技术特征：
技术总结
本公开实施例提供半导体装置。半导体装置包括基板，其具有第一装置区与第二装置区；第一鳍状物，位于第一装置区中的基板上；第二鳍状物，位于第二装置区中的基板上；第一外延结构，位于第一鳍状物的源极/漏极区中的第一鳍状物上；第二外延结构，位于第二鳍状物的源极/漏极区中的第二鳍状物上；以及介电层，位于第一外延结构与第二外延结构上。第一外延结构掺杂有第一导电型态的第一掺质，第二外延结构掺杂有第二导电型态的第二掺质，且第二导电型态与第一导电型态不同。介电层掺杂有第一掺质。
技术研发人员：朱峯庆;李威养;杨丰诚;陈燕铭
受保护的技术使用者：台湾积体电路制造股份有限公司
技术研发日：2018.02.22
技术公布日：2019.05.14