技术总结
本发明提供的干法刻蚀设备，用于刻蚀基板，包括：反应腔室，反应腔室内设置有上电极与下电极，下电极上设置有多个气孔，且下电极包括第一区域、第二区域以及第三区域，电压调节装置，电压调节装置与下电极连接，电压调节装置调节第一区域、第二区域以及第三区域的电压，以及气体流量调节装置，气体流量调节装置与气孔连接，气体流量调节装置调节第一区域中的气孔、第二区域中的气孔以及第三区域中的气孔的气体流量。通过电压调节装置分区域调节下电极的电压以及，气体流量调节装置分区域调节下电极各个区域中气孔的气体流量，以达到分区域调节基板背面受力的目的，从而提高了刻蚀的均匀性，并且降低了基板静电击伤发生的几率，提高了产品良率。
技术研发人员：宋德伟;董磊磊
受保护的技术使用者：武汉华星光电技术有限公司
技术研发日：2018.03.20
技术公布日：2018.08.03