技术特征：
技术总结
本发明涉及一种基于石墨烯插入层结构的氮化镓生长方法，该方法包括如下步骤：(1)在α面的蓝宝石衬底上磁控溅射氮化铝薄膜；(2)通过金属衬底上石墨烯的转移技术，将石墨烯转移到磁控溅射氮化铝薄膜上；(3)对覆盖石墨烯的基板进行热处理；(4)用脉冲金属有机物化学气相淀积MOCVD法外延氮化铝作为过渡层；(5)将样品放入金属有机物化学气相淀积MOCVD中依次外延低温GaN外延层和高温GaN外延层。该方法可以在工艺步骤少、成本低以及工艺重复性好的前提下得到高质量的氮化镓外延层。
技术研发人员：张进成;许新鹏;陈智斌;宁静;王东;郝跃
受保护的技术使用者：西安电子科技大学
技术研发日：2018.03.16
技术公布日：2018.08.21