胶曝光能量的确定，无需多个晶圆和光刻胶的多次涂布，从而节省了晶圆材料和光刻胶材料的使用，降低了光刻胶监控的成本。
技术研发人员：李镇勇
受保护的技术使用者：厦门乾照光电股份有限公司
技术研发日：2018.01.29
技术公布日：2018.07.17