本发明是有关于一种无机接合smd(表面安装组件；surfacemountdevice；smd)封装结构，尤其是关于一种紫外线发光二极体无机接合封装结构。
背景技术：
发光二极体的封装材料，几乎都围绕着成本在考虑，传统大多是ppa(polyphthalamide，热塑性塑料)。近年来led封装厂逐渐采用耐热性更高的emc(epoxymoldingcompound，环氧模压树脂)导线架，emc导线逐渐站稳用在1-3瓦的中高功率led的市场地位，但是emc导线架受制于本身材料特性，无法再往更高功率的led跨入。
然而，当发光二极体切入紫外线领域时，将会有60％～70％的光电效能转换成热能，甚至在深紫外线(uvc)领域仅只有不到10％电力转换成光，90％都转换成热能，且目前发光二极体的制造厂商所制造出来的led在功率上顶多在30微瓦(mw)的领域，若未来持续往更高功率的紫外线发光二极体研发时，将会受限于散热材料、后制加工、整体构装的重重限制；而且热能累积过多易造成光衰。传统低温共烧陶瓷(lowtemperatureco-firedceramic；ltcc)、高温共烧多层陶瓷(hightemperatureco-firedceramic；htcc)、以热导率2～25w/mk的氧化铝陶瓷组件来对应于30mw的深紫外线发光二极体组件应足以应付；但再往更高功率发展的未来，传统ltcc、htcc、氧化铝陶瓷组件的散热已经到达其极限，更不用说有机材质的emc等塑料材料是无法适用于此领域的，因此需要更高热导率的陶瓷基板来对应紫外线领域。
另外，以现有的材料以及封装制程用于紫外线发光二极体的领域而言，当整个封装结构长期处于紫外线照射范围内，无论是导线架本身材料，甚至连导线架上框与陶瓷电路载板间的黏合层，都可能在紫外线长期曝晒下，产生材料脆化或是黏合层剥离的状况发生，尤其是本体采用有机材料(例如ppa或是emc等有机物)或是采用有机胶体黏合上框与陶瓷电路载板的状况下(市场上有黏合层采用uv胶，但即使是uv胶还是会脆化)，是需要尽量避免的。
更进一步的说，led封装产业的固晶制程对于晶粒而言是属于300℃以上的高温制程，若无采用本案ich技术(inorganicceramicheterogeneity；无机陶瓷异类结合)改良的金属扩散效应产生金属共晶结构，例如：ggi(goldtogoldinterconnect；金金结合)、cci(coppertocopperinterconnect；铜铜结合)来制作导线架，而用铟、高温锡等制程来施做的导线架，在封装固晶制程往往会因为温度高于铟、高温锡键合时的温度，则容易造成后续生产稳定性不足以符合产业界的需求。
因此，若照明本体材料无法抵抗紫外线侵袭，黏合层强度不够或是工艺未顾虑到后续制程，产品迅速劣化、损坏、妥善率低是可以想见的；然而，业界为能克服上述的各项缺失，在经过多次实验后发觉了封装材料理应采用无机材料，但仍苦于没有让无机材料结合的有效方法。
技术实现要素：
本发明的一目的在于提供一种紫外线发光二极体无机接合封装结构，利用ich技术(inorganicceramicheterogeneity)改良之低温高压的金属扩散物理现象，让金属共晶结构强度，达到10mpa～30mpa，足以抵抗使用本产品使用时热能累积造成不同材料间的热涨冷缩效应，解决金属结合层剥离问题，进而提升产品良率。
本发明再一目的在于提供一种紫外线发光二极体无机接合封装结构，利用ich技术(inorganicceramicheterogeneity)改良之低温高压的金属扩散物理现象，可让此产品通过电子产业验证最高标准-65℃～150℃的冷热冲击实验，其中往返极限温度搬运时间不超过20秒。
本发明又一目的在于提供一种紫外线发光二极体无机接合封装结构，利用选定无机物材料施做，让整体产品长期在紫外线照射范围内，也不会材料脆化与黏合层剥离。
本发明另一目的在于提供一种紫外线发光二极体无机接合封装结构，利用ich技术(inorganicceramicheterogeneity)改良之低温高压的金属扩散物理现象提供发光二极体封装产业一种对应高功率晶粒的气密性封装结构。
本发明再一目的是提供一种紫外线发光二极体无机接合封装结构，其包括：一陶瓷基板；一金属化合物层，其是形成于所述陶瓷基板之相对二面；一图案化铜层，其是形成于所述金属化合物层之一面；一第二金属化合物层(或复合层)，其是形成于所述图案化铜层上方；一无机材料上框，其是形成于所述第二金属化合物层(或复合层)一侧；以及一石英玻璃，其是和所述无机材料上框形成气密结合，以将所述图案化铜层密封于无机材料上框以及所述陶瓷基板之间。其间，之所以会有化合物层或是复合物层的原因在于制程作用的不同；若是使用了化镀的方式，则会形成了化合物层，而若是使用了电镀，则会形成了复合物层。
本发明再一目的是提供一种紫外线发光二极体无机接合封装结构，所述陶瓷基板材料可由下列化合物群组中择一：氧化铝、氮化铝、氮化硅、碳化硅。
本发明再一目的是提供一种紫外线发光二极体无机接合封装结构，其中，所述陶瓷基板与无机材料上框结合系采用金金共晶(au+au)、铜铜共晶(cu+cu)或金锡共晶(au+sn)共晶制程。
本发明再一目的是提供一种紫外线发光二极体无机接合封装结构，所述无机材料上框可为铜、铜合金、铝、铝合金、铁钴镍合金、氮化铝、氧化铝、氮化硅或碳化硅。
本发明再一目的是提供一种紫外线发光二极体无机接合封装结构，所述金属化合物层以及所述第二金属化合物层(或复合层)之厚度范围是大于0μm且是小于10μm。
本发明再一目的是提供一种紫外线发光二极体无机接合封装结构，所述陶瓷基板与无机材料上框结合采用共晶制程的厚度范围至少为介于0.05μm～50μm。
本发明再一目的是提供一种紫外线发光二极体无机接合封装结构，其无机材料上框与石英玻璃结合为au+au、cu+cu或au+sn共晶制程，且其厚度范围介于0.05μm～50μm。
本发明再一目的是提供一种紫外线发光二极体无机接合封装结构，其无机材料上框与石英玻璃结合为ich技术(inorganicceramicheterogeneity)改良之金属扩散效应金锡共晶制程。
本发明再一目的是提供一种紫外线发光二极体无机接合封装结构，其中，所述共晶制程是以y＝-0.025x+300为温度与压力的关系方程式为之，压力为x，温度为y，最高温为500℃。
本发明再一目的是提供一种紫外线发光二极体无机接合封装结构，所述陶瓷基板上具有至少一通孔，且于所述通孔内是具有一铜柱，以可和所述图案化铜层形成电性连接。
本发明再一目的是提供一种紫外线发光二极体无机接合封装结构，其中，所述金属化合物层以及所述第二金属化合物层(或复合层)是由下列化合物层(或复合层)所形成的群组中择一：镍银、镍金以及镍钯金。
为了达成上述目的，本案提供一种紫外线发光二极体无机接合封装结构，其包括：一陶瓷基板；一金属化合物层，形成于所述陶瓷基板的相对二面；一图案化铜层，形成于所述一金属化合物层的一面；一第二金属层，形成于所述图案化铜层相对于和所述金属化合物层结合面的相对一侧；一无机材料上框，形成于所述第二金属层的一自由面；以及一石英玻璃，是和所述无机材料上框结合，以将所述图案化铜层密封于无机材料上框以及所述陶瓷基板之间。
本发明的实施例中，所述陶瓷基板材料选自下列化合物群组中的一种：氧化铝、氮化铝、氮化硅或碳化硅。
本发明的实施例中，所述陶瓷基板与无机材料上框是采用ich技术(inorganicceramicheterogeneity)的金属扩散效应所形成的共晶制程实现结合，且其共晶制程材料选自下列组合中的一种：金金共晶、铜铜共晶或金锡共晶。
本发明的实施例中，所述无机材料上框为铜、铜合金、铝、铝合金、铁钴镍合金、氮化铝、氧化铝、氮化硅或碳化硅。
本发明的实施例中，所述金属化合物层以及所述第二金属层的厚度范围是大于0μm且是小于10μm。
本发明的实施例中，所述陶瓷基板与无机材料上框采用共晶制程结合，所述陶瓷基板与无机材料上框是利用所述第二金属层而结合，其厚度范围为介于0.05μm～50μm。
本发明的实施例中，所述无机材料上框与所述石英玻璃之间夹设一金属层，所述金属层为金金共晶、铜铜共晶或金锡共晶，且其厚度范围介于0.05μm～50μm。
本发明的实施例中，所述无机材料上框与石英玻璃是采用ich技术(inorganicceramicheterogeneity)的金属扩散效应所形成的共晶制程实现结合，且其共晶制程材料选自下列组合中的一种：金金共晶、铜铜共晶或金锡共晶。
本发明的实施例中，所述共晶制程中的温度与压力的关系如下式：y＝-0.025x+300，其中，x为压力，y为温度，最高温为500℃。
本发明的实施例中，所述陶瓷基板上具有至少一通孔，且于所述通孔内具有一铜柱，以和所述图案化铜层形成电性连接。
本发明的实施例中，所述第二金属层为一金属复合层。
本发明的实施例中，所述第二金属层是为一金属化合物层。
本发明的实施例中，所述石英玻璃以及无机材料上框间夹设一含钛化合物层以及所述第二金属层是选自下列化合物所形成的群组中的一种：镍银、镍金或镍钯金。
本发明的实施例中，所述金属化合物层是含钛化合物层以及所述第二金属层是选自下列化合物所形成的群组中的一种：镍银、镍金或镍钯金。
本发明由于采用了以上技术方案，使其具有以下有益效果：通过运用半导体与微机电领域的背景概念，透过ich技术(inorganicceramicheterogeneity)改良之金属扩散效应的金属共晶结构，使其结构强度足以抵抗使用时造成的热涨冷缩应力，且因为使用材料皆为无机物，可以长期曝晒于紫外线照射范围而不被紫外线破坏，材料不会脆化且黏合层也不会剥离，因此可以避免掉目前产业所面临的技术问题。
附图说明
图1是本发明陶瓷电路板含铜柱及结合层为铜的剖面示意图。
图2是本发明陶瓷电路板含铜柱及结合层为金的剖面示意图。
图3是本发明无机材料上框为铝及结合层为金的剖面示意图。
图4是本发明无机材料上框为陶瓷及结合层为金的剖面示意图。
图5是本发明无机材料上框为陶瓷，下结合层为铜，上结合层为金的剖面示意图。
图6是本发明温度与压力关系图。
图7是本发明石英玻璃剖面示意图。
图8是本发明smd整体结构的立体示意图。
附图标记与部件的对应关系如下：
陶瓷基板10；钛层12；铜层14；铜柱16；镍层20；金层22；铝框30；开孔32；陶瓷电路载板40；无机材料上框42；紫外线发光二极体44；石英玻璃46。
具体实施方式
本发明为一种紫外线发光二极体无机接合smd封装结构，底层为一层陶瓷基板，堆叠数层金属后形成陶瓷电路载板，其与无机材料上框黏合后，完成导线架，再利用相同技术分别将紫外线发光二极体与陶瓷电路载板结合及石英玻璃与无机材料上框结合，完成smd封装结构。
由于各部件有不同制法，且其效果亦都可达到本发明要达成的目的，故而在后续段落中将分几大部分说明；先描述陶瓷电路载板种类、无机材料上框种类及陶瓷电路载板与无机材料上框的接合法，再描述石英玻璃加工，紫外线发光二极管及石英玻璃与无机材料上框的接合法种类。
陶瓷电路载板实施例一：请参阅图1，准备一陶瓷基板10，先以雷射于基板上施打贯穿孔洞为通孔；由于一般雷射在形成通孔时，其进孔为直径较大的孔，而出孔则因为能量消耗，致形成为直径较小的孔。接着以溅镀的方式在陶瓷基板10于形成通孔的侧壁面以及上下表面处形成一钛层12(厚度介于0.01μm～10μm)。其后，以黄光显影制程，将不是电路图案的区域，以光阻覆盖后，施以电镀方式电镀一层铜层14于所述钛层12上方，并填满所述通孔，以形成一铜柱16；铜柱则是电镀铜层时回填雷射钻孔的通孔，形成正反面导通的双面电路。至此，形成图案化铜层14，厚度介于0.01μm～700μm，以铜做为金属结合层。
陶瓷电路载板实施例二：请参阅图2，制程前段与陶瓷电路载板实施例一相同，区别在于后续制程步骤；为了保护铜层电路避免与后续堆叠金属产生反应，可再电镀一隔离用的镍层20，厚度大于0μm且小于10μm，镍层20亦可视产品需求来决定是否必要设置，之后，再于其上方以电镀方式设置一层金层22，以为金属结合层的部分，其厚度介于0.05μm～20μm，至此，完成陶瓷电路载板，由下而上依照顺序堆叠的金属层分别为钛、铜、镍、金，因为堆叠了数层金属，电镀技术的均匀性要求精度高为其重点。所述镍、金结构亦可改为镍、银或是镍钯金的复合层；再者，所述电镀亦可改为化镀方式以形成镍金、镍银或是镍钯金化合层。
陶瓷电路载板实施例三：在这一较佳实施例中，主要是以金锡合金层取代在陶瓷电路载板实施例二中的金层22；金锡重量比例为au:sn＝80:20、au:sn＝73:27和au:sn＝10:90等不同比例，金锡合金层厚度是介于0.3μm～5μm之间。
无机材料上框实施例一：请参阅图3；在此实施例为准备一中心点开孔32的铝框30，并于铝框上下及开孔侧壁镀上一镍层20，厚度0.1μm～3μm作为中介层后再于镍层20上镀上金属结合层，金层22，其厚度为0.05μm～20μm，同样电镀技术的均匀性要求精度高为其重点，值得注意的是，所述无机材料上框的材料可选自铜、铜合金、铝、铝合金、铁钴镍合金、氮化铝、氧化铝、氮化硅或碳化硅。
无机材料上框实施例二：制作方法与无机材料上框实施例一相似，唯一的不同在于将金属结合层金层22换成金锡合金。
无机材料上框实施例三：请参阅图4，上框材料选择与陶瓷电路载板相同的陶瓷材料10，陶瓷表面溅镀一层中介钛层12，厚度介于0.01μm～10μm，钛层12主要用于结合陶瓷与铜层，铜层14厚度介于0.01μm～700μm，为了保护铜层14避免与后续堆叠金属产生反应，需再电镀一隔离用的镍层20，厚度小于0μm且大于10μm，镍层是否必要端看产品需求，也可忽略直接电镀金层22，即为金属结合层的部分，其厚度介于0.05μm～20μm，最后步骤为开孔32，以激光贯穿陶瓷基板开洞。
无机材料上框实施例四：制程与无机材料上框实施例三相似，唯一不同之处在于以金锡合金层取代陶瓷上框实施例三的金层22，金锡重量比例为au:sn＝80:20、au:sn＝73:27和au:sn＝10:90等不同比例，厚度介于0.3μm～5μm之间。
无机材料上框实施例五：请参阅图5，上框材料选择与陶瓷电路载板相同的陶瓷材料10，陶瓷表面溅镀一层中介钛层12，厚度介于0.01μm～10μm，钛层12主要为结合陶瓷与铜，铜层14厚度介于0.01μm～700μm，与陶瓷电路载板接触面制作到铜层14后即停止。另一面与石英玻璃结合的部分，为了保护铜层避免与后续堆叠金属产生反应，需再电镀一隔离用的镍层20，厚度大于0μm且小于10μm，镍层是否必要端看产品需求，也可忽略直接电镀金层22，即为金属结合层的部分，其厚度介于0.05μm～20μm，最后步骤为开孔32，以激光贯穿陶瓷基板开洞。
陶瓷电路载板与无机材料上框接合方法实施例一：若选择陶瓷电路载板与无机材料上框的结合面都是金层，则透过ich技术(inorganicceramicheterogeneity)改良之ggi(goldtogoldinterconnect)金属扩散效应的金属共晶结构完成结合，将陶瓷上框与陶瓷电路载板对位贴合，水平置入低温高压腔体内，温度与压力的关系图请参阅图6所示，y＝-0.025x+300为温度与压力的关系方程式(压力为x，温度为y)，横座标以数线0～8000kg为左右极限，纵座标数线最高温为500℃，此梯形范围内的面积，再搭配热压时间为30分钟～90分钟始可完成smd封装结构，上述三项制程参数依照需求的不同而有所调整，且因为在降温过程中，压力始终保持在最高压状态直到恢复常温，依照此步骤所产生的键结力，可达到10mpa～30mpa不等，足以抵抗此产品在使用时，紫外线发光二极管产生的热能造成产品不同材料结构层间的热涨冷缩应力，而不会使产品产生翘曲甚至黏合层剥离。
陶瓷电路载板与无机材料上框接合方法实施例二：若选择陶瓷电路载板与无机材料上框的结合面都是铜层，透过ich技术(inorganicceramicheterogeneity)改良之cci(cutocuinterconnect)之金属扩散效应的金属共晶结构完成产品，将无机材料上框与陶瓷电路载板对位贴合后，进入低温高压制程，同样可以产出具有高键结力的黏合层。
陶瓷电路载板与无机上框接合方法实施例三：若选择陶瓷电路载板与无机材料上框的结合面，至少一层为金锡层时，透过ich技术(inorganicceramicheterogeneity)改良之金锡合金共晶制程，将无机上框与陶瓷电路载板对位贴合后，进入低温高压制程，同样可以产出具有高键结力的黏合层。
紫外线发光二极体与陶瓷电路载板结合实施例：因紫外线发光二极体晶粒的金属结合层为金锡合金，于洁净环境下施以280℃～320℃的温度及适当压力，将发光二极体与陶瓷电路载板结合。
石英玻璃实施例一：请参阅图7；石英玻璃46切割尺寸对应无机玻璃上框需求，于接合面溅镀一层钛层12，厚度
石英玻璃实施例二：制程与石英玻璃实施例一相似，唯一不同在于将金层22换成金锡合金。
石英玻璃与无机材料上框接合法实施例：若选择无机材料上框与石英玻璃的金属结合层至少一为金锡层，于洁净环境下施以280℃～320℃的温度及适当压力，将石英玻璃与无机材料上框结合。值得注意的是，石英玻璃可为一凸透镜，并设置在所述无机材料上框之内；也可为一平面型石英玻璃，而设置在所述无机材料上框之上。
请参阅图8；以上各部件所使用材料种类排列组合繁多，仅为完成一种紫外线发光二极体无机接合smd封装结构的各部件及结合制法，其整体结构为陶瓷电路载板40为底层，紫外线发光二极体44单颗或数颗贴覆在陶瓷电路载板上，而无机材料上框42结合下方的陶瓷电路载板与上方的石英玻璃46完成完整的封装结构。
当不能以此限定本发明的实施范围，即依照本发明申请专利范围及发明说明书内容所做的等效果修饰与变化，仍应属于本发明专利涵盖范围之内。